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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2008-04-17 15:20 ［パネル討論］大容量フラッシュメモリの可能性を探る ～ 進行するフラッシュ革命のインパクト ～ ○梶谷一彦（エルピーダメモリ）・篠崎直治（Spansion）・柿原俊男（日立グローバルストレージテクノロジーズ）・神田和重（東芝）・小林三千夫（Spansion）・佐圓 真（日立）・杉林直彦（NEC）・竹内 健（東大）・塚澤寿夫（東芝）  ICD2008-7 エレソ技報アーカイブへのリンク：ICD2008-7 |
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| 抄録 | （和） | 今やフラッシュメモリはDRAMに代わって半導体微細加工技術を牽引し、その結果得られたビットコストの低減と、大規模な投資により市場拡大にまい進中である。一方、サブ50nm時代を迎えその技術的なハードルは高まり、これを打開する新技術の開発が急務となっている。さらに、新しい市場に受け入れられるためには、コントローラを含めた周辺技術の重要性もますます高まっている。 本パネルではこのような状況を背景に、大容量フラッシュメモリの可能性を探るべく、以下のキーワードを中心に討論を行う。 |
| （英） | Flash-memory is now the driving force for the semiconductor process technology and trying to expand its new market with the advantage of its low bit-cost and flash-memory maker’s large investment. On the other hand, innovative technologies are needed to over come difficulties in the sub-50nm era. Furthermore related technologies such as flash-controllers become important to be accepted in the new market. Under this background, we will discuss the potential of the future flash-memory based on the following keywords. |
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| キーワード | （和） | SSD / フラッシュコントローラ / フラッシュメモリ / メモリサブシステム / メモリ階層 / / / |
| （英） | flash-controller / flash-memory / memory-hierarchy / memory-subsystem / SSD / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 108, no. 6, ICD2008-7, pp. 37-38, 2008年4月. | |
| 資料番号 | ICD2008-7 | |
| 発行日 | 2008-04-10 (ICD) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ICD2008-7 エレソ技報アーカイブへのリンク：ICD2008-7 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | ICD |
| 開催期間 | 2008-04-17 - 2008-04-18 |
| 開催地（和） | 機械振興会館 |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | メモリ技術（DRAM、SRAM、フラッシュ、新規メモリー） |
| テーマ（英） | |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | ICD |
| 会議コード | 2008-04-ICD |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 大容量フラッシュメモリの可能性を探る |
| サブタイトル（和） | 進行するフラッシュ革命のインパクト |
| タイトル（英） | Probing into the Potential of the Future Flash |
| サブタイトル（英） | An Impact of Flash Revolution |
| キーワード(1)（和/英） | SSD / flash-controller |
| キーワード(2)（和/英） | フラッシュコントローラ / flash-memory |
| キーワード(3)（和/英） | フラッシュメモリ / memory-hierarchy |
| キーワード(4)（和/英） | メモリサブシステム / memory-subsystem |
| キーワード(5)（和/英） | メモリ階層 / SSD |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 梶谷 一彦 / Kazuhiko Kajigaya / カジガヤ カズヒコ |
| 第1著者 所属（和/英） | エルピーダメモリ (略称： エルピーダメモリ) Elpida Memory (略称： Elpida) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 篠崎 直治 / Naoharu Shinozaki / シノザキ ナオハル |
| 第2著者 所属（和/英） | Spansion (略称： Spansion) Spansion (略称： Spansion) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 柿原 俊男 / Toshio Kakihara / カキハラ トシオ |
| 第3著者 所属（和/英） | HGST (略称： 日立グローバルストレージテクノロジーズ) HGST (略称： HGST) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 神田 和重 / Kazushige Kanda / カンダ カズシゲ |
| 第4著者 所属（和/英） | 東芝 (略称： 東芝) Toshiba (略称： Toshiba) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 小林 三千夫 / Michio Kobayashi / コバヤシ ミチオ |
| 第5著者 所属（和/英） | Spansion (略称： Spansion) Spansion (略称： Spansion) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） | 佐圓 真 / Makoto Saen / サエン マコト |
| 第6著者 所属（和/英） | 日立 (略称： 日立) Hitachi (略称： Hitachi) |
| 第7著者 氏名（和/英/ヨミ） | 杉林 直彦 / Tadahiko Sugibayashi / スギバヤシ タダヒコ |
| 第7著者 所属（和/英） | NEC (略称： NEC) NEC (略称： NEC) |
| 第8著者 氏名（和/英/ヨミ） | 竹内 健 / Ken Takeuchi / タケウチ ケン |
| 第8著者 所属（和/英） | 東京大学 (略称： 東大) Tokyo university (略称： Tokyo Univ.) |
| 第9著者 氏名（和/英/ヨミ） | 塚澤 寿夫 / Hisao Tsukazawa / ツカザワ ヒサオ |
| 第9著者 所属（和/英） | 東芝 (略称： 東芝) Toshiba (略称： Toshiba) |
| 第10著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第10著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第11著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
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| 第17著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
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| 第18著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2008-04-17 15:20:00 |
| 発表時間 | 100分 |
| 申込先研究会 | ICD |
| 資料番号 | ICD2008-7 |
| 巻番号（vol） | vol.108 |
| 号番号（no） | no.6 |
| ページ範囲 | pp.37-38 |
| ページ数 | 2 |
| 発行日 | 2008-04-10 (ICD) |
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