講演抄録/キーワード |
講演名 |
2008-01-17 11:10
Ledge パッシベーションによるInGaP/GaAs HBTの信頼性の向上 ○楊 富穎・野崎眞次・内田和男・小泉 淳(電通大) ED2007-217 MW2007-148 エレソ技報アーカイブへのリンク:ED2007-217 MW2007-148 |
抄録 |
(和) |
InGaP/GaAs HBT(Heterojunction Bipolar transistors)には、メサ形状を有するため、高濃度のBase層表面が露出し、Emitter周辺で再結合電流が生じ、電流利得が低下してしまう問題がある。また、電気的なストレスにより、デバイスの特性が劣化するという信頼性に関する問題も生じる。本研究はInGaP Ledgeパッシベーションを用い、室温から高温までの電気ストレス前後のInGaP/GaAs HBTの特性を調べた。室温において、InGaP Ledge パッシベーションが非常に効果的であるが、ストレス、特に高温でストレスを加えると、InGaP Ledgeパッシベーションを行ったHBTは通常のHBTより高い電流利得を示すものの、劣化を完全に抑制することはできない。以上のLedgeパッシベーションの効果は、その幅にはよらないことも明らかとなった。 |
(英) |
Because of the exposed heavily carbor-doped GaAs base in the InGaP/GaAs HBT’s, the current gain is significantly reduced by the surface recombination in the GaAs base. We implemented the ledge passivation to suppress the surface recombination. The InGaP ledge passivation, indeed, suppresses the surface recombination and increases the current gain. Furthermore, the ledge passivation suppresses the degradation due to electrical stress. It is, however, not sufficient to maintain a high current gain after the electrical stress applied to the HBT at high temperature. |
キーワード |
(和) |
HBT(Heterojunction Bipolar Transistors) / InGaP/GaAs / 表面再結合 / InGaP Ledgeパッシベーション / InGaP Ledge幅 / 電気ストレス / / |
(英) |
Heterojunction bipolar transistors(HBT) / InGaP/GaAs / surface recombination / ledge passivation / electrical stress / temperature characteristics / / |
文献情報 |
信学技報, vol. 107, no. 421, MW2007-148, pp. 61-66, 2008年1月. |
資料番号 |
MW2007-148 |
発行日 |
2008-01-09 (ED, MW) |
ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) |
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