講演抄録/キーワード |
講演名 |
2007-12-14 10:00
パルス急速熱処理によるNi内包フェリチンを用いた結晶成長速度の向上 ○越知誠弘・菅原祐太・三浦篤志・浦岡行治・冬木 隆(奈良先端大)・山下一郎(奈良先端大/松下電器) SDM2007-222 エレソ技報アーカイブへのリンク:SDM2007-222 |
抄録 |
(和) |
我々はこれまでにNi内包フェリチンを用いて高品質のシリコン薄膜の結晶化に成功している。本研究では結晶化時間の短縮を目的として短時間にパルス状に温度変化させた急速熱処理方法(PRTA)に注目して結晶化を試みた。PRTAを用いることで結晶化時間の大幅な短縮が可能となり、フェリチン溶液濃度を最適化することで、平均粒径が5 μmを超える結晶粒のpoly-Si薄膜を形成することができた。 |
(英) |
Previously, we reported the fabrication method of high quality poly-Si thin film by using Ni core of ferritin with a diameter of 7 nm. In this study, we performed crystallization by pulsed rapid thermal annealing (PRTA) method for shortening crystallization time. Polycrystalline silicon thin film with crystal grain of average size of 5.4 m was obtained by PRTA with a low density of Ni core. This method is promising for fabricating high performance TFTs. |
キーワード |
(和) |
多結晶シリコン / 金属誘起固相成長法 / バイオナノプロセス / / / / / |
(英) |
poly-Si / Metal Induced Lateral Crystallization / Bio-nano Process / / / / / |
文献情報 |
信学技報, vol. 107, no. 388, SDM2007-222, pp. 1-4, 2007年12月. |
資料番号 |
SDM2007-222 |
発行日 |
2007-12-07 (SDM) |
ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) |
PDFダウンロード |
SDM2007-222 エレソ技報アーカイブへのリンク:SDM2007-222 |