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講演抄録/キーワード
講演名 2007-12-14 10:00
パルス急速熱処理によるNi内包フェリチンを用いた結晶成長速度の向上
越知誠弘菅原祐太三浦篤志浦岡行治冬木 隆奈良先端大)・山下一郎奈良先端大/松下電器SDM2007-222 エレソ技報アーカイブへのリンク:SDM2007-222
抄録 (和) 我々はこれまでにNi内包フェリチンを用いて高品質のシリコン薄膜の結晶化に成功している。本研究では結晶化時間の短縮を目的として短時間にパルス状に温度変化させた急速熱処理方法(PRTA)に注目して結晶化を試みた。PRTAを用いることで結晶化時間の大幅な短縮が可能となり、フェリチン溶液濃度を最適化することで、平均粒径が5 μmを超える結晶粒のpoly-Si薄膜を形成することができた。 
(英) Previously, we reported the fabrication method of high quality poly-Si thin film by using Ni core of ferritin with a diameter of 7 nm. In this study, we performed crystallization by pulsed rapid thermal annealing (PRTA) method for shortening crystallization time. Polycrystalline silicon thin film with crystal grain of average size of 5.4 m was obtained by PRTA with a low density of Ni core. This method is promising for fabricating high performance TFTs.
キーワード (和) 多結晶シリコン / 金属誘起固相成長法 / バイオナノプロセス / / / / /  
(英) poly-Si / Metal Induced Lateral Crystallization / Bio-nano Process / / / / /  
文献情報 信学技報, vol. 107, no. 388, SDM2007-222, pp. 1-4, 2007年12月.
資料番号 SDM2007-222 
発行日 2007-12-07 (SDM) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685    Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
PDFダウンロード SDM2007-222 エレソ技報アーカイブへのリンク:SDM2007-222

研究会情報
研究会 SDM  
開催期間 2007-12-14 - 2007-12-14 
開催地(和) 奈良先端科学技術大学院大学 
開催地(英) Nara Institute Science and Technology 
テーマ(和) シリコン関連材料の作製と評価 
テーマ(英) Silicon related material, process and device 
講演論文情報の詳細
申込み研究会 SDM 
会議コード 2007-12-SDM 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) パルス急速熱処理によるNi内包フェリチンを用いた結晶成長速度の向上 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Acceleration of Crystal Growth by Pulsed Rapid Thermal Annealing using Ni-Ferritin 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) 多結晶シリコン / poly-Si  
キーワード(2)(和/英) 金属誘起固相成長法 / Metal Induced Lateral Crystallization  
キーワード(3)(和/英) バイオナノプロセス / Bio-nano Process  
キーワード(4)(和/英) /  
キーワード(5)(和/英) /  
キーワード(6)(和/英) /  
キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 越知 誠弘 / Masahiro Ochi / オチ マサヒロ
第1著者 所属(和/英) 奈良先端科学技術大学院大学 (略称: 奈良先端大)
Nara Institute of Science and Technology (略称: NAIST)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 菅原 祐太 / Yuuta Sugawara / スガワラ ユウタ
第2著者 所属(和/英) 奈良先端科学技術大学院大学 (略称: 奈良先端大)
Nara Institute of Science and Technology (略称: NAIST)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 三浦 篤志 / Atsushi Miura / ミウラ アツシ
第3著者 所属(和/英) 奈良先端科学技術大学院大学 (略称: 奈良先端大)
Nara Institute of Science and Technology (略称: NAIST)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 浦岡 行治 / Yukiharu Uraoka / ウラオカ ユキハル
第4著者 所属(和/英) 奈良先端科学技術大学院大学 (略称: 奈良先端大)
Nara Institute of Science and Technology (略称: NAIST)
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) 冬木 隆 / Takashi Fuyuki / フユキ タカシ
第5著者 所属(和/英) 奈良先端科学技術大学院大学 (略称: 奈良先端大)
Nara Institute of Science and Technology (略称: NAIST)
第6著者 氏名(和/英/ヨミ) 山下 一郎 / Ichiro Yamashita / ヤマシタ イチロウ
第6著者 所属(和/英) 松下電器産業株式会社 先端技術研究所、奈良先端科学技術大学院大学 (略称: 奈良先端大/松下電器)
ATRL,Matsushita Electric Industrial Co.,Ltd., Nara Institute of Science and Technology (略称: Matsushita Electric Industrial Co.,Ltd., NAIST)
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講演者 第1著者 
発表日時 2007-12-14 10:00:00 
発表時間 20分 
申込先研究会 SDM 
資料番号 SDM2007-222 
巻番号(vol) vol.107 
号番号(no) no.388 
ページ範囲 pp.1-4 
ページ数
発行日 2007-12-07 (SDM) 


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