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講演抄録/キーワード
講演名 2008-05-09 13:30
制御値に基づく細粒度パワーゲーティング手法
陳 磊早大)・堀山貴史埼玉大)・中村裕一NEC)・木村晋二早大VLD2008-10
抄録 (和) (まだ登録されていません) 
(英) Leakage power dissipation of logic gates has become an increasingly important problem. A novel fine-grained power gating approach based on the controlling value of logic gates is proposed for leakage power reduction. In the method, sleep signals of the power-gated blocks are extracted based on the probability of the controlling value of logic gates without any extra control logic. A basic algorithm and a probability-based heuristic algorithm have been developed to implement this method. The steady maximum delay constraint has also been introduced to handle the delay overhead. Experiments on the ISCAS'85 benchmarks show the effectiveness of our algorithms and the effect on the extra delay.
キーワード (和) / / / / / / /  
(英) Power gating / Multi-threshold CMOS (MTCMOS) technology / BDD / Controlling value / Leakage power reduction / / /  
文献情報 信学技報, vol. 108, no. 23, VLD2008-10, pp. 19-24, 2008年5月.
資料番号 VLD2008-10 
発行日 2008-05-02 (VLD) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685    Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
PDFダウンロード VLD2008-10

研究会情報
研究会 VLD IPSJ-SLDM  
開催期間 2008-05-08 - 2008-05-09 
開催地(和) 神戸大学 
開催地(英) Kobe Univ. 
テーマ(和) システム設計および一般 
テーマ(英) System Design, etc. 
講演論文情報の詳細
申込み研究会 VLD 
会議コード 2008-05-VLD-SLDM 
本文の言語 英語(日本語タイトルあり) 
タイトル(和) 制御値に基づく細粒度パワーゲーティング手法 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Fine-Grained Power Gating Based on the Controlling Value of Logic Gates 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) / Power gating  
キーワード(2)(和/英) / Multi-threshold CMOS (MTCMOS) technology  
キーワード(3)(和/英) / BDD  
キーワード(4)(和/英) / Controlling value  
キーワード(5)(和/英) / Leakage power reduction  
キーワード(6)(和/英) /  
キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 陳 磊 / Lei Chen / チン ライ
第1著者 所属(和/英) 早稲田大学 (略称: 早大)
Waseda University (略称: Waseda Univ.)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 堀山 貴史 / Takashi Horiyama / ホリヤマ タカシ
第2著者 所属(和/英) 埼玉大学 (略称: 埼玉大)
Saitama University (略称: Saitama Univ.)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 中村 裕一 / Yuichi Nakamura / ナカムラ ユイチ
第3著者 所属(和/英) 日本電気株式会社 (略称: NEC)
NEC Corporation (略称: NEC)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 木村 晋二 / Shinji Kimura / キムラ シンジ
第4著者 所属(和/英) 早稲田大学 (略称: 早大)
Waseda University (略称: Waseda Univ.)
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講演者 第1著者 
発表日時 2008-05-09 13:30:00 
発表時間 25分 
申込先研究会 VLD 
資料番号 VLD2008-10 
巻番号(vol) vol.108 
号番号(no) no.23 
ページ範囲 pp.19-24 
ページ数
発行日 2008-05-02 (VLD) 


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