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| 講演名 | 2008-03-06 16:35 システムLSIにおける多電源、ダイナミック電源方式での消費電力の比較検討 ○花見 智・渡辺重佳（湘南工科大）  VLD2007-155 ICD2007-178 エレソ技報アーカイブへのリンク：ICD2007-178 |
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| 抄録 | （和） | 低消費電力化の代表的方法である多電源方式とダイナミック電源方式を適用した場合の消費エネルギーを積和演算をモチーフとして比較した。ダイナミック電源方式の方が低電力化できることが多く，ＭＯＳトランジスタのサブスレッショルドリーク電流とゲートリーク電流の増加に伴い，その傾向が顕著になる。 |
| （英） | Reduction of power dissipation caused by dynamic current, gate leakage current, and subthreshold leakage current of multi-supply-voltage and dynamic voltage scheme for product-sum operation. The reduction ratio of power dissipation of dynamic voltage scheme is larger than that of multi-supply-voltage scheme. | |
| キーワード | （和） | システムＬＳＩ / ２電源方式 / 充放電電流 / ゲートリーク電流 / サブスレッショルドリーク電流 / ＭＯＳＦＥＴ / スケーリング則 / パスディレイ分布 |
| （英） | system LSI / dual supply voltage scheme / dynamic current / gate leakage current / subthreshold leakage current / MOSFET / scaling rule / path-delay distribution | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 107, no. 510, ICD2007-178, pp. 67-72, 2008年3月. | |
| 資料番号 | ICD2007-178 | |
| 発行日 | 2008-02-28 (VLD, ICD) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | VLD2007-155 ICD2007-178 エレソ技報アーカイブへのリンク：ICD2007-178 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | VLD ICD |
| 開催期間 | 2008-03-05 - 2008-03-07 |
| 開催地（和） | 沖縄県男女共同参画センター |
| 開催地（英） | TiRuRu |
| テーマ（和） | システムオンシリコン設計技術ならびにこれを活用したVLSI <オーガナイザ：張山 昌論(東北大学)> |
| テーマ（英） | System-on-silicon design techniques and related VLSs |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | ICD |
| 会議コード | 2008-03-VLD-ICD |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | システムLSIにおける多電源、ダイナミック電源方式での消費電力の比較検討 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Comparison of Power consumption between dynamic voltage scheme and multi-supply voltage scheme for system LSI |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | システムＬＳＩ / system LSI |
| キーワード(2)（和/英） | ２電源方式 / dual supply voltage scheme |
| キーワード(3)（和/英） | 充放電電流 / dynamic current |
| キーワード(4)（和/英） | ゲートリーク電流 / gate leakage current |
| キーワード(5)（和/英） | サブスレッショルドリーク電流 / subthreshold leakage current |
| キーワード(6)（和/英） | ＭＯＳＦＥＴ / MOSFET |
| キーワード(7)（和/英） | スケーリング則 / scaling rule |
| キーワード(8)（和/英） | パスディレイ分布 / path-delay distribution |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 花見 智 / Satoshi Hanami / ハナミ サトシ |
| 第1著者 所属（和/英） | 湘南工科大学 (略称： 湘南工科大) Shonan Institute of Technology (略称： Shonan Inst. of Tech.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 渡辺 重佳 / Shigeyoshi Watanabe / ワタナベ シゲヨシ |
| 第2著者 所属（和/英） | 湘南工科大学 (略称： 湘南工科大) Shonan Institute of Technology (略称： Shonan Inst. of Tech.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
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| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2008-03-06 16:35:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | ICD |
| 資料番号 | VLD2007-155, ICD2007-178 |
| 巻番号（vol） | vol.107 |
| 号番号（no） | no.507(VLD), no.510(ICD) |
| ページ範囲 | pp.67-72 |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2008-02-28 (VLD, ICD) |
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