講演抄録/キーワード |
講演名 |
2008-04-22 15:10
X帯14W高効率内部整合HFET ○森 一富・西原 淳・内海博三・井上 晃・宮崎守泰(三菱電機) SCE2008-11 MW2008-11 エレソ技報アーカイブへのリンク:SCE2008-11 MW2008-11 |
抄録 |
(和) |
X帯において出力電力14Wの高効率内部整合HFETを開発したので報告する。高効率を実現するために、入出力の整合回路においては、並列合成する各単位FETへの等分配・合成を実現するレイアウト設計を行った。また、各単位FETの出力負荷インピーダンスがほぼ等しく、最適なインピーダンスを実現することを計算で確認した。その結果、不等分配・合成特性による効率の低下は1%以内、出力負荷最適インピーダンスへのミスマッチによる効率の低下は2%以内となる設計結果が得られた。X帯において内部整合HFETを試作し、効率49.8%、出力電力41.6dBm(14.5W)の高効率な特性を実現することができたので報告する。 |
(英) |
An X-Band 14W high efficiency internally-matched HFET has been developed. In order to achieve high efficiency, not only equal combining characteristics but also equal load impedance for each unit FET cell are designed in the input and output matching circuits using EM simulator. In addition to the power splitting and combining characteristics, the large signal load impedance of each FET cell is discussed. The degradation of the efficiency by unequal operation of each FET cell and by mismatch to the optimum load impedance are suppressed within 1% and 2%, respectively in the design. The developed HFET has achieved a power-added efficiency (PAE) of 49.8% and an output power of 41.6dBm(14.5W) in X-band. |
キーワード |
(和) |
マイクロ波 / 増幅器 / FET / 効率 / / / / |
(英) |
Microwave / Amplifier / FET / Efficiency / / / / |
文献情報 |
信学技報, vol. 108, no. 13, MW2008-11, pp. 59-62, 2008年4月. |
資料番号 |
MW2008-11 |
発行日 |
2008-04-15 (SCE, MW) |
ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
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