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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2008-01-30 13:55 有機金属気相選択成長法によるInGaAs系ナノワイヤの形成とその電気的評価 ○登坂仁一郎・佐藤拓也・本久順一・原 真二郎・福井孝志（北大）  ED2007-238 SDM2007-249 エレソ技報アーカイブへのリンク：ED2007-238 SDM2007-249 |
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| 抄録 | （和） | 半導体ナノワイヤは、その特異な形状とサイズの微小さから、サランウンディングゲートFET、転位のない高輝度発光デバイス等への応用が期待されている。特に、サラウンディングゲートFETに関しては、ショートチャネル効果の抑制、相互コンダクタンスの上昇が見込まれ、次世代のFET構造として脚光を浴びている。実験では、SiドープInGaAsナノワイヤをSi/SiO2基板に散布し、Ti/Auによりオーミック電極を形成した。その後Alによるショットキーゲートを形成し、ナノワイヤの背面はMIS構造、上面は動径方向ゲート被服率約80%のMES構造ゲートを作製し単一のナノワイヤに対し電気的評価を行った。 |
| （英） | Semiconductor nanowires are attracting much attention as a new class of nanoscale materials. Particularly, vertical surrounding gate FETs, which is a one of the useful applications utilizing semiconductor nanowires, have been expected to show superior transconductance, high current on-off (Ion/off) ratio and reduced short channel effects compared with conventional planar type FETs. In experiment, Silicon-doped n-InGaAs nanowires were grown by catalyst-free selective-area metal-organic vapor-phase epitaxy (SA-MOVPE). The nanowire FETs with MIS back-gate and 80 % coverage MES top-gate on SiO2-coated Si substrates were fabricated and characterized by defining metal contacts at both ends of the nanowires and the Al top-gate between contacts. | |
| キーワード | （和） | ナノワイヤ / ナノFET / 有機金属気相成長 / 選択成長 / / / / |
| （英） | nanowire / nano-FET / MOVPE / selective area growth / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 107, no. 473, ED2007-238, pp. 5-10, 2008年1月. | |
| 資料番号 | ED2007-238 | |
| 発行日 | 2008-01-23 (ED, SDM) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ED2007-238 SDM2007-249 エレソ技報アーカイブへのリンク：ED2007-238 SDM2007-249 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED SDM |
| 開催期間 | 2008-01-30 - 2008-01-31 |
| 開催地（和） | 北海道大学 |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | 機能ナノデバイスとおよび関連技術 |
| テーマ（英） | |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | ED |
| 会議コード | 2008-01-ED-SDM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 有機金属気相選択成長法によるInGaAs系ナノワイヤの形成とその電気的評価 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Electrical characterizations of InGaAs related nanowires grown by selective-area MOVPE |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | ナノワイヤ / nanowire |
| キーワード(2)（和/英） | ナノFET / nano-FET |
| キーワード(3)（和/英） | 有機金属気相成長 / MOVPE |
| キーワード(4)（和/英） | 選択成長 / selective area growth |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 登坂 仁一郎 / Jinichiro Noborisaka / ノボリサカ ジンイチロウ |
| 第1著者 所属（和/英） | 北海道大学 (略称： 北大) Hokkaido University (略称： Hokkaido Univ.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 佐藤 拓也 / Takuya Sato / サトウ タクヤ |
| 第2著者 所属（和/英） | 北海道大学 (略称： 北大) Hokkaido University (略称： Hokkaido Univ.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 本久 順一 / Junichi Motohisa / モトヒサ ジュンイチ |
| 第3著者 所属（和/英） | 北海道大学 (略称： 北大) Hokkaido University (略称： Hokkaido Univ.) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 原 真二郎 / Shinjiro Hara / ハラ シンジロウ |
| 第4著者 所属（和/英） | 北海道大学 (略称： 北大) Hokkaido University (略称： Hokkaido Univ.) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 福井 孝志 / Takashi Fukui / フクイ タカシ |
| 第5著者 所属（和/英） | 北海道大学 (略称： 北大) Hokkaido University (略称： Hokkaido Univ.) |
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| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2008-01-30 13:55:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | ED |
| 資料番号 | ED2007-238, SDM2007-249 |
| 巻番号（vol） | vol.107 |
| 号番号（no） | no.473(ED), no.474(SDM) |
| ページ範囲 | pp.5-10 |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2008-01-23 (ED, SDM) |
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