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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2008-04-11 11:00 ストライプ型チャネルを持つ多結晶シリコン薄膜トランジスタの特性ばらつきの評価 ○秋山浩司・渡邉一徳・浅野種正（九大）  SDM2008-5 OME2008-5 エレソ技報アーカイブへのリンク：SDM2008-5 OME2008-5 |
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| 抄録 | （和） | レーザスキャン法により横方向に結晶粒を成長させた多結晶Si (poly-Si)膜上にストライプ型のチャネル形状をもつ多結晶シリコン薄膜トランジスタ(TFT: Thin Film Transistor)を作製し、特性のばらつきを評価した。サブスレッショルド特性はストライプの本数に依存しない一方、電界効果移動度のばらつきはストライプを合算した全チャネル幅が小さくなるほど大きくなり、全チャネル幅が同じであれば複数チャネルでもばらつきの大きさは同じになった。つまり、電流駆動力のばらつきはチャネル内に存在する結晶粒界の数に依存する。よって、通常の単一ゲートTFTでばらつき抑制するには結晶粒界の電位障壁の大きさを低減するという基本的なアプローチがが最も有効な方法であるといえる。 |
| （英） | Thin Film Transistors (TFTs) having strip channels were fabricated on laterally grown polycrystalline silicon film prepared by using laser scanning process, and their characteristic variation was investigated at room and low temperature. The subthreshold characteristic remained unchanged with the number of stripes. On the other hand, the variation in field-effect carrier mobility increased with decreasing the number of stripe; i.e. decreasing channel width. The variation of carrier mobility of the multiple stripe TFT was the same as that of single channel TFT when the total channel widths were the same each other. It is pointed out that reducing potential barrier at the grain boundary is the most effective approach to minimizing the characteristic variation. | |
| キーワード | （和） | 薄膜トランジスタ / 横方向成長多結晶シリコン / 特性ばらつき / 結晶粒界 / 電位障壁 / / / |
| （英） | thin film transistor / laterally grown polycrystalline silicon / characteristic variation / grain boundary / potential barrier / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 108, no. 1, SDM2008-5, pp. 23-26, 2008年4月. | |
| 資料番号 | SDM2008-5 | |
| 発行日 | 2008-04-04 (SDM, OME) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | SDM2008-5 OME2008-5 エレソ技報アーカイブへのリンク：SDM2008-5 OME2008-5 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM OME |
| 開催期間 | 2008-04-11 - 2008-04-12 |
| 開催地（和） | 沖縄県青年会館 |
| 開催地（英） | Okinawa Seinen Kaikan |
| テーマ（和） | TFTの材料・デバイス技術・応用および一般 |
| テーマ（英） | TFT Materials, Devices, and Applications and Others related to SDM and OME activity |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | SDM |
| 会議コード | 2008-04-SDM-OME |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | ストライプ型チャネルを持つ多結晶シリコン薄膜トランジスタの特性ばらつきの評価 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Investigation on Characteristic Variation of Polycrystalline-Si Thin Film Transistor Having Stripe Channels |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | 薄膜トランジスタ / thin film transistor |
| キーワード(2)（和/英） | 横方向成長多結晶シリコン / laterally grown polycrystalline silicon |
| キーワード(3)（和/英） | 特性ばらつき / characteristic variation |
| キーワード(4)（和/英） | 結晶粒界 / grain boundary |
| キーワード(5)（和/英） | 電位障壁 / potential barrier |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 秋山 浩司 / Koji Akiyama / アキヤマ コウジ |
| 第1著者 所属（和/英） | 九州大学大学院 (略称： 九大) Graduate school, Kyushu University (略称： Graduate school, Kyushu Univ.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 渡邉 一徳 / Kazunori Watanabe / ワタナベ カズノリ |
| 第2著者 所属（和/英） | 九州大学大学院 (略称： 九大) Graduate school, Kyushu University (略称： Graduate school, Kyushu Univ.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 浅野 種正 / Tanemasa Asano / アサノ タネマサ |
| 第3著者 所属（和/英） | 九州大学大学院 (略称： 九大) Graduate school, Kyushu University (略称： Graduate school, Kyushu Univ.) |
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| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2008-04-11 11:00:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | SDM |
| 資料番号 | SDM2008-5, OME2008-5 |
| 巻番号（vol） | vol.108 |
| 号番号（no） | no.1(SDM), no.2(OME) |
| ページ範囲 | pp.23-26 |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2008-04-04 (SDM, OME) |
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