講演抄録/キーワード |
講演名 |
2008-03-03 14:15
変位電流―チャネル電流法によるp型ならびにn型有機薄膜トランジスタの動作解析 ○鈴木聖一・今原博和・真島 豊(東工大) EID2007-105 OME2007-87 エレソ技報アーカイブへのリンク:EID2007-105 OME2007-87 |
抄録 |
(和) |
変位電流-チャネル電流法により、p型材料としてペンタセン、n型材料としてペリレン誘導体を用いた有機薄膜トランジスタの移動度、閾値電圧、ソース電極におけるキャリア注入開始電圧などのキャリア注入特性とキャリア輸送特性を評価した。変位電流とチャネル電流のゲート電圧周波数依存性を測定したところ、ペンタセンTFTでは、ゲート電圧周波数1~50 kHzの領域において移動度、閾値電圧、ソース電極におけるキャリア注入開始電圧に周波数依存性は観察されなかった。一方で、PTCDI-C8 TFTでは、10~1000 Hzにおいてキャリア注入・輸送特性ともに周波数に依存し、電圧印加による閾値電圧シフト、キャリア注入がゲート三角波掃引周波数に追従できていないことが観察された。 |
(英) |
Carrier injection and transport properties such as mobility, threshold voltage, and carrier injection voltage at source electrode were evaluated in p-type pentacene and n-type perylene derivative organic thin-film transistors (OTFTs) using displacement and channel current simultaneous measurements. From gate voltage frequencies of displacement current and channel current, in the case of pentacene thin-film transistors (TFTs) mobility, threshold voltage, and carrier injection voltage at source electrode showed no frequency dependences at frequencies between 1 and 50 kHz. On the other hand, in the case of PTCDI-C8 TFT, they showed frequency dependences from 10 Hz to 1 kHz; it was observed that threshold voltage shift due to bias stress, and that carrier injection process did not follow the gate voltage sweep. |
キーワード |
(和) |
有機薄膜トランジスタ / 変位電流-チャネル電流法 / 周波数特性 / ペンタセン / PTCDI-C8 / / / |
(英) |
organic thin-film transistors / displacement and channel current simultaneous measurements / frequency dependences / pentacene / PTCDI-C8 / / / |
文献情報 |
信学技報, vol. 107, no. 522, OME2007-87, pp. 13-18, 2008年3月. |
資料番号 |
OME2007-87 |
発行日 |
2008-02-25 (EID, OME) |
ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
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