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講演抄録/キーワード
講演名 2008-01-17 09:45
デュアルバンドCMOS RFパワーアンプ回路の検討
菊池 潤群馬大)・佐藤久恭ルネサステクノロジ)・石原 昇群馬大ED2007-214 MW2007-145 エレソ技報アーカイブへのリンク:ED2007-214 MW2007-145
抄録 (和) 無線通信用トランシーバのキーコンポーネントの1つであるパワーアンプについて、CMOS回路化、デュアルバンド動作化の検討を行った。低電圧CMOS回路によるRFパワーアンプ回路設計では、回路の低損失化による大電流化設計がキーとなること、サブミクロンMOSトランジスタの速度飽和特性は、電源電圧低下にともなう出力電力、電力効率の低下を抑えるよう有利に作用することを解析的に明らかにした。また、LC共振インピーダンスを利用したデュアルバンド動作回路を明らかにし、0.13μm CMOSプロセス技術によるICの設計・試作評価を実施した結果、電源電圧1.5Vで5dBm以上の出力が可能な、1.0GHzと2.4GHz帯でのデュアルバンド増幅動作を確認した。 
(英) Dual-band CMOS RF power amplifier circuit design techniques have been studied. In CMOS power amplifier design with low power supply voltage, it is clarified analytically that current mode design considering small parasitic impedances of chip layout. And carrier velocity saturation in submicron CMOS transistor compensates degradation of the output power and the power efficiency. Furthermore, dual-band CMOS RF power amplifier circuit using LC resonant circuit techniques have been investigated and fabricated by using 0.13 μ mCMOS process technology. And thus, the dual band operation of 1.0GHz and the 2.4GHz band have been achieved with more than 5dBm output power at 1.5-V power supply voltage.
キーワード (和) パワーアンプ / デュアルバンド / CMOS / LC共振 / スイッチ制御 / / /  
(英) Power Amplifier / Dual Band / CMOS / LC Resonance / Switch control / / /  
文献情報 信学技報, vol. 107, no. 421, MW2007-145, pp. 45-50, 2008年1月.
資料番号 MW2007-145 
発行日 2008-01-09 (ED, MW) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685    Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
PDFダウンロード ED2007-214 MW2007-145 エレソ技報アーカイブへのリンク:ED2007-214 MW2007-145

研究会情報
研究会 ED MW  
開催期間 2008-01-16 - 2008-01-18 
開催地(和) 機械振興会館 
開催地(英) Kikai-Shinko-Kaikan Bldg. 
テーマ(和) 化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス 
テーマ(英) Compound Semiconductor IC, High-speed and high-frequency devices 
講演論文情報の詳細
申込み研究会 MW 
会議コード 2008-01-ED-MW 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) デュアルバンドCMOS RFパワーアンプ回路の検討 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Examination of dual band CMOS RF power amplifier circuit 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) パワーアンプ / Power Amplifier  
キーワード(2)(和/英) デュアルバンド / Dual Band  
キーワード(3)(和/英) CMOS / CMOS  
キーワード(4)(和/英) LC共振 / LC Resonance  
キーワード(5)(和/英) スイッチ制御 / Switch control  
キーワード(6)(和/英) /  
キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 菊池 潤 / Jun Kikuchi / キクチ ジュン
第1著者 所属(和/英) 群馬大学 (略称: 群馬大)
Gunma University (略称: Gunma Univ.)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 佐藤 久恭 / Hisayasu Sato / サトウ ヒサヤス
第2著者 所属(和/英) 株式会社ルネサステクノロジ (略称: ルネサステクノロジ)
Renesas Technology Corporation (略称: Renesas Technology Corporation)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 石原 昇 / Noboru Ishihara / イシハラ ノボル
第3著者 所属(和/英) 群馬大学 (略称: 群馬大)
Gunma University (略称: Gunma Univ.)
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講演者 第1著者 
発表日時 2008-01-17 09:45:00 
発表時間 25分 
申込先研究会 MW 
資料番号 ED2007-214, MW2007-145 
巻番号(vol) vol.107 
号番号(no) no.420(ED), no.421(MW) 
ページ範囲 pp.45-50 
ページ数
発行日 2008-01-09 (ED, MW) 


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