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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2008-04-18 14:45 TbCoFe/CoFe垂直磁化膜を用いたMRAM素子におけるスピン注入磁化反転の実証 ○中山昌彦・甲斐 正・下村尚治・天野 実・北川英二・永瀬俊彦・吉川将寿・岸 達也・池川純夫・與田博明（東芝）  ICD2008-14 エレソ技報アーカイブへのリンク：ICD2008-14 |
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| 抄録 | （和） | ギガビット級大容量MRAMを実現するには、小さな情報書き込み電流と十分な情報不揮発性を両立させることが必要である。垂直磁化方式を用いたスピン注入型MRAMは、従来の面内磁化方式と比べて、微細化しても十分な不揮発性を確保し、かつ書き込み電流を小さくすることが可能な技術である。しかしながら、これまでに垂直磁化膜を用いた磁気トンネル素子で、スピン注入反転を実証した報告例は存在していなかった。我々は、大きな垂直磁気異方性をもつTbCoFe/CoFeB垂直磁化記録層を用いた磁気トンネル接合素子を試作し、スピン注入反転により安定動作させることに成功した。 |
| （英） | (Not available yet) | |
| キーワード | （和） | MRAM / 垂直磁化 / MTJ / スピン注入 / / / / |
| （英） | MRAM / perpendicular magnetic anisotropy / MTJ / spin transfer / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 108, no. 6, ICD2008-14, pp. 75-78, 2008年4月. | |
| 資料番号 | ICD2008-14 | |
| 発行日 | 2008-04-10 (ICD) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ICD2008-14 エレソ技報アーカイブへのリンク：ICD2008-14 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | ICD |
| 開催期間 | 2008-04-17 - 2008-04-18 |
| 開催地（和） | 機械振興会館 |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | メモリ技術（DRAM、SRAM、フラッシュ、新規メモリー） |
| テーマ（英） | |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | ICD |
| 会議コード | 2008-04-ICD |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | TbCoFe/CoFe垂直磁化膜を用いたMRAM素子におけるスピン注入磁化反転の実証 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Experimental proof of spin transfer switching in MRAM cell using TbCoFe/CoFeB layers with perpendicular magnetic anisotropy |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | MRAM / MRAM |
| キーワード(2)（和/英） | 垂直磁化 / perpendicular magnetic anisotropy |
| キーワード(3)（和/英） | MTJ / MTJ |
| キーワード(4)（和/英） | スピン注入 / spin transfer |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 中山 昌彦 / Masahiko Nakayama / ナカヤマ マサヒコ |
| 第1著者 所属（和/英） | (株）東芝 研究開発センター (略称： 東芝) R&D Center, Toshiba Corporation (略称： R&D Center, Toshiba Corp.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 甲斐 正 / Tadashi Kai / カイ タダシ |
| 第2著者 所属（和/英） | (株）東芝 研究開発センター (略称： 東芝) R&D Center, Toshiba Corporation (略称： R&D Center, Toshiba Corp.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 下村 尚治 / Naoharu Shimomura / シモムラ ナオハル |
| 第3著者 所属（和/英） | (株）東芝 研究開発センター (略称： 東芝) R&D Center, Toshiba Corporation (略称： R&D Center, Toshiba Corp.) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 天野 実 / Minoru Amano / アマノ ミノル |
| 第4著者 所属（和/英） | (株）東芝 研究開発センター (略称： 東芝) R&D Center, Toshiba Corporation (略称： R&D Center, Toshiba Corp.) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 北川 英二 / Eiji Kitagawa / キタガワ エイジ |
| 第5著者 所属（和/英） | (株）東芝 研究開発センター (略称： 東芝) R&D Center, Toshiba Corporation (略称： R&D Center, Toshiba Corp.) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） | 永瀬 俊彦 / Toshihiko Nagase / ナガセ トシヒコ |
| 第6著者 所属（和/英） | (株）東芝 研究開発センター (略称： 東芝) R&D Center, Toshiba Corporation (略称： R&D Center, Toshiba Corp.) |
| 第7著者 氏名（和/英/ヨミ） | 吉川 将寿 / Masatoshi Yoshikawa / ヨシカワ マサトシ |
| 第7著者 所属（和/英） | (株）東芝 研究開発センター (略称： 東芝) R&D Center, Toshiba Corporation (略称： R&D Center, Toshiba Corp.) |
| 第8著者 氏名（和/英/ヨミ） | 岸 達也 / Tatsuya Kishi / キシ タツヤ |
| 第8著者 所属（和/英） | (株）東芝 研究開発センター (略称： 東芝) R&D Center, Toshiba Corporation (略称： R&D Center, Toshiba Corp.) |
| 第9著者 氏名（和/英/ヨミ） | 池川 純夫 / Sumio Ikegawa / イケガワ スミオ |
| 第9著者 所属（和/英） | (株）東芝 研究開発センター (略称： 東芝) R&D Center, Toshiba Corporation (略称： R&D Center, Toshiba Corp.) |
| 第10著者 氏名（和/英/ヨミ） | 與田 博明 / Hiroaki Yoda / ヨダ ヒロアキ |
| 第10著者 所属（和/英） | (株）東芝 研究開発センター (略称： 東芝) R&D Center, Toshiba Corporation (略称： R&D Center, Toshiba Corp.) |
| 第11著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
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| 第18著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2008-04-18 14:45:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | ICD |
| 資料番号 | ICD2008-14 |
| 巻番号（vol） | vol.108 |
| 号番号（no） | no.6 |
| ページ範囲 | pp.75-78 |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2008-04-10 (ICD) |
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