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| 講演名 | 2007-11-16 12:55 Bi系高温超伝導デバイスの作製とその特性評価 ○吉田 隆・名和海明・富永隼賢・三輪 淳・加藤孝弘・濱崎勝義（長岡技科大）・島影 尚（NICT）  CPM2007-106 エレソ技報アーカイブへのリンク：CPM2007-106 |
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| 抄録 | （和） | Bi2Sr2CaCu2Ox (Bi-2212)単結晶を用いた内部スタックの作製法には，FIB法，double-side fabrication processがある．Bi-2212内部スタックの利点はBi-2212/Au (or Ag)のコンタクト抵抗を取り除くことができることである．我々は，これまで希塩酸処理法を用いてBi-2212表面スタックを作製してきた．このプロセスの特徴の1つは希塩酸（pH≧1.4）に浸漬させた結晶が透明な絶縁体になることである．今回，この現象を利用し，接合窓・電極以外のBi-2212単結晶を全て改質したBi-2212内部スタックを作製したので報告する．このプロセスにより，77Kで明瞭なヒステリシスをもつ固有ジョセフソン接合を作製することができた． |
| （英） | FIB (Focused Ion Beam) and double-side fabrication techniques were widely used to fabricate intrinsic Josephson junctions (IJJs) inside Bi-2212 single crystals. Main feature of such technique is able to remove the contact resistance of the Bi-2212/Au (or Ag). We have previously fabricated self-planarized Bi-2212 IJJs using acid-treated process. In this process, the Bi-2212 single crystal around the stack is varied to transparent and insulating material by soaking it into the dilute hydrochloric acid (pH≧1.4). In this study, we developed a new process to fabricate the IJJs inside the crystal using the transparent material. | |
| キーワード | （和） | 固有ジョセフソン接合 / 希塩酸処理法 / Bi-2212内部スタック / / / / / |
| （英） | intrinsic Josephson junctions(IJJs) / acid-treated process / IJJs inside Bi-2212 single crystal / / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 107, no. 325, CPM2007-106, pp. 7-11, 2007年11月. | |
| 資料番号 | CPM2007-106 | |
| 発行日 | 2007-11-09 (CPM) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | CPM2007-106 エレソ技報アーカイブへのリンク：CPM2007-106 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | CPM |
| 開催期間 | 2007-11-16 - 2007-11-17 |
| 開催地（和） | 長岡技術科学大学 |
| 開催地（英） | Nagaoka University of Technology |
| テーマ（和） | 薄膜プロセス・材料、一般 |
| テーマ（英） | Process of Thin Film formation and Materials, etc. |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | CPM |
| 会議コード | 2007-11-CPM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | Bi系高温超伝導デバイスの作製とその特性評価 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Fabrication and characterization of Bi-based high-Tc superconductor devices |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | 固有ジョセフソン接合 / intrinsic Josephson junctions(IJJs) |
| キーワード(2)（和/英） | 希塩酸処理法 / acid-treated process |
| キーワード(3)（和/英） | Bi-2212内部スタック / IJJs inside Bi-2212 single crystal |
| キーワード(4)（和/英） | / |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 吉田 隆 / Takashi Yoshida / ヨシダ タカシ |
| 第1著者 所属（和/英） | 長岡技術科学大学 (略称： 長岡技科大) Nagaoka University of Technology (略称： NUT) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 名和 海明 / Hiroaki Nawa / ナワ ヒロアキ |
| 第2著者 所属（和/英） | 長岡技術科学大学 (略称： 長岡技科大) Nagaoka University of Technology (略称： NUT) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 富永 隼賢 / Hayataka Tominaga / トミナガ ハヤタカ |
| 第3著者 所属（和/英） | 長岡技術科学大学 (略称： 長岡技科大) Nagaoka University of Technology (略称： NUT) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 三輪 淳 / Atsushi Miwa / ミワ アツシ |
| 第4著者 所属（和/英） | 長岡技術科学大学 (略称： 長岡技科大) Nagaoka University of Technology (略称： NUT) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 加藤 孝弘 / Takahiro Kato / カトウ タカヒロ |
| 第5著者 所属（和/英） | 長岡技術科学大学 (略称： 長岡技科大) Nagaoka University of Technology (略称： NUT) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） | 濱崎 勝義 / Katsuyoshi Hamasaki / ハマサキ カツヨシ |
| 第6著者 所属（和/英） | 長岡技術科学大学 (略称： 長岡技科大) Nagaoka University of Technology (略称： NUT) |
| 第7著者 氏名（和/英/ヨミ） | 島影 尚 / Hisashi Shimakage / シマカゲ ヒサシ |
| 第7著者 所属（和/英） | 情報通信研究機構 (略称： NICT) National Institute of Information and Communications Technology (略称： NICT) |
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| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2007-11-16 12:55:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | CPM |
| 資料番号 | CPM2007-106 |
| 巻番号（vol） | vol.107 |
| 号番号（no） | no.325 |
| ページ範囲 | pp.7-11 |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | 2007-11-09 (CPM) |
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