講演抄録/キーワード |
講演名 |
2008-04-11 14:05
Ga2o3-In2O3-Zno(GIZO)薄膜を用いた薄膜トランジスタの劣化 ○藤井茉美・矢野裕司・畑山智亮・浦岡行治・冬木 隆(奈良先端大)・Ji Sim Jung・Jang Yeon Kwon(サムスン総合技術院) SDM2008-10 OME2008-10 エレソ技報アーカイブへのリンク:SDM2008-10 OME2008-10 |
抄録 |
(和) |
我々は、DCストレス下におけるGa2O3-In2O3-ZnO(GIZO)薄膜トランジスタの劣化について調査した。正のゲートバイアスストレスにおいて、しきい値電圧はゲート電圧とゲートサイズに依存して顕著にシフトする。しかし、S値および電界効果移動度に変化は見られなかった。発熱解析の結果、ドレイン電流によるジュール発熱が観測された。注目すべきは、このモードがドレイン電圧およびドレイン電流によって影響を受けない点である。さらにこの劣化は、ストレス終了後に熱処理や電気的ストレス無しで回復した。これらの結果から、酸化物半導体特有の広いバンドギャップ中で、浅い準位のトラップが生成されているためと考えた。 |
(英) |
We have investigated a degradation of Ga2O3-In2O3-ZnO(GIZO)thin film transistor under DC stress. For a positive gate bias stress, remarkable threshold voltage shift was observed depending on gate voltage or gate size. Large gate voltage and large gate size enhanced the threshold voltage shift. However, no degradation was observed in S parameters or field effect mobility. Noticeable was that this mode was not affected by drain bias or drain current. Furthermore, this degradation was recovered just after removing the stress without thermal heating or electrical stress. We proposed new electron traps generated at low energy level in wide band gap which is peculiar in oxide semiconductors such as ZnO. |
キーワード |
(和) |
薄膜トランジスタ / Ga2O3-In2O3-ZnO / 信頼性 / 劣化 / しきい値電圧 / 回復 / / |
(英) |
thin film transistor / Ga2O3-In2O3-ZnO / reliability / degradation / threshold voltage stress / recovery / / |
文献情報 |
信学技報, vol. 108, no. 1, SDM2008-10, pp. 47-50, 2008年4月. |
資料番号 |
SDM2008-10 |
発行日 |
2008-04-04 (SDM, OME) |
ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
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