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講演抄録/キーワード
講演名 2008-04-17 13:05
[招待講演]コンシューマエレクトロニクス向け混載DRAM技術
白井浩樹石川亮佑伊藤雄一北村卓也竹内麻美佐甲 隆井上 顕川崎 澄勝木信幸星崎博之桑原愼一夏目秀隆坂尾眞人谷川高穂NECエレクトロニクスエレソ技報アーカイブへのリンク:ICD2008-4
抄録 (和) コンシューマエレクトロニクス向け混載DRAM デバイス技術について報告する。我々は150nm 世代より低消費電力かつ高速アクセス性能を持つ混載DRAM を実現するために「Full Metal DRAM」技術と呼ぶセル技術を導入した。本技術の特徴はセルの寄生抵抗を低減できることと、標準CMOS ロジック性能との完全互換性が得られることである。90nm 世代からは、High-k 容量絶縁膜(ZrO2)技術を導入して、セルサイズの縮小を図り、さらに55nm 世代以降、High-k ゲート絶縁膜(HfSiON)技術を導入することによりデバイススケーリングと性能向上を行った。 
(英) This paper presents embedded DRAM device technology utilizing stacked MIM(Metal-Insulator-Metal) capacitor. Targeted for high random-access performance as well as low-power data-streaming applications, original structure named “Full Metal DRAM” has been devised and implemented from 150nm generation. This features reduced parasitic resistance of DRAM cell and fully-compatible CMOS Trs. characteristics with that of leading-edge CMOS. In 90nm generation, ZrO2 is introduced as capacitor dielectric material for cell size reduction. For the next generation of 55nm and beyond, high-k gate dielectric (HfSiON) has been introduced in CMOS platform, which can be effectively exploited for embedded DRAM scaling and performance improvement.
キーワード (和) 混載DRAM / MIM容量 / High-k / ZrO2 / HfSiON / / /  
(英) embedded DRAM / MIM Capacitor / High-k / ZrO2 / HfSiON / / /  
文献情報 信学技報, vol. 108, no. 6, ICD2008-4, pp. 19-24, 2008年4月.
資料番号 ICD2008-4 
発行日 2008-04-10 (ICD) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685  Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
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研究会情報
研究会 ICD  
開催期間 2008-04-17 - 2008-04-18 
開催地(和) 機械振興会館 
開催地(英)  
テーマ(和) メモリ技術(DRAM、SRAM、フラッシュ、新規メモリー) 
テーマ(英)  
講演論文情報の詳細
申込み研究会 ICD 
会議コード 2008-04-ICD 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) コンシューマエレクトロニクス向け混載DRAM技術 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Embedded DRAM Technology for Consumer Electronics 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) 混載DRAM / embedded DRAM  
キーワード(2)(和/英) MIM容量 / MIM Capacitor  
キーワード(3)(和/英) High-k / High-k  
キーワード(4)(和/英) ZrO2 / ZrO2  
キーワード(5)(和/英) HfSiON / HfSiON  
キーワード(6)(和/英) /  
キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 白井 浩樹 / Hiroki Shirai / シライ ヒロキ
第1著者 所属(和/英) NECエレクトロニクス株式会社 (略称: NECエレクトロニクス)
NEC Electronics Corporation (略称: NEC Electronics)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 石川 亮佑 / Ryousuke Ishikawa / イシカワ リョウスケ
第2著者 所属(和/英) NECエレクトロニクス株式会社 (略称: NECエレクトロニクス)
NEC Electronics Corporation (略称: NEC Electronics)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 伊藤 雄一 / Yuichi Itoh / イトウ ユウイチ
第3著者 所属(和/英) NECエレクトロニクス株式会社 (略称: NECエレクトロニクス)
NEC Electronics Corporation (略称: NEC Electronics)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 北村 卓也 / Takuya Kitamura / キタムラ タクヤ
第4著者 所属(和/英) NECエレクトロニクス株式会社 (略称: NECエレクトロニクス)
NEC Electronics Corporation (略称: NEC Electronics)
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) 竹内 麻美 / Mami Takeuchi / タケウチ マミ
第5著者 所属(和/英) NECエレクトロニクス株式会社 (略称: NECエレクトロニクス)
NEC Electronics Corporation (略称: NEC Electronics)
第6著者 氏名(和/英/ヨミ) 佐甲 隆 / Takashi Sakoh / サコウ タカシ
第6著者 所属(和/英) NECエレクトロニクス株式会社 (略称: NECエレクトロニクス)
NEC Electronics Corporation (略称: NEC Electronics)
第7著者 氏名(和/英/ヨミ) 井上 顕 / Ken Inoue / イノウエ ケン
第7著者 所属(和/英) NECエレクトロニクス株式会社 (略称: NECエレクトロニクス)
NEC Electronics Corporation (略称: NEC Electronics)
第8著者 氏名(和/英/ヨミ) 川崎 澄 / Tohru Kawasaki / カワサキ トオル
第8著者 所属(和/英) NECエレクトロニクス株式会社 (略称: NECエレクトロニクス)
NEC Electronics Corporation (略称: NEC Electronics)
第9著者 氏名(和/英/ヨミ) 勝木 信幸 / Nobuyuki Katsuki / カツキ ノブユキ
第9著者 所属(和/英) NECエレクトロニクス株式会社 (略称: NECエレクトロニクス)
NEC Electronics Corporation (略称: NEC Electronics)
第10著者 氏名(和/英/ヨミ) 星崎 博之 / Hiroyuki Hoshizaki / ホシザキ ヒロユキ
第10著者 所属(和/英) NECエレクトロニクス株式会社 (略称: NECエレクトロニクス)
NEC Electronics Corporation (略称: NEC Electronics)
第11著者 氏名(和/英/ヨミ) 桑原 愼一 / Shinichi Kuwabara / クラバラ シンイチ
第11著者 所属(和/英) NECエレクトロニクス株式会社 (略称: NECエレクトロニクス)
NEC Electronics Corporation (略称: NEC Electronics)
第12著者 氏名(和/英/ヨミ) 夏目 秀隆 / Hidetaka Natsume / ナツメ ヒデタカ
第12著者 所属(和/英) NECエレクトロニクス株式会社 (略称: NECエレクトロニクス)
NEC Electronics Corporation (略称: NEC Electronics)
第13著者 氏名(和/英/ヨミ) 坂尾 眞人 / Masato Sakao / サカオ マサト
第13著者 所属(和/英) NECエレクトロニクス株式会社 (略称: NECエレクトロニクス)
NEC Electronics Corporation (略称: NEC Electronics)
第14著者 氏名(和/英/ヨミ) 谷川 高穂 / Takaho Tanigawa / タニガワ タカホ
第14著者 所属(和/英) NECエレクトロニクス株式会社 (略称: NECエレクトロニクス)
NEC Electronics Corporation (略称: NEC Electronics)
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講演者
発表日時 2008-04-17 13:05:00 
発表時間 50 
申込先研究会 ICD 
資料番号 IEICE-ICD2008-4 
巻番号(vol) IEICE-108 
号番号(no) no.6 
ページ範囲 pp.19-24 
ページ数 IEICE-6 
発行日 IEICE-ICD-2008-04-10 


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