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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2007-11-16 15:35 ガスフロースパッタ法で作製されたZrO2膜をバッファ層として用いたNiCr薄膜抵抗の抵抗温度係数 ○岩坪 聡（富山県工技センター）  CPM2007-110 エレソ技報アーカイブへのリンク：CPM2007-110 |
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| 抄録 | （和） | ZrO2膜をNiCr膜と基板との熱ひずみのバッファ層として用いた場合のNiCr抵抗体の抵抗温度係数(Temperature Coefficient of Resistance: TCR)特性の変化について調べた．NiCr膜はRFマグネトロンスパッタ法にて作製し，ZrO2膜はガスフロースパッタ法を用いて作製した．まず，Zr金属ターゲットを用いて，ガスフロースパッタ法の放電特性の考察を行い，その放電特性を最適化した．次に酸素を導入した反応性スパッタ法にて，膜構造の酸素流量依存性とスパッタ電力依存性を調べた．その結果，0.0125 sccm以上の酸素流量で，多結晶のZrO2膜が作製でき，さらにスパッタ電力を200 W以上にすると，高温相である正方晶(t-ZrO2)を含むポーラス構造の膜が作製できた．その膜の機械的特性はナノインデンテーション法により測定した．その膜はRFマグネトロンスパッタ法で作製した膜の20分の1の硬さを示した．そして，その膜をNiCr抵抗体のバッファ層として使用したNiCrのTCR特性は，平坦でより低剛性なZrO2膜を用いた場合に最も改善され，TCRが０のNiCr抵抗体を作製することができた． |
| （英） | The property of temperature coefficient of resistance (TCR) of NiCr film resistor with buffer layer of ZrO2 was investigated. The NiCr films and the ZrO2 films were deposited by RF magnetron sputtering (RFMS) and gas flow sputtering (GFS) as a parameter of sputtering power PS, respectively. PS dependence of the structure of the ZrO2 films and TCR of the NiCr films was investigated. The microstructure of the films was analyzed by XRD and SEM. The mechanical property of the ZrO2 films was measured by nanoindentation technique. The porous ZrO2 films of monoclinic and tetragonal crystal phases were deposited. The hardness of the ZrO2 films was very small. TCR of the NiCr films with the soft buffer layer of ZrO2 was improved. The NiCr film resistor of TCR of 0 was manufactured. | |
| キーワード | （和） | ZrO2 / スパッタリング / 機械的的特性 / NiCr / 薄膜 / 抵抗温度係数(TCR) / / |
| （英） | ZrO2 / sputtering / mechanical properties / NiCr / thin film / temperature coefficient of resistance (TCR) / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 107, no. 325, CPM2007-110, pp. 29-34, 2007年11月. | |
| 資料番号 | CPM2007-110 | |
| 発行日 | 2007-11-09 (CPM) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | CPM2007-110 エレソ技報アーカイブへのリンク：CPM2007-110 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | CPM |
| 開催期間 | 2007-11-16 - 2007-11-17 |
| 開催地（和） | 長岡技術科学大学 |
| 開催地（英） | Nagaoka University of Technology |
| テーマ（和） | 薄膜プロセス・材料、一般 |
| テーマ（英） | Process of Thin Film formation and Materials, etc. |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | CPM |
| 会議コード | 2007-11-CPM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | ガスフロースパッタ法で作製されたZrO2膜をバッファ層として用いたNiCr薄膜抵抗の抵抗温度係数 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Temperature Coefficient Resistance of NiCr Film Resistor with ZrO2 Buffer Layer Deposited by Gas Flow Sputtering |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | ZrO2 / ZrO2 |
| キーワード(2)（和/英） | スパッタリング / sputtering |
| キーワード(3)（和/英） | 機械的的特性 / mechanical properties |
| キーワード(4)（和/英） | NiCr / NiCr |
| キーワード(5)（和/英） | 薄膜 / thin film |
| キーワード(6)（和/英） | 抵抗温度係数(TCR) / temperature coefficient of resistance (TCR) |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 岩坪 聡 / Satoshi Iwatsubo / イワツボ サトシ |
| 第1著者 所属（和/英） | 富山県工業技術センター (略称： 富山県工技センター) Toyama Industrial Techonogy Center (略称： Toyama Industrial Tech. Ctr.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
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| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2007-11-16 15:35:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | CPM |
| 資料番号 | CPM2007-110 |
| 巻番号（vol） | vol.107 |
| 号番号（no） | no.325 |
| ページ範囲 | pp.29-34 |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2007-11-09 (CPM) |
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