| 電子情報通信学会 研究会発表申込システム 講演論文 詳細 |
技報閲覧サービス [ログイン] 技報アーカイブ |
| トップに戻る | 前のページに戻る | [Japanese] / [English] |
| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2008-01-16 15:25 10GHz 87W AlGaN/GaN HEMTの開発 ○西原 信・山本高史・井上和孝・西 眞弘・佐野征吾（ユーディナデバイス）  ED2007-211 MW2007-142 エレソ技報アーカイブへのリンク：ED2007-211 MW2007-142 |
|
| 抄録 | （和） | X帯高出力アプリケーション用にAlGaN/GaN HEMTデバイスを開発した。既に製品化されたL/S帯AlGaN/GaN HEMT技術を使い、X帯における高利得、高出力なチップを開発した。本試作においてチップを2合成しf=9.5～10.5GHz、VDS=40V、パルス動作で、線形利得9.6dB、飽和出力60Wを達成した。またチップを4合成しf=10GHzで最大飽和出力電力87Wを達成したので同時に報告をする。 |
| （英） | In this paper, we report our result of a 60W AlGaN/GaN HEMT with the operating frequency in X-band. The device technology is extension of well-established Eudyna commercial L-/S-band AlGan/GaN HEMT technology. The device shows output power of over 60W and a high linear gain of 9.6dB in wide frequency range 9.5-10.5 GHz, operating at 40V drain bias voltage with the pulsed conditions at a duty of 10% with a pulse width of 100usec. And we developed a device consists of 4-dies of AlGaN/GaN chip , the device exhibits output power of over 87W at 10GHz. | |
| キーワード | （和） | AlGaN / GaN / HEMT / X帯 / 高出力 / / / |
| （英） | AlGaN / GaN / HEMT / X-band / Hight Power / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 107, no. 420, ED2007-211, pp. 29-31, 2008年1月. | |
| 資料番号 | ED2007-211 | |
| 発行日 | 2008-01-09 (ED, MW) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ED2007-211 MW2007-142 エレソ技報アーカイブへのリンク：ED2007-211 MW2007-142 |
|
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED MW |
| 開催期間 | 2008-01-16 - 2008-01-18 |
| 開催地（和） | 機械振興会館 |
| 開催地（英） | Kikai-Shinko-Kaikan Bldg. |
| テーマ（和） | 化合物半導体ＩＣ及び超高速・超高周波デバイス |
| テーマ（英） | Compound Semiconductor IC, High-speed and high-frequency devices |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | ED |
| 会議コード | 2008-01-ED-MW |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 10GHz 87W AlGaN/GaN HEMTの開発 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | An 87W AlGaN/GaN HEMT for X-band Pulse Operation |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | AlGaN / AlGaN |
| キーワード(2)（和/英） | GaN / GaN |
| キーワード(3)（和/英） | HEMT / HEMT |
| キーワード(4)（和/英） | X帯 / X-band |
| キーワード(5)（和/英） | 高出力 / Hight Power |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 西原 信 / Makoto Nishihara / ニシハラ マコト |
| 第1著者 所属（和/英） | ユーディナデバイス (略称： ユーディナデバイス) Eudyna devices (略称： Eudyna) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 山本 高史 / Takashi Tamamoto / ヤマモ トタカシ |
| 第2著者 所属（和/英） | ユーディナデバイス (略称： ユーディナデバイス) Eudyna devices (略称： Eudyna) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 井上 和孝 / Kazutaka Inoue / イノウエ カズタカ |
| 第3著者 所属（和/英） | ユーディナデバイス (略称： ユーディナデバイス) Eudyna devices (略称： Eudyna) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 西 眞弘 / Masahiro Nishi / ニシ マサヒロ |
| 第4著者 所属（和/英） | ユーディナデバイス (略称： ユーディナデバイス) Eudyna devices (略称： Eudyna) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 佐野 征吾 / Seigo Sano / サノ セイゴ |
| 第5著者 所属（和/英） | ユーディナデバイス (略称： ユーディナデバイス) Eudyna devices (略称： Eudyna) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第6著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第7著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第7著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第8著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第8著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第9著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第9著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第10著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第10著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第11著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第11著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第12著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第12著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第13著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第13著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第14著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第14著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第15著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第15著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第16著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第16著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第17著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第17著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第18著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第18著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2008-01-16 15:25:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | ED |
| 資料番号 | ED2007-211, MW2007-142 |
| 巻番号（vol） | vol.107 |
| 号番号（no） | no.420(ED), no.421(MW) |
| ページ範囲 | pp.29-31 |
| ページ数 | 3 |
| 発行日 | 2008-01-09 (ED, MW) |
[研究会発表申込システムのトップページに戻る]