| 電子情報通信学会 研究会発表申込システム 講演論文 詳細 |
技報閲覧サービス [ログイン] 技報アーカイブ |
| トップに戻る | 前のページに戻る | [Japanese] / [English] |
| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2007-12-14 13:50 光散乱法を利用した薄膜Si1-xGex/Siの転位運動の観測 ○原 明人（東北学院大）・田村直義・中村友二（富士通研）  SDM2007-229 エレソ技報アーカイブへのリンク：SDM2007-229 |
|
| 抄録 | （和） | エッチング法では観察ができないほどに薄いＳｉＧｅ中の転位の運動を光散乱法により非破壊に観測した。この方法を使って、厚さ５６ｎｍ, Ｇｅ濃度２４％のＳｉＧｅ薄膜中の転位運動を広い温度範囲にわたって測定した。その結果、３７５℃という非常に低い温度でも一本のアレニウスプロットに従って転位が運動していることを見出した。このことは、今回実験に使用したような高濃度Ｇｅサンプルでは、さらに低い温度でも転位が活発にすべり運動する可能性があることを示唆している。また、今回実験に使用したような薄いＳｉ０．７６Ｇｅ０．２４／Ｓｉの転位運動の活性化エネルギーは、比較的膜厚が厚いＳｉＧｅ中の転位のそれと一致することが明らかになった。 |
| （英） | We succeeded in the observation of dislocation motion in a thin Si1-xGex film (thickness = 56 nm and x = 0.24) on a Si substrate by the light scattering method. The SiGe film is too thin for the observation of dislocation by the etching method. The mobility of dislocation was measured between 580℃ and 375℃ by using the light scattering method and was found to be described by an Arrhenius plot with an activation energy of 1.89 eV in the above mentioned temperature range. This result may indicate a sustained dislocation motion at a temperature lower than 375℃. | |
| キーワード | （和） | SiGe / Si / 転位 / ミスフィット / 光散乱 / 易動度 / / |
| （英） | ＳｉＧｅ / Ｓｉ / dislocation / misfit / light scattering / mobility / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 107, no. 388, SDM2007-229, pp. 31-34, 2007年12月. | |
| 資料番号 | SDM2007-229 | |
| 発行日 | 2007-12-07 (SDM) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | SDM2007-229 エレソ技報アーカイブへのリンク：SDM2007-229 |
|
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
| 開催期間 | 2007-12-14 - 2007-12-14 |
| 開催地（和） | 奈良先端科学技術大学院大学 |
| 開催地（英） | Nara Institute Science and Technology |
| テーマ（和） | シリコン関連材料の作製と評価 |
| テーマ（英） | Silicon related material, process and device |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | SDM |
| 会議コード | 2007-12-SDM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 光散乱法を利用した薄膜Si1-xGex/Siの転位運動の観測 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Observation of Dislocation Motion in Thin Si1-xGex Film by Light Scattering Method |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | SiGe / ＳｉＧｅ |
| キーワード(2)（和/英） | Si / Ｓｉ |
| キーワード(3)（和/英） | 転位 / dislocation |
| キーワード(4)（和/英） | ミスフィット / misfit |
| キーワード(5)（和/英） | 光散乱 / light scattering |
| キーワード(6)（和/英） | 易動度 / mobility |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 原 明人 / Akito Hara / ハラ アキト |
| 第1著者 所属（和/英） | 東北学院大学 (略称： 東北学院大) Tohoku Gakuin University (略称： Tohoku Gakuin Univ.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 田村 直義 / Naoyoshi Tamura / タムラ ナオヨシ |
| 第2著者 所属（和/英） | 富士通研究所 (略称： 富士通研) Fujitsu Lab. Ltd. (略称： Fujitsu Lab. Ltd.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 中村 友二 / Tomoji Nakamura / ナカムラ トモジ |
| 第3著者 所属（和/英） | 富士通研究所 (略称： 富士通研) Fujitsu Lab. Ltd. (略称： Fujitsu Lab. Ltd.) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第4著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第5著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第6著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第7著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第7著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第8著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第8著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第9著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第9著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第10著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第10著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第11著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第11著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第12著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第12著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第13著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第13著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第14著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第14著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第15著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第15著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第16著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第16著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第17著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第17著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第18著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第18著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2007-12-14 13:50:00 |
| 発表時間 | 20分 |
| 申込先研究会 | SDM |
| 資料番号 | SDM2007-229 |
| 巻番号（vol） | vol.107 |
| 号番号（no） | no.388 |
| ページ範囲 | pp.31-34 |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2007-12-07 (SDM) |
[研究会発表申込システムのトップページに戻る]