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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2008-03-14 13:05 二重トンネル接合層を用いた15nmプラナーバルクSONOS型メモリー素子 ○大場竜二・三谷祐一郎・杉山直治・藤田 忍（東芝）  SDM2007-273 エレソ技報アーカイブへのリンク：SDM2007-273 |
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| 抄録 | （和） | ナノメートルスケールのＳｉ微小結晶を、薄いトンネル酸化膜で挟んだ二重接合構造を、浮遊ゲート型メモリ素子のトンネル膜に応用することで、通常のトンネル酸化膜よりも優れた特性を実現することができます。Ｓｉナノ微結晶を介した単電子トンネルでは、量子閉じ込め効果とクーロンブロッケイド効果により、長時間記憶保持と高速書込消去の両立に極めて有利なトンネル特性になります。今回、二重接合ナノ微粒子構造をトンネル膜部に有するＳＯＮＯＳ型メモリ素子が、ゲート長１５ｎｍで良好な動作をすることを実証します。微細ＣＭＯＳプロセスよりも、バルクトランジスタのスケーリングをさらに進めることで短チャネル効果を抑制します。また１５ｎｍよりもさらに微細化を進めると、ソース・ドレイン間直接トンネルによるオフ電流増大が顕在化することも示します。 |
| （英） | 15nm gate length bulk-planar SONOS-type memory device, which has Si nanocrystal layer lying between double tunnel oxides, retains 2.7 decades memory window for 10 years be-low 10V write / erase (w/e) voltages. S-factor is controlled by source/drain (S/D) junction depth and channel concentration. It is experimentally shown that S to D direct tunneling deter-mines a physical limit of S-factor control below 15 nm scale. Further device scaling and improvement by Si nanocrystal scaling are possible within the limit of S-factor control. | |
| キーワード | （和） | Ｓｉナノクリスタル / 量子ドット / フラッシュメモリ / ＳＯＮＯＳ / ＭＯＮＯＳ / / / |
| （英） | Si nanocrystal / Quantum dot / Flash memory / SONOS / MONOS / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 107, no. 549, SDM2007-273, pp. 1-6, 2008年3月. | |
| 資料番号 | SDM2007-273 | |
| 発行日 | 2008-03-07 (SDM) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | SDM2007-273 エレソ技報アーカイブへのリンク：SDM2007-273 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
| 開催期間 | 2008-03-14 - 2008-03-14 |
| 開催地（和） | 機械振興会館 |
| 開催地（英） | Kikai-Shinko-Kaikan Bldg. |
| テーマ（和） | 不揮発メモリと関連技術および一般 |
| テーマ（英） | |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | SDM |
| 会議コード | 2008-03-SDM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 二重トンネル接合層を用いた15nmプラナーバルクSONOS型メモリー素子 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | 15nm Planar Bulk SONOS-type Memory with Double Junstion Tunnel Layers |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | Ｓｉナノクリスタル / Si nanocrystal |
| キーワード(2)（和/英） | 量子ドット / Quantum dot |
| キーワード(3)（和/英） | フラッシュメモリ / Flash memory |
| キーワード(4)（和/英） | ＳＯＮＯＳ / SONOS |
| キーワード(5)（和/英） | ＭＯＮＯＳ / MONOS |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 大場 竜二 / Ryuji Ohba / オオバ リュウジ |
| 第1著者 所属（和/英） | 東芝研究開発センター (略称： 東芝) Toshiba R&D Center (略称： Toshiba) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 三谷 祐一郎 / Yuichiro Mitani / ミタニ ユウイチロウ |
| 第2著者 所属（和/英） | 東芝研究開発センター (略称： 東芝) Toshiba R&D Center (略称： Toshiba) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 杉山 直治 / Naoharu Sugiyama / スギヤマ ナオハル |
| 第3著者 所属（和/英） | 東芝研究開発センター (略称： 東芝) Toshiba R&D Center (略称： Toshiba) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 藤田 忍 / Shinobu Fujita / フジタ シノブ |
| 第4著者 所属（和/英） | 東芝研究開発センター (略称： 東芝) Toshiba R&D Center (略称： Toshiba) |
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| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2008-03-14 13:05:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | SDM |
| 資料番号 | SDM2007-273 |
| 巻番号（vol） | vol.107 |
| 号番号（no） | no.549 |
| ページ範囲 | pp.1-6 |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2008-03-07 (SDM) |
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