| 電子情報通信学会 研究会発表申込システム 講演論文 詳細 |
技報閲覧サービス [ログイン] 技報アーカイブ |
| トップに戻る | 前のページに戻る | [Japanese] / [English] |
| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2008-01-31 12:05 ナノMOSFETを利用した単一電子・確率的情報処理回路 ～ 単一電子のランダムな振る舞いの検出と制御 ～ ○西口克彦・藤原 聡（NTT）  ED2007-251 SDM2007-262 エレソ技報アーカイブへのリンク：ED2007-251 SDM2007-262 |
|
| 抄録 | （和） | シリコンMOSFETを利用した確率的情報処理回路について報告する．ナノ・スケールMOSFETに流れる電流をアトアンペア以下まで下げることにより，単一電子がランダムなタイミングで流れることを高感度電荷計で観測した．この単一電子のランダムな振る舞いを高品質乱数として利用し、確率的に最適解を導出する回路を実現した．MOSFETを利用するため，ランダム性制御や高速動作が可能となる．また，確率的な回路動作により膨大な情報を効率的に処理することが期待できる．MOSFETを利用した新しいタイプの単電子素子である． |
| （英） | A MOSFET-based circuit utilizing single electrons is demonstrated at room temperature. Individual electrons randomly passing through the nanoscale silicon-on-insulator MOSFET are monitored by an electrometer in real time. Such a random behavior of single electrons is used for random-number generation suitable for a data processing which stochastically extracts the optimum solution among various ones. The use of electron transport in MOSFETs provides high controllability of the randomness, which prevents extracted solutions from staying at undesirable local minimum, as well as fast generation of random numbers. The present result promises new single-electron applications using nanoscale MOSFETs. | |
| キーワード | （和） | 単一電子 / シリコンMOSFET / 確率的情報処理回路 / / / / / |
| （英） | Single electron / Si MOSFET / Stochastic data processing / / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 107, no. 473, ED2007-251, pp. 75-79, 2008年1月. | |
| 資料番号 | ED2007-251 | |
| 発行日 | 2008-01-23 (ED, SDM) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ED2007-251 SDM2007-262 エレソ技報アーカイブへのリンク：ED2007-251 SDM2007-262 |
|
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED SDM |
| 開催期間 | 2008-01-30 - 2008-01-31 |
| 開催地（和） | 北海道大学 |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | 機能ナノデバイスとおよび関連技術 |
| テーマ（英） | |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | ED |
| 会議コード | 2008-01-ED-SDM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | ナノMOSFETを利用した単一電子・確率的情報処理回路 |
| サブタイトル（和） | 単一電子のランダムな振る舞いの検出と制御 |
| タイトル（英） | Single-electron circuit for stochastic data processing using nano-MOSFETs |
| サブタイトル（英） | * |
| キーワード(1)（和/英） | 単一電子 / Single electron |
| キーワード(2)（和/英） | シリコンMOSFET / Si MOSFET |
| キーワード(3)（和/英） | 確率的情報処理回路 / Stochastic data processing |
| キーワード(4)（和/英） | / |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 西口 克彦 / Katsuhiko Nishiguchi / ニシグチ カツヒコ |
| 第1著者 所属（和/英） | NTT物性科学基礎研究所 (略称： NTT) NTT Basic Research laboratories (略称： NTT BRL) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 藤原 聡 / Akira Fujiwara / フジワラ アキラ |
| 第2著者 所属（和/英） | NTT物性科学基礎研究所 (略称： NTT) NTT Basic Research laboratories (略称： NTT BRL) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第3著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第4著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第5著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第6著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第7著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第7著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第8著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第8著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第9著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第9著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第10著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第10著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第11著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第11著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第12著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第12著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第13著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第13著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第14著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第14著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第15著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第15著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第16著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第16著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第17著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第17著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第18著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第18著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2008-01-31 12:05:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | ED |
| 資料番号 | ED2007-251, SDM2007-262 |
| 巻番号（vol） | vol.107 |
| 号番号（no） | no.473(ED), no.474(SDM) |
| ページ範囲 | pp.75-79 |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | 2008-01-23 (ED, SDM) |
[研究会発表申込システムのトップページに戻る]