お知らせ 2023年度・2024年度 学生員 会費割引キャンペーン実施中です
お知らせ 技術研究報告と和文論文誌Cの同時投稿施策(掲載料1割引き)について
お知らせ 電子情報通信学会における研究会開催について
お知らせ NEW 参加費の返金について
電子情報通信学会 研究会発表申込システム
講演論文 詳細
技報閲覧サービス
[ログイン]
技報アーカイブ
 トップに戻る 前のページに戻る   [Japanese] / [English] 

講演抄録/キーワード
講演名 2007-11-17 09:50
ホットメッシュCVD法によるSiCOI構造基板の作製とトップSi層厚依存性
牧野雄一郎三浦仁嗣西山 洋安井寛治高田雅介井上泰宣赤羽正志長岡技科大CPM2007-117 エレソ技報アーカイブへのリンク:CPM2007-117
抄録 (和) 高温に加熱したメッシュ状タングステンの触媒分解反応によって生成した高密度水素ラジカルを利用したホットメッシュ(HM-)CVD法を用い,モノメチルシランを原料ガスとして,SOI構造基板上への3C-SiC膜の低温ヘテロエピタキシャル成長を試みた.その結果,従来の常圧または,減圧CVD法では難しいとされる低温(750oC)でのヘテロエピタキシャル成長に成功した.さらに,この低温エピタキシャル成長により,薄いtop-Si層内に発生し易いボイドの形成を抑制し、SiC/Si界面の良好なSiC成長に成功した.また犠牲酸化によりtop-Si層厚を薄くしたSOI基板上に成長したところ,12nm以下のtop-Si層上への成長において結晶性の向上が見られた. 
(英) Epitaxial growth of 3C-SiC films on SOI substrates was investigated by hot-mesh (HM-) CVD method using monomethylsilane (MMS) as a source gas. Hot tungsten wires with a mesh structure was used as a catalyzer for the generation of high density H radicals. At substrate temperatures above750 oC and a mesh temperature of 1600 oC, 3C-SiC crystal was epitaxially grown on the SOI substrates. The voids are liable to be generated in the thin top-Si layer during the high-temperature growth process due to thermal instability of the thin-Si layer. However, using HM-CVD method, the void generation was suppressed by the low temperature growth without carbonization layer.
キーワード (和) 炭化ケイ素 / SOI / モノメチルシラン / HM-CVD / エピタキシャル成長 / 水素ラジカル / /  
(英) silicon carbide / SOI / monomethylsilane / hot-mesh CVD / epitaxial growth / H radical / /  
文献情報 信学技報, vol. 107, no. 325, CPM2007-117, pp. 65-68, 2007年11月.
資料番号 CPM2007-117 
発行日 2007-11-09 (CPM) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685    Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
PDFダウンロード CPM2007-117 エレソ技報アーカイブへのリンク:CPM2007-117

研究会情報
研究会 CPM  
開催期間 2007-11-16 - 2007-11-17 
開催地(和) 長岡技術科学大学 
開催地(英) Nagaoka University of Technology 
テーマ(和) 薄膜プロセス・材料、一般 
テーマ(英) Process of Thin Film formation and Materials, etc. 
講演論文情報の詳細
申込み研究会 CPM 
会議コード 2007-11-CPM 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) ホットメッシュCVD法によるSiCOI構造基板の作製とトップSi層厚依存性 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Preparation SiC/SOI structure substrate using Hot-Mesh CVD technique,and dependence of top Si layer thickness 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) 炭化ケイ素 / silicon carbide  
キーワード(2)(和/英) SOI / SOI  
キーワード(3)(和/英) モノメチルシラン / monomethylsilane  
キーワード(4)(和/英) HM-CVD / hot-mesh CVD  
キーワード(5)(和/英) エピタキシャル成長 / epitaxial growth  
キーワード(6)(和/英) 水素ラジカル / H radical  
キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 牧野 雄一郎 / Yuichiro Makino / マキノ ユウイチロウ
第1著者 所属(和/英) 長岡技術科学大学 (略称: 長岡技科大)
Nagaoka University of Technology (略称: Nagaoka Univ. of Tech.)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 三浦 仁嗣 / Hitoshi Miura / ミウラ ヒトシ
第2著者 所属(和/英) 長岡技術科学大学 (略称: 長岡技科大)
Nagaoka University of Technology (略称: Nagaoka Univ. of Tech.)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 西山 洋 / Hiroshi Nishiyama / ニシヤマ ヒロシ
第3著者 所属(和/英) 長岡技術科学大学 (略称: 長岡技科大)
Nagaoka University of Technology (略称: Nagaoka Univ. of Tech.)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 安井 寛治 / Kanji Yasui / ヤスイ カンジ
第4著者 所属(和/英) 長岡技術科学大学 (略称: 長岡技科大)
Nagaoka University of Technology (略称: Nagaoka Univ. of Tech.)
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) 高田 雅介 / Masasuke Takata / タカタ マサスケ
第5著者 所属(和/英) 長岡技術科学大学 (略称: 長岡技科大)
Nagaoka University of Technology (略称: Nagaoka Univ. of Tech.)
第6著者 氏名(和/英/ヨミ) 井上 泰宣 / Yasunobu Inoue / イノウエ ヤスノブ
第6著者 所属(和/英) 長岡技術科学大学 (略称: 長岡技科大)
Nagaoka University of Technology (略称: Nagaoka Univ. of Tech.)
第7著者 氏名(和/英/ヨミ) 赤羽 正志 / Tadashi Akahane / アカハネ タダシ
第7著者 所属(和/英) 長岡技術科学大学 (略称: 長岡技科大)
Nagaoka University of Technology (略称: Nagaoka Univ. of Tech.)
第8著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第8著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第9著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第9著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第10著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第10著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第11著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第11著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第12著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第12著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第13著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第13著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第14著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第14著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第15著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第15著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第16著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第16著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第17著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第17著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第18著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第18著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第19著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第19著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第20著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第20著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
講演者 第1著者 
発表日時 2007-11-17 09:50:00 
発表時間 25分 
申込先研究会 CPM 
資料番号 CPM2007-117 
巻番号(vol) vol.107 
号番号(no) no.325 
ページ範囲 pp.65-68 
ページ数
発行日 2007-11-09 (CPM) 


[研究会発表申込システムのトップページに戻る]

[電子情報通信学会ホームページ]


IEICE / 電子情報通信学会