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講演抄録/キーワード
講演名 2008-04-11 14:05
Ga2o3-In2O3-Zno(GIZO)薄膜を用いた薄膜トランジスタの劣化
藤井茉美矢野裕司畑山智亮浦岡行治冬木 隆奈良先端大)・Ji Sim JungJang Yeon Kwonサムスン総合技術院SDM2008-10 OME2008-10 エレソ技報アーカイブへのリンク:SDM2008-10 OME2008-10
抄録 (和) 我々は、DCストレス下におけるGa2O3-In2O3-ZnO(GIZO)薄膜トランジスタの劣化について調査した。正のゲートバイアスストレスにおいて、しきい値電圧はゲート電圧とゲートサイズに依存して顕著にシフトする。しかし、S値および電界効果移動度に変化は見られなかった。発熱解析の結果、ドレイン電流によるジュール発熱が観測された。注目すべきは、このモードがドレイン電圧およびドレイン電流によって影響を受けない点である。さらにこの劣化は、ストレス終了後に熱処理や電気的ストレス無しで回復した。これらの結果から、酸化物半導体特有の広いバンドギャップ中で、浅い準位のトラップが生成されているためと考えた。 
(英) We have investigated a degradation of Ga2O3-In2O3-ZnO(GIZO)thin film transistor under DC stress. For a positive gate bias stress, remarkable threshold voltage shift was observed depending on gate voltage or gate size. Large gate voltage and large gate size enhanced the threshold voltage shift. However, no degradation was observed in S parameters or field effect mobility. Noticeable was that this mode was not affected by drain bias or drain current. Furthermore, this degradation was recovered just after removing the stress without thermal heating or electrical stress. We proposed new electron traps generated at low energy level in wide band gap which is peculiar in oxide semiconductors such as ZnO.
キーワード (和) 薄膜トランジスタ / Ga2O3-In2O3-ZnO / 信頼性 / 劣化 / しきい値電圧 / 回復 / /  
(英) thin film transistor / Ga2O3-In2O3-ZnO / reliability / degradation / threshold voltage stress / recovery / /  
文献情報 信学技報, vol. 108, no. 1, SDM2008-10, pp. 47-50, 2008年4月.
資料番号 SDM2008-10 
発行日 2008-04-04 (SDM, OME) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685    Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
PDFダウンロード SDM2008-10 OME2008-10 エレソ技報アーカイブへのリンク:SDM2008-10 OME2008-10

研究会情報
研究会 SDM OME  
開催期間 2008-04-11 - 2008-04-12 
開催地(和) 沖縄県青年会館 
開催地(英) Okinawa Seinen Kaikan 
テーマ(和) TFTの材料・デバイス技術・応用および一般 
テーマ(英) TFT Materials, Devices, and Applications and Others related to SDM and OME activity 
講演論文情報の詳細
申込み研究会 SDM 
会議コード 2008-04-SDM-OME 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) Ga2o3-In2O3-Zno(GIZO)薄膜を用いた薄膜トランジスタの劣化 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Degradation of Ga2o3-In2O3-Zno(GIZO) Thin Film Transistors 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) 薄膜トランジスタ / thin film transistor  
キーワード(2)(和/英) Ga2O3-In2O3-ZnO / Ga2O3-In2O3-ZnO  
キーワード(3)(和/英) 信頼性 / reliability  
キーワード(4)(和/英) 劣化 / degradation  
キーワード(5)(和/英) しきい値電圧 / threshold voltage stress  
キーワード(6)(和/英) 回復 / recovery  
キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 藤井 茉美 / Mami Fujii / フジイ マミ
第1著者 所属(和/英) 奈良先端科学技術大学院大学 (略称: 奈良先端大)
Nara Institute of Science and Technology (略称: NAIST)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 矢野 裕司 / Hiroshi Yano / ヤノ ヒロシ
第2著者 所属(和/英) 奈良先端科学技術大学院大学 (略称: 奈良先端大)
Nara Institute of Science and Technology (略称: NAIST)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 畑山 智亮 / Tomoaki Hatayama / ハタヤマ トモアキ
第3著者 所属(和/英) 奈良先端科学技術大学院大学 (略称: 奈良先端大)
Nara Institute of Science and Technology (略称: NAIST)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 浦岡 行治 / Yukiharu Uraoka / ウラオカ ユキハル
第4著者 所属(和/英) 奈良先端科学技術大学院大学 (略称: 奈良先端大)
Nara Institute of Science and Technology (略称: NAIST)
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) 冬木 隆 / Takashi Fuyuki / フユキ タカシ
第5著者 所属(和/英) 奈良先端科学技術大学院大学 (略称: 奈良先端大)
Nara Institute of Science and Technology (略称: NAIST)
第6著者 氏名(和/英/ヨミ) Ji Sim Jung / Ji Sim Jung /
第6著者 所属(和/英) サムスン総合技術院 (略称: サムスン総合技術院)
Sumsung Advenced Institute of Technology (略称: Sumsung Advenced Institute of Technology)
第7著者 氏名(和/英/ヨミ) Jang Yeon Kwon / Jang Yeon Kwon /
第7著者 所属(和/英) サムスン総合技術院 (略称: サムスン総合技術院)
Sumsung Advenced Institute of Technology (略称: Sumsung Advenced Institute of Technology)
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講演者 第1著者 
発表日時 2008-04-11 14:05:00 
発表時間 25分 
申込先研究会 SDM 
資料番号 SDM2008-10, OME2008-10 
巻番号(vol) vol.108 
号番号(no) no.1(SDM), no.2(OME) 
ページ範囲 pp.47-50 
ページ数
発行日 2008-04-04 (SDM, OME) 


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