| 電子情報通信学会 研究会発表申込システム 講演論文 詳細 |
技報閲覧サービス [ログイン] 技報アーカイブ |
| トップに戻る | 前のページに戻る | [Japanese] / [English] |
| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2008-04-12 11:00 AIC法による低温多結晶シリコン薄膜形成挙動の微細構造解析 ○池田賢一（九大）・廣田 健（三菱重工）・藤本健資（九大）・杉本陽平（セイコーエプソン）・高田尚記（東工大）・井 誠一郎（崇城大）・中島英治・中島 寛（九大）  SDM2008-19 OME2008-19 エレソ技報アーカイブへのリンク：SDM2008-19 OME2008-19 |
|
| 抄録 | （和） | アルミニウム誘起結晶化法（AIC法）により形成された多結晶シリコン（Si）薄膜の形成挙動を透過電子顕微鏡（TEM）内その場加熱観察法等の微細構造解析手法により調査した．走査透過電子顕微鏡（STEM）を用いたエネルギー分散型X線分光法（EDS）分析により，400℃で10時間の熱処理でアモルファスSi（a-Si）とAlが完全に層交換することが確認できた．さらに，200℃での熱処理途中段階でのTEM内その場加熱観察ならびにEDS線分析により，SiとAlが各層内に共存することを明らかにできた．これらの結果より，AICによるa-Siの結晶化はSiの非平衡状態でのAlとの固溶を経由して起こると考えられる． |
| （英） | The formation behavior of polycrystalline silicon thin films during the aluminum induced crystallization (AIC) was investigated by in-situ heating transmission electron microscopy (TEM). The electron dispersive X-ray spectroscopy (EDS) analysis of annealed sample was showed that layer exchange of the a-Si/Al film is occurred during the annealing. Furthermore, from the in-situ heating TEM observation and EDS analysis of as-deposited sample, it was confirmed the co-existence of Si and Al in a-Si/Al film. The mechanism of AIC and layer exchange were discussed from the experimental results and the phase diagram of Al-Si system. | |
| キーワード | （和） | AIC / 多結晶Si / TEM / その場加熱観察 / STEM-EDS / / / |
| （英） | AIC / Polycrystalline Si / TEM / In-situ heating observation / STEM-EDS / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 108, no. 1, SDM2008-19, pp. 95-100, 2008年4月. | |
| 資料番号 | SDM2008-19 | |
| 発行日 | 2008-04-04 (SDM, OME) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | SDM2008-19 OME2008-19 エレソ技報アーカイブへのリンク：SDM2008-19 OME2008-19 |
|
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM OME |
| 開催期間 | 2008-04-11 - 2008-04-12 |
| 開催地（和） | 沖縄県青年会館 |
| 開催地（英） | Okinawa Seinen Kaikan |
| テーマ（和） | TFTの材料・デバイス技術・応用および一般 |
| テーマ（英） | TFT Materials, Devices, and Applications and Others related to SDM and OME activity |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | SDM |
| 会議コード | 2008-04-SDM-OME |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | AIC法による低温多結晶シリコン薄膜形成挙動の微細構造解析 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Microstructural Analysis of Polycrystalline Silicon Thin Films Formation Behavior during Aluminum Induced Crystallization |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | AIC / AIC |
| キーワード(2)（和/英） | 多結晶Si / Polycrystalline Si |
| キーワード(3)（和/英） | TEM / TEM |
| キーワード(4)（和/英） | その場加熱観察 / In-situ heating observation |
| キーワード(5)（和/英） | STEM-EDS / STEM-EDS |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 池田 賢一 / Ken-ichi Ikeda / イケダ ケンイチ |
| 第1著者 所属（和/英） | 九州大学 (略称： 九大) Kyushu University (略称： Kyushu Univ.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 廣田 健 / Takeshi Hirota / ヒロタ タケシ |
| 第2著者 所属（和/英） | 三菱重工業株式会社 (略称： 三菱重工) Mitsubishi Heavy Industries Ltd. (略称： Mitsubishi Heavy Industries Ltd.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 藤本 健資 / Kensuke Fujimoto / フジモト ケンスケ |
| 第3著者 所属（和/英） | 九州大学 (略称： 九大) Kyushu University (略称： Kyushu Univ.) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 杉本 陽平 / Youhei Sugimoto / スギモト ヨウヘイ |
| 第4著者 所属（和/英） | セイコーエプソン株式会社 (略称： セイコーエプソン) Seiko Epson Corp. (略称： Seiko Epson Corp.) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 高田 尚記 / Naoki Takata / タカタ ナオキ |
| 第5著者 所属（和/英） | 東京工業大学 (略称： 東工大) Tokyo Institute of Technology (略称： Tokyo Inst. Tech.) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） | 井 誠一郎 / Seiichiro Ii / イイ セイイチロウ |
| 第6著者 所属（和/英） | 崇城大学 (略称： 崇城大) Sojo University (略称： Sojo Univ.) |
| 第7著者 氏名（和/英/ヨミ） | 中島 英治 / Hideharu Nakashima / ナカシマ ヒデハル |
| 第7著者 所属（和/英） | 九州大学 (略称： 九大) Kyushu University (略称： Kyushu Univ.) |
| 第8著者 氏名（和/英/ヨミ） | 中島 寛 / Hiroshi Nakashima / ナカシマ ヒロシ |
| 第8著者 所属（和/英） | 九州大学 (略称： 九大) Kyushu University (略称： Kyushu Univ.) |
| 第9著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第9著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第10著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第10著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第11著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第11著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第12著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第12著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第13著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第13著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第14著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第14著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第15著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第15著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第16著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第16著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第17著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第17著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第18著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第18著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2008-04-12 11:00:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | SDM |
| 資料番号 | SDM2008-19, OME2008-19 |
| 巻番号（vol） | vol.108 |
| 号番号（no） | no.1(SDM), no.2(OME) |
| ページ範囲 | pp.95-100 |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2008-04-04 (SDM, OME) |
[研究会発表申込システムのトップページに戻る]