講演抄録/キーワード |
講演名 |
2008-05-16 09:50
AlGaN/GaNヘテロ構造におけるAl/Ti/Al系電極構造の検討 ○廣木正伸・西村一巳(NTT)・渡邉則之(NTT-AT)・小田康裕・小林 隆(NTT) ED2008-11 CPM2008-19 SDM2008-31 エレソ技報アーカイブへのリンク:ED2008-11 CPM2008-19 SDM2008-31 |
抄録 |
(和) |
AlGaN/GaNヘテロ構造におけるオーミック接合として,Al/Ti/Al/Ni/Au電極材料を試みた. 1x10-5cm2以下の低接触抵抗率のオーミック接合を得るのに,従来のTi/Al/Ni/Auでは850℃以上の高温熱処理が必要であったのに対し,今回のAl/Ti/Al/Ni/Auでは650℃から850℃の低温かつ幅広い熱処理温度で得られた |
(英) |
In this letter, we report annealing temperature dependence of Al/Ti/Tl/Ni/Au contact structure on AlGaN/GaN heterostructures. In this structure, low contact resistivity below 5 x 10-6 cm2 was achieved by in wide range of thermal annealing from 650 ºC to 900 ºC, while such low contact was only obtained in the range from 800 ºC to 900 ºC in conventional ohmic contact structure of Ti/Al/Ni/Au. |
キーワード |
(和) |
GaN / AlGaN/GaN / ヘテロ構造 / オーミック / / / / |
(英) |
GaN / AlGaN/GaN / heterostructure / ohmic contact / / / / |
文献情報 |
信学技報, vol. 108, no. 34, ED2008-11, pp. 51-56, 2008年5月. |
資料番号 |
ED2008-11 |
発行日 |
2008-05-08 (ED, CPM, SDM) |
ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) |
PDFダウンロード |
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研究会情報 |
研究会 |
CPM ED SDM |
開催期間 |
2008-05-15 - 2008-05-16 |
開催地(和) |
名古屋工業大学 |
開催地(英) |
Nagoya Institute of Technology |
テーマ(和) |
結晶成長、評価及びデバイス(化合物、Si、SiGe、電子・光材料) |
テーマ(英) |
Crystal growth, evaluation and device (Compound, Si, SiGe, Electronic and light emitting materials) |
講演論文情報の詳細 |
申込み研究会 |
ED |
会議コード |
2008-05-CPM-ED-SDM |
本文の言語 |
日本語 |
タイトル(和) |
AlGaN/GaNヘテロ構造におけるAl/Ti/Al系電極構造の検討 |
サブタイトル(和) |
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タイトル(英) |
Al/Ti/Al Ohmic Contacts for AlGaN/GaN Heterostructures |
サブタイトル(英) |
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キーワード(1)(和/英) |
GaN / GaN |
キーワード(2)(和/英) |
AlGaN/GaN / AlGaN/GaN |
キーワード(3)(和/英) |
ヘテロ構造 / heterostructure |
キーワード(4)(和/英) |
オーミック / ohmic contact |
キーワード(5)(和/英) |
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キーワード(6)(和/英) |
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キーワード(7)(和/英) |
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キーワード(8)(和/英) |
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第1著者 氏名(和/英/ヨミ) |
廣木 正伸 / Masanobu Hiroki / ヒロキ マサノブ |
第1著者 所属(和/英) |
NTTフォトニクス研究所 (略称: NTT)
NTT Photonics Laboratories (略称: NTT PH Lab.) |
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) |
西村 一巳 / Kazumi Nishimura / ニシムラ カズミ |
第2著者 所属(和/英) |
NTTフォトニクス研究所 (略称: NTT)
NTT Photonics Laboratories (略称: NTT PH Lab.) |
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) |
渡邉 則之 / Noriyuki Watanabe / ワタナベ ノリユキ |
第3著者 所属(和/英) |
NTTフォトニクス研究所 (略称: NTT-AT)
NTT Photonics Laboratories (略称: NTT PH Lab.) |
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) |
小田 康裕 / Yasuhiro Oda / オダ ヤスヒロ |
第4著者 所属(和/英) |
NTTフォトニクス研究所 (略称: NTT)
NTT Photonics Laboratories (略称: NTT PH Lab.) |
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) |
小林 隆 / Takashi Kobayashi / コバヤシ タカシ |
第5著者 所属(和/英) |
NTTフォトニクス研究所 (略称: NTT)
NTT Photonics Laboratories (略称: NTT PH Lab.) |
第6著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第7著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第8著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第9著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第10著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第11著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第12著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第13著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第14著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第15著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第16著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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講演者 |
第1著者 |
発表日時 |
2008-05-16 09:50:00 |
発表時間 |
25分 |
申込先研究会 |
ED |
資料番号 |
ED2008-11, CPM2008-19, SDM2008-31 |
巻番号(vol) |
vol.108 |
号番号(no) |
no.34(ED), no.35(CPM), no.36(SDM) |
ページ範囲 |
pp.51-56 |
ページ数 |
6 |
発行日 |
2008-05-08 (ED, CPM, SDM) |