講演抄録/キーワード |
講演名 |
2007-12-14 16:30
シリコンリング共振器を用いた電界駆動光変調素子 ○徳永智大・田主裕一朗・雨宮嘉照・横山 新(広島大) エレソ技報アーカイブへのリンク:OPE2007-143 |
抄録 |
(和) |
SOIウエハを用い直径20umのマルチモードシリコンリング共振器(共振波長1500nm付近)を製作した。導波路幅は0.6~1um、厚さ0.3umである。750℃の減圧(LP)CVDSi3N4膜(0.26um)および700℃のLPCVDTEOS酸化膜(1um)で導波路を覆いストレスを印加した。下部BOX層は1umで縦方向の電界を印加した。電圧印加によってドロップポートの共振光出力が減少し、波長1501.6nm、電圧200Vで光変調率30%を得た。共振波長の短波長側シフトも観測された。 |
(英) |
Multimode Si ring resonators (20um in diameter and resonance wavelength of 1500nm) were fabricated on SOI wafers. The waveguide width is 0.6~1.0um, and the thickness is 0.3um. The waveguide was covered with LPCVD Si3N4 film (0.26um) deposited at 750℃ and LPCVD TEOS SiO2 film deposited at 700℃, and the mechanical stress was induced. The electric field in the vertical direction was applied to the Si waveguide through the bottom cladding layer (1um thick SiO2). The optical output from the drop port at the resonance wavelength was decreased by applied voltage. At a wavelength of 1501.6nm, the optical modulation of 30% was obtained at 200V. The resonance wavelength shift toward short wavelength side was also observed. |
キーワード |
(和) |
シリコンリング共振器 / 光出力変調 / 電界駆動 / キャリア濃度変調 / 減圧CVDSi3N4 / / / |
(英) |
Si-ring resonator / Optical modulation / Electiric-field drive / Carrier concentration modulation / LPCVD Si3N4 / / / |
文献情報 |
信学技報, vol. 107, no. 389, OPE2007-143, pp. 41-46, 2007年12月. |
資料番号 |
OPE2007-143 |
発行日 |
2007-12-07 (OPE) |
ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) |
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