講演抄録/キーワード |
講演名 |
2007-11-17 09:50
ホットメッシュCVD法によるSiCOI構造基板の作製とトップSi層厚依存性 ○牧野雄一郎・三浦仁嗣・西山 洋・安井寛治・高田雅介・井上泰宣・赤羽正志(長岡技科大) CPM2007-117 エレソ技報アーカイブへのリンク:CPM2007-117 |
抄録 |
(和) |
高温に加熱したメッシュ状タングステンの触媒分解反応によって生成した高密度水素ラジカルを利用したホットメッシュ(HM-)CVD法を用い,モノメチルシランを原料ガスとして,SOI構造基板上への3C-SiC膜の低温ヘテロエピタキシャル成長を試みた.その結果,従来の常圧または,減圧CVD法では難しいとされる低温(750oC)でのヘテロエピタキシャル成長に成功した.さらに,この低温エピタキシャル成長により,薄いtop-Si層内に発生し易いボイドの形成を抑制し、SiC/Si界面の良好なSiC成長に成功した.また犠牲酸化によりtop-Si層厚を薄くしたSOI基板上に成長したところ,12nm以下のtop-Si層上への成長において結晶性の向上が見られた. |
(英) |
Epitaxial growth of 3C-SiC films on SOI substrates was investigated by hot-mesh (HM-) CVD method using monomethylsilane (MMS) as a source gas. Hot tungsten wires with a mesh structure was used as a catalyzer for the generation of high density H radicals. At substrate temperatures above750 oC and a mesh temperature of 1600 oC, 3C-SiC crystal was epitaxially grown on the SOI substrates. The voids are liable to be generated in the thin top-Si layer during the high-temperature growth process due to thermal instability of the thin-Si layer. However, using HM-CVD method, the void generation was suppressed by the low temperature growth without carbonization layer. |
キーワード |
(和) |
炭化ケイ素 / SOI / モノメチルシラン / HM-CVD / エピタキシャル成長 / 水素ラジカル / / |
(英) |
silicon carbide / SOI / monomethylsilane / hot-mesh CVD / epitaxial growth / H radical / / |
文献情報 |
信学技報, vol. 107, no. 325, CPM2007-117, pp. 65-68, 2007年11月. |
資料番号 |
CPM2007-117 |
発行日 |
2007-11-09 (CPM) |
ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) |
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