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講演抄録/キーワード
講演名 2008-04-17 10:15
[招待講演]NMOSおよびPMOSの基板バイアスを個別制御した65nm SRAM
山岡雅直日立)・前田徳章島崎靖久ルネサステクノロジ)・長田健一日立ICD2008-2 エレソ技報アーカイブへのリンク:ICD2008-2
抄録 (和) NMOSとPMOSの基板バイアスを個別制御するSRAMモジュールを提案した。このSRAMモジュールでは、メモリセルのリーク電流制御回路を用いて、SRAMメモリセル中のリーク電流をNMOSとPMOSに分解し、それぞれのVth 測定を可能とした。提案したSRAMモジュールを65nm LPプロセスで0.51μm2 のSRAMセルを用いて試作し、3σ のシステマティックばらつきを考慮しても1.0V で動作することを確認した。 
(英) A 1Mb SRAM is fabricated in 65nm LP process with 0.51μm2 cell. An NMOS and PMOS separately applied body bias technique and NMOS and PMOS individual Vth measurement method using leakage control are implemented to the prototype chip, which achieves 1.0-V operation under 3-σ systematic Vth variation.
キーワード (和) 低電力SRAM / 基板バイアス / Vth測定 / / / / /  
(英) low-power SRAM / body bias / Vth measurement / / / / /  
文献情報 信学技報, vol. 108, no. 6, ICD2008-2, pp. 7-12, 2008年4月.
資料番号 ICD2008-2 
発行日 2008-04-10 (ICD) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685    Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
PDFダウンロード ICD2008-2 エレソ技報アーカイブへのリンク:ICD2008-2

研究会情報
研究会 ICD  
開催期間 2008-04-17 - 2008-04-18 
開催地(和) 機械振興会館 
開催地(英)  
テーマ(和) メモリ技術(DRAM、SRAM、フラッシュ、新規メモリー) 
テーマ(英)  
講演論文情報の詳細
申込み研究会 ICD 
会議コード 2008-04-ICD 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) NMOSおよびPMOSの基板バイアスを個別制御した65nm SRAM 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) 65nm Low-Power High-Density SRAM Operable at 1.0V under 3sigma Systematic Variation Using Separate Vth Monitoring and Body Bias for NMOS and PMOS 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) 低電力SRAM / low-power SRAM  
キーワード(2)(和/英) 基板バイアス / body bias  
キーワード(3)(和/英) Vth測定 / Vth measurement  
キーワード(4)(和/英) /  
キーワード(5)(和/英) /  
キーワード(6)(和/英) /  
キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 山岡 雅直 / Masanao Yamaoka / ヤマオカ マサナオ
第1著者 所属(和/英) 日立製作所 (略称: 日立)
Hitachi, Ltd. (略称: Hitachi, Ltd.)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 前田 徳章 / Noriaki Maeda / マエダ ノリアキ
第2著者 所属(和/英) ルネサス テクノロジ (略称: ルネサステクノロジ)
Renesas Technology Corp. (略称: Renesas)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 島崎 靖久 / Yasuhisa Shimazaki / シマザキ ヤスヒサ
第3著者 所属(和/英) ルネサス テクノロジ (略称: ルネサステクノロジ)
Renesas Technology Corp. (略称: Renesas)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 長田 健一 / Kenichi Osada / オサダ ケンイチ
第4著者 所属(和/英) 日立製作所 (略称: 日立)
Hitachi, Ltd. (略称: Hitachi, Ltd.)
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講演者 第1著者 
発表日時 2008-04-17 10:15:00 
発表時間 50分 
申込先研究会 ICD 
資料番号 ICD2008-2 
巻番号(vol) vol.108 
号番号(no) no.6 
ページ範囲 pp.7-12 
ページ数
発行日 2008-04-10 (ICD) 


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