電子情報通信学会 研究会発表申込システム
講演論文 詳細
技報閲覧サービス
技報オンライン
‥‥ (ESS/通ソ/エレソ/ISS)
技報アーカイブ
‥‥ (エレソ/通ソ)
 トップに戻る 前のページに戻る   [Japanese] / [English] 

講演抄録/キーワード
講演名 2008-04-11 11:50
Si系薄膜光センサデバイス
田井光春昆野康隆波多野睦子日立)・宮沢敏夫日立ディスプレイズSDM2008-7 OME2008-7 エレソ技報アーカイブへのリンク:SDM2008-7 OME2008-7
抄録 (和) ディスプレイへの機能付加を目的として,薄膜トランジスタの光誘起電流特性を調べ,光センサ素子としての適用可能性を検討した.a-Si TFTとpoly-Si TFTの光誘起電流を評価し,同程度の素子スケールでは,出力値はpoly-Si TFTの方が20倍以上高くなる一方で,S/N比はa-Si TFTの方が30倍程度良好であることが判った.また相対感度の波長依存性から,a-Si TFTの方が,標準比視感度に対する整合性が良いことが判った.加えてpoly-Si TFTのS/N比向上を目的として,オフセット構造TFTを検討し,S/N比を約6倍改善することで,poly-Si PIN型ダイオードに近い出力特性が得られることを確認した. 
(英) In order to integrate new functions into display panel, thin-film transistor is considered as photo-sensor device, and its photo-induced current is investigated. While the value of photo-induced current in poly-Si TFT is over 20 times as large as the one in a-Si TFT, S/N ratio of a-Si TFT is higher by 30 times of magnitude than that of poly-Si TFT. The relative sensitivity of a-Si TFT more corresponds to the spectral luminous efficiency than that of poly-Si TFT. Simultaneously, poly-Si TFT with offset structure is evaluated to improve S/N ratio and it is increased by 6 times of magnitude. The performance of offset TFT is almost same as PIN diode with poly-Si.
キーワード (和) 光センサ / 薄膜トランジスタ / オフセット構造 / 多結晶シリコン / 非晶質シリコン / / /  
(英) Photo-Sensor / Thin-Film Transistor / OFFSET Structure / Polycrystalline Silicon / Amorphous Silicon / / /  
文献情報 信学技報, vol. 108, no. 1, SDM2008-7, pp. 33-36, 2008年4月.
資料番号 SDM2008-7 
発行日 2008-04-04 (SDM, OME) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685  Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
PDFダウンロード SDM2008-7 OME2008-7 エレソ技報アーカイブへのリンク:SDM2008-7 OME2008-7

研究会情報
研究会 SDM OME  
開催期間 2008-04-11 - 2008-04-12 
開催地(和) 沖縄県青年会館 
開催地(英) Okinawa Seinen Kaikan 
テーマ(和) TFTの材料・デバイス技術・応用および一般 
テーマ(英) TFT Materials, Devices, and Applications and Others related to SDM and OME activity 
講演論文情報の詳細
申込み研究会 SDM 
会議コード 2008-04-SDM-OME 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) Si系薄膜光センサデバイス 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Application of Si Thin-Film to Photo-Sensor Device 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) 光センサ / Photo-Sensor  
キーワード(2)(和/英) 薄膜トランジスタ / Thin-Film Transistor  
キーワード(3)(和/英) オフセット構造 / OFFSET Structure  
キーワード(4)(和/英) 多結晶シリコン / Polycrystalline Silicon  
キーワード(5)(和/英) 非晶質シリコン / Amorphous Silicon  
キーワード(6)(和/英) /  
キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 田井 光春 / Mitsuharu Tai / タイ ミツハル
第1著者 所属(和/英) 日立製作所中央研究所 (略称: 日立)
Central Research Lab., Hitachi, Ltd. (略称: CRL, Hitachi)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 昆野 康隆 / Yasutaka Konno / コンノ ヤスタカ
第2著者 所属(和/英) 日立製作所中央研究所 (略称: 日立)
Central Research Lab., Hitachi, Ltd. (略称: CRL, Hitachi)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 波多野 睦子 / Mutsuko Hatano / ハタノ ムツコ
第3著者 所属(和/英) 日立製作所中央研究所 (略称: 日立)
Central Research Lab., Hitachi, Ltd. (略称: CRL, Hitachi)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 宮沢 敏夫 / Toshio Miyazawa / ミヤザワ トシオ
第4著者 所属(和/英) 日立ディスプレイズ (略称: 日立ディスプレイズ)
Hitachi Displays (略称: Hitachi Displays)
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第5著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第6著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第6著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第7著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第7著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第8著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第8著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第9著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第9著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第10著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第10著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第11著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第11著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第12著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第12著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第13著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第13著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第14著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第14著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第15著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第15著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第16著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第16著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第17著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第17著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第18著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第18著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第19著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第19著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第20著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第20著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
講演者
発表日時 2008-04-11 11:50:00 
発表時間 25 
申込先研究会 SDM 
資料番号 IEICE-SDM2008-7,IEICE-OME2008-7 
巻番号(vol) IEICE-108 
号番号(no) no.1(SDM), no.2(OME) 
ページ範囲 pp.33-36 
ページ数 IEICE-4 
発行日 IEICE-SDM-2008-04-04,IEICE-OME-2008-04-04 


[研究会発表申込システムのトップページに戻る]

[電子情報通信学会ホームページ]


IEICE / 電子情報通信学会