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講演抄録/キーワード
講演名 2007-11-16 16:10
ZrB2薄膜のキャラクタリゼーションとCu/SiO2間のバリヤ特性
武山真弓北見工大)・中台保夫神原正三アルバックマテリアル)・畠中正信アルバック)・野矢 厚北見工大CPM2007-111 エレソ技報アーカイブへのリンク:CPM2007-111
抄録 (和) Si-ULSI におけるCu 配線の拡散バリヤに、ZrB2 という新たな材料を適用するために、プロセスに適用可能な低温で堆積することが可能かどうか検討した。まず、ZrB2 膜のキャラクタリゼーションを検討した結果、ZrB2膜は基板温度を500℃まで変化させても、明確な結晶性を示さないこと、基板が異なる場合には、配向成長する場合があること、絶縁膜上と導体上では抵抗率が異なること等の特徴を有することがわかった。また、ZrB2 膜は700℃で1 時間の熱処理後においても、顕著な構造変化を示さない熱的に安定な材料であることが知られた。このZrB2膜をCu/SiO2 間の拡散バリヤとして適用した結果、3nm 程度と極めて薄いZrB2 膜を用いたにもかかわらず、500℃程度以上の熱処理に耐えられる優れたバリヤ特性を示すことが明らかとなった。したがって、ZrB2 膜は今後のSi-ULSI におけるバリヤ材料として十分に適用可能なことが示唆された。 
(英) The extremely thin diffusion barrier deposited at low temperature is urgently required for reliable Cu
interconnects applicable to 45 nm technology node or beyond. In the present study, we investigated the low-temperature
deposition of the ZrB2 barrier as an attractive material applicable to interconnects process. The thin ZrB2 film is obtained at
the deposition temperatures from room-temperature to 500 ℃, and is thermally stable up to 700 ℃ for 1 h without structural
change. Also, the structure of the ZrB2 film depends on the kinds of substrate, but not on the deposition temperature
examined.
The obtained ZrB2 barrier with 3nm thickness has good barrier properties without structural change and intermixing at every
interface in the Cu/ZrB2(3nm)/SiO2/Si system. We can demonstrate that the ZrB2 film is one of the materials applicable to the
extremely thin barrier of high reliability for Cu metallization technology.
キーワード (和) Cu 配線 / 拡散バリヤ / ZrB2 / 熱的安定性 / / / /  
(英) Cu interconnects / diffusion barrier / ZrB2 / thermal stability / / / /  
文献情報 信学技報, vol. 107, no. 325, CPM2007-111, pp. 35-38, 2007年11月.
資料番号 CPM2007-111 
発行日 2007-11-09 (CPM) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685    Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
PDFダウンロード CPM2007-111 エレソ技報アーカイブへのリンク:CPM2007-111

研究会情報
研究会 CPM  
開催期間 2007-11-16 - 2007-11-17 
開催地(和) 長岡技術科学大学 
開催地(英) Nagaoka University of Technology 
テーマ(和) 薄膜プロセス・材料、一般 
テーマ(英) Process of Thin Film formation and Materials, etc. 
講演論文情報の詳細
申込み研究会 CPM 
会議コード 2007-11-CPM 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) ZrB2薄膜のキャラクタリゼーションとCu/SiO2間のバリヤ特性 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Characterization and barrier properties of ZrB2 thin films for Cu interconnects 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) Cu 配線 / Cu interconnects  
キーワード(2)(和/英) 拡散バリヤ / diffusion barrier  
キーワード(3)(和/英) ZrB2 / ZrB2  
キーワード(4)(和/英) 熱的安定性 / thermal stability  
キーワード(5)(和/英) /  
キーワード(6)(和/英) /  
キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 武山 真弓 / Mayumi B. Takeyama / タケヤマ マユミ
第1著者 所属(和/英) 北見工業大学 (略称: 北見工大)
Kitami Institute of Technology (略称: Kitami Inst. of Technol.)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 中台 保夫 / Yasuo Nakadai / ナカダイ ヤスオ
第2著者 所属(和/英) アルバックマテリアル(株) (略称: アルバックマテリアル)
ULVAC Materials, Inc. (略称: ULVAC Materials, Inc.)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 神原 正三 / Shozo Kambara / カンバラ ショウゾウ
第3著者 所属(和/英) アルバックマテリアル(株) (略称: アルバックマテリアル)
ULVAC Materials, Inc. (略称: ULVAC Materials, Inc.)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 畠中 正信 / Masanobu Hatanaka / ハタナカ マサノブ
第4著者 所属(和/英) (株)アルバック (略称: アルバック)
ULVAC, Inc. (略称: ULVAC, Inc.)
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) 野矢 厚 / Atsushi Noya / ノヤ アツシ
第5著者 所属(和/英) 北見工業大学 (略称: 北見工大)
Kitami Institute of Technology (略称: Kitami Inst. of Technol.)
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講演者 第1著者 
発表日時 2007-11-16 16:10:00 
発表時間 25分 
申込先研究会 CPM 
資料番号 CPM2007-111 
巻番号(vol) vol.107 
号番号(no) no.325 
ページ範囲 pp.35-38 
ページ数
発行日 2007-11-09 (CPM) 


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