講演抄録/キーワード |
講演名 |
2007-11-16 16:10
ZrB2薄膜のキャラクタリゼーションとCu/SiO2間のバリヤ特性 ○武山真弓(北見工大)・中台保夫・神原正三(アルバックマテリアル)・畠中正信(アルバック)・野矢 厚(北見工大) CPM2007-111 エレソ技報アーカイブへのリンク:CPM2007-111 |
抄録 |
(和) |
Si-ULSI におけるCu 配線の拡散バリヤに、ZrB2 という新たな材料を適用するために、プロセスに適用可能な低温で堆積することが可能かどうか検討した。まず、ZrB2 膜のキャラクタリゼーションを検討した結果、ZrB2膜は基板温度を500℃まで変化させても、明確な結晶性を示さないこと、基板が異なる場合には、配向成長する場合があること、絶縁膜上と導体上では抵抗率が異なること等の特徴を有することがわかった。また、ZrB2 膜は700℃で1 時間の熱処理後においても、顕著な構造変化を示さない熱的に安定な材料であることが知られた。このZrB2膜をCu/SiO2 間の拡散バリヤとして適用した結果、3nm 程度と極めて薄いZrB2 膜を用いたにもかかわらず、500℃程度以上の熱処理に耐えられる優れたバリヤ特性を示すことが明らかとなった。したがって、ZrB2 膜は今後のSi-ULSI におけるバリヤ材料として十分に適用可能なことが示唆された。 |
(英) |
The extremely thin diffusion barrier deposited at low temperature is urgently required for reliable Cu
interconnects applicable to 45 nm technology node or beyond. In the present study, we investigated the low-temperature
deposition of the ZrB2 barrier as an attractive material applicable to interconnects process. The thin ZrB2 film is obtained at
the deposition temperatures from room-temperature to 500 ℃, and is thermally stable up to 700 ℃ for 1 h without structural
change. Also, the structure of the ZrB2 film depends on the kinds of substrate, but not on the deposition temperature
examined.
The obtained ZrB2 barrier with 3nm thickness has good barrier properties without structural change and intermixing at every
interface in the Cu/ZrB2(3nm)/SiO2/Si system. We can demonstrate that the ZrB2 film is one of the materials applicable to the
extremely thin barrier of high reliability for Cu metallization technology. |
キーワード |
(和) |
Cu 配線 / 拡散バリヤ / ZrB2 / 熱的安定性 / / / / |
(英) |
Cu interconnects / diffusion barrier / ZrB2 / thermal stability / / / / |
文献情報 |
信学技報, vol. 107, no. 325, CPM2007-111, pp. 35-38, 2007年11月. |
資料番号 |
CPM2007-111 |
発行日 |
2007-11-09 (CPM) |
ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
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