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講演抄録/キーワード
講演名 2007-12-14 11:20
抵抗変化型不揮発性メモリ用NiO薄膜における電気伝導特性
鈴木亮太須田 淳木本恒暢京大SDM2007-226 エレソ技報アーカイブへのリンク:SDM2007-226
抄録 (和) ニッケル酸化物(NiO)薄膜は抵抗スイッチング特性を有することから,抵抗変化型不揮発性メモリ(ReRAM)としての応用が期待される物質の一つである.本研究では,Pt/NiO/Pt積層構造を有する試料を作製し,高抵抗,および低抵抗状態について100Kから573Kまで温度を変化させ,各温度において電流-電圧特性を測定した.高抵抗状態(High-Resistance State: HRS)では,低温領域(<250K)においてほとんど温度依存性が見られなかったのに対し,高温領域(>250K)では温度上昇に従い,抵抗値の減少が観測された.HRSにおける伝導は,低温領域では,バンドギャップ中に存在する局在準位におけるホッピング伝導が,高温領域では励起されたキャリアによるバンド伝導が支配的になると推測される.一方,低抵抗状態(Low-Resistance State: LRS)では,測定した全温度範囲で抵抗値はほぼ変化なし,あるいはわずかに増加する傾向を示した.これはNi薄膜における抵抗の温度依存性と非常に類似している.さらに,作製した素子では250℃においても安定に抵抗スイッチングが起こることが確認された.このことは,ReRAMの高温動作が可能であることを示唆するものである. 
(英) Since NiO thin films have resistive switching characteristics, NiO is one of the attractive materials for ReRAM. In this study, samples with Pt/NiO/Pt stack structures were fabricated on p-Si substrates. I-V measurements were carried out in high-resistance state (HRS) and low-resistance state (LRS) in the wide temperature range from 100K to 573K. In HRS, while the resistance was almost independent of temperature below 250K, the resistance was decreased with an activation energy of 0.30 eV above 250K. Hopping conduction and band conduction may be dominant in the low and high temperature range, respectively, in HRS. On the other hand, the LRS resistance was almost independent of the temperature or slightly increased in the whole temperature range. This temperature dependence of LRS resistance is very similar to that of an Ni thin film deposited by RF sputtering. The Pt/NiO/Pt structure exhibited stable resistive switching characteristics at temperature as high as 250&ordm;C or even higher. Since other competitive nonvolatile memories will face severe difficulty in high-temperature operation, the present ReRAM shows promise for high-temperature application.
キーワード (和) NiO / ReRAM / ホッピング伝導 / バンド伝導 / / / /  
(英) NiO / ReRAM / Hopping conduction / Band conduction / / / /  
文献情報 信学技報, vol. 107, no. 388, SDM2007-226, pp. 19-22, 2007年12月.
資料番号 SDM2007-226 
発行日 2007-12-07 (SDM) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685    Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
PDFダウンロード SDM2007-226 エレソ技報アーカイブへのリンク:SDM2007-226

研究会情報
研究会 SDM  
開催期間 2007-12-14 - 2007-12-14 
開催地(和) 奈良先端科学技術大学院大学 
開催地(英) Nara Institute Science and Technology 
テーマ(和) シリコン関連材料の作製と評価 
テーマ(英) Silicon related material, process and device 
講演論文情報の詳細
申込み研究会 SDM 
会議コード 2007-12-SDM 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) 抵抗変化型不揮発性メモリ用NiO薄膜における電気伝導特性 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Electrical conduction characteristics of NiO thin films for ReRAM 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) NiO / NiO  
キーワード(2)(和/英) ReRAM / ReRAM  
キーワード(3)(和/英) ホッピング伝導 / Hopping conduction  
キーワード(4)(和/英) バンド伝導 / Band conduction  
キーワード(5)(和/英) /  
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キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 鈴木 亮太 / Ryota Suzuki / スズキ リョウタ
第1著者 所属(和/英) 京都大学 (略称: 京大)
Kyoto University (略称: Kyoto Univ.)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 須田 淳 / Jun Suda / スダ ジュン
第2著者 所属(和/英) 京都大学 (略称: 京大)
Kyoto University (略称: Kyoto Univ.)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 木本 恒暢 / Tsunenobu Kimoto / キモト ツネノブ
第3著者 所属(和/英) 京都大学 (略称: 京大)
Kyoto University (略称: Kyoto Univ.)
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講演者 第1著者 
発表日時 2007-12-14 11:20:00 
発表時間 20分 
申込先研究会 SDM 
資料番号 SDM2007-226 
巻番号(vol) vol.107 
号番号(no) no.388 
ページ範囲 pp.19-22 
ページ数
発行日 2007-12-07 (SDM) 


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