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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2008-04-18 10:00 2ポートアンチヒューズセルを格子状に配置した65nm Pure CMOSプロセスで搭載可能なOne-time Programmableメモリ ○松藤謙介・行川敏正・中野浩明・伊藤 洋・和田 修・大塚伸朗（東芝）  ICD2008-8 エレソ技報アーカイブへのリンク：ICD2008-8 |
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| 抄録 | （和） | アンチヒューズを用いたPure CMOSプロセスで搭載可能なOne-time Programmable(PCOP）メモリを開発した. このPCOPメモリでは,メモリセルを格子状に配置することで大容量化を実現した.また,2ポートアンチヒューズセルを採用することで,書き込み特性および読み出し特性の最適化,ライトディスターブの防止,疑似"1"読み出しテスト動作が可能となった.今回65nm Pure CMOS ロジックプロセスで作成した8Kビットマクロのサイズは0.244mm2,メモリセルサイズは15.3um2である. |
| （英） | A Pure CMOS One-time Programmable（PCOP）memory using an antifuse is presented. PCOP memory adopts two-port cell architecture implemented in a matrix structure. This architecture achieves optimization of performance both for programming and reading. Furthermore, it solves the write disturb problem and realizes pseudo “1” read test. An 8Kbit macro is developed utilizing a 65nm pure CMOS logic technology. The cell area and the macro size are 15.3m2 and 0.244mm2, respectively. | |
| キーワード | （和） | アンチヒューズ / ワンタイムプログラマブル / 酸化膜破壊 / ライトディスターブ / 擬似"1"読み出しテスト / / / |
| （英） | antifuse / one-time programmable / gate-oxide breakdown / write disturb / pseudo "1" read test / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 108, no. 6, ICD2008-8, pp. 39-44, 2008年4月. | |
| 資料番号 | ICD2008-8 | |
| 発行日 | 2008-04-10 (ICD) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ICD2008-8 エレソ技報アーカイブへのリンク：ICD2008-8 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | ICD |
| 開催期間 | 2008-04-17 - 2008-04-18 |
| 開催地（和） | 機械振興会館 |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | メモリ技術（DRAM、SRAM、フラッシュ、新規メモリー） |
| テーマ（英） | |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | ICD |
| 会議コード | 2008-04-ICD |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 2ポートアンチヒューズセルを格子状に配置した65nm Pure CMOSプロセスで搭載可能なOne-time Programmableメモリ |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | A 65nm Pure CMOS One-time Programmable Memory Using a Two-Port Antifuse Cell Implemented in a Matrix Structure |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | アンチヒューズ / antifuse |
| キーワード(2)（和/英） | ワンタイムプログラマブル / one-time programmable |
| キーワード(3)（和/英） | 酸化膜破壊 / gate-oxide breakdown |
| キーワード(4)（和/英） | ライトディスターブ / write disturb |
| キーワード(5)（和/英） | 擬似"1"読み出しテスト / pseudo "1" read test |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 松藤 謙介 / Kensuke Matsufuji / マツフジ ケンスケ |
| 第1著者 所属（和/英） | 株式会社東芝 (略称： 東芝) Toshiba Corporation (略称： Toshiba) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 行川 敏正 / Toshimasa Namekawa / ナメカワ トシマサ |
| 第2著者 所属（和/英） | 株式会社東芝 (略称： 東芝) Toshiba Corporation (略称： Toshiba) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 中野 浩明 / Hiroaki Nakano / ナカノ ヒロアキ |
| 第3著者 所属（和/英） | 株式会社東芝 (略称： 東芝) Toshiba Corporation (略称： Toshiba) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 伊藤 洋 / Hiroshi Ito / イトウ ヒロシ |
| 第4著者 所属（和/英） | 株式会社東芝 (略称： 東芝) Toshiba Corporation (略称： Toshiba) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 和田 修 / Osamu Wada / ワダ オサム |
| 第5著者 所属（和/英） | 株式会社東芝 (略称： 東芝) Toshiba Corporation (略称： Toshiba) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） | 大塚 伸朗 / Nobuaki Otsuka / オオツカ ノブアキ |
| 第6著者 所属（和/英） | 株式会社東芝 (略称： 東芝) Toshiba Corporation (略称： Toshiba) |
| 第7著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
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| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2008-04-18 10:00:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | ICD |
| 資料番号 | ICD2008-8 |
| 巻番号（vol） | vol.108 |
| 号番号（no） | no.6 |
| ページ範囲 | pp.39-44 |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2008-04-10 (ICD) |
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