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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2008-01-16 13:50 熱CVD成長SiN表面保護膜のAlGaN/GaN HEMT電気特性への影響 ○丸井俊治・星 真一・森野芳昭・伊藤正紀・玉井 功・戸田典彦・大来英之・佐野芳明・関 昇平（OKI）  ED2007-208 MW2007-139 エレソ技報アーカイブへのリンク：ED2007-208 MW2007-139 |
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| 抄録 | （和） | AlGaN/GaN HEMTにおけるAlGaN表面準位に起因した電流コラプスの抑制手段として、熱CVD成長SiN膜を表面保護膜に用いるプロセスを開発した。熱CVD成長SiN膜は一般的にPE-CVD成長SiN膜と比べて水素含有量が少なく高密度であり、成長前に800℃のNH3ガスによるAlGaN表面クリーニングが可能であることからAlGaN表面の改善に効果があるものと期待される。実験の結果、熱CVD成長SiN膜を用いることによってゲートリーク電流、電流コラプスの抑制効果が確認された。 |
| （英） | In AlGaN/GaN HEMTs, we used a thermal CVD SiN surface passivation film for suppressing the current collapse due to AlGaN surface level. We expected that the AlGaN surface state could be improved by the thermal CVD passivation film because of its low hydrogen content and high density. NH3 surface cleaning of 800℃ before SiN film deposition is also effective for improving AlGaN surface state. In this study we investigated the effect of the passivation film’s quality on the electrical characteristics of AlGaN/GaN HEMTs. As a result of our experiment, we found that gate leakage current and current collapse was suppressed by using the thermal CVD SiN passivation film. Keyword AlGaN, GaN, PE-CVD, thermal CVD, SiN, current collapse |
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| キーワード | （和） | AlGaN / GaN / PE-CVD / 熱CVD / SiN / 電流コラプス / / |
| （英） | AlGaN / GaN / PE-CVD / thermal CVD / SiN / current collapse / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 107, no. 420, ED2007-208, pp. 11-15, 2008年1月. | |
| 資料番号 | ED2007-208 | |
| 発行日 | 2008-01-09 (ED, MW) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ED2007-208 MW2007-139 エレソ技報アーカイブへのリンク：ED2007-208 MW2007-139 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED MW |
| 開催期間 | 2008-01-16 - 2008-01-18 |
| 開催地（和） | 機械振興会館 |
| 開催地（英） | Kikai-Shinko-Kaikan Bldg. |
| テーマ（和） | 化合物半導体ＩＣ及び超高速・超高周波デバイス |
| テーマ（英） | Compound Semiconductor IC, High-speed and high-frequency devices |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | ED |
| 会議コード | 2008-01-ED-MW |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 熱CVD成長SiN表面保護膜のAlGaN/GaN HEMT電気特性への影響 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Effects of a thermal CVD SiN passivation film on electrical characteristics of AlGaN/GaN HEMTs |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | AlGaN / AlGaN |
| キーワード(2)（和/英） | GaN / GaN |
| キーワード(3)（和/英） | PE-CVD / PE-CVD |
| キーワード(4)（和/英） | 熱CVD / thermal CVD |
| キーワード(5)（和/英） | SiN / SiN |
| キーワード(6)（和/英） | 電流コラプス / current collapse |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 丸井 俊治 / Toshiharu Marui / マルイ トシハル |
| 第1著者 所属（和/英） | 沖電気工業 (略称： OKI) OKI Electric Industry (略称： OKI) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 星 真一 / Shinichi Hoshi / ホシ シンイチ |
| 第2著者 所属（和/英） | 沖電気工業 (略称： OKI) OKI Electric Industry (略称： OKI) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 森野 芳昭 / Yoshiaki Morino / モリノ ヨシアキ |
| 第3著者 所属（和/英） | 沖電気工業 (略称： OKI) OKI Electric Industry (略称： OKI) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 伊藤 正紀 / Masanori Itoh / イトウ マサノリ |
| 第4著者 所属（和/英） | 沖電気工業 (略称： OKI) OKI Electric Industry (略称： OKI) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 玉井 功 / Isao Tamai / タマイ イサオ |
| 第5著者 所属（和/英） | 沖電気工業 (略称： OKI) OKI Electric Industry (略称： OKI) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） | 戸田 典彦 / Fumihiko Toda / トダ フミヒコ |
| 第6著者 所属（和/英） | 沖電気工業 (略称： OKI) OKI Electric Industry (略称： OKI) |
| 第7著者 氏名（和/英/ヨミ） | 大来 英之 / Hideyuki Okita / オオキタ ヒデユキ |
| 第7著者 所属（和/英） | 沖電気工業 (略称： OKI) OKI Electric Industry (略称： OKI) |
| 第8著者 氏名（和/英/ヨミ） | 佐野 芳明 / Yoshiaki Sano / サノ ヨシアキ |
| 第8著者 所属（和/英） | 沖電気工業 (略称： OKI) OKI Electric Industry (略称： OKI) |
| 第9著者 氏名（和/英/ヨミ） | 関 昇平 / Shohei Seki / セキ ショウヘイ |
| 第9著者 所属（和/英） | 沖電気工業 (略称： OKI) OKI Electric Industry (略称： OKI) |
| 第10著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
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| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2008-01-16 13:50:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | ED |
| 資料番号 | ED2007-208, MW2007-139 |
| 巻番号（vol） | vol.107 |
| 号番号（no） | no.420(ED), no.421(MW) |
| ページ範囲 | pp.11-15 |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | 2008-01-09 (ED, MW) |
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