講演抄録/キーワード |
講演名 |
2007-11-16 13:00
イットリウムアルミネート(YAlO)薄膜の電気的特性評価 ○松之内恵子・小松直佳・木村千春・青木秀充・杉野 隆(阪大) R2007-46 ED2007-179 SDM2007-214 エレソ技報アーカイブへのリンク:ED2007-179 SDM2007-214 |
抄録 |
(和) |
ワイドバンドギャップ半導体を用いた高性能なハイパワーFETを実現するためには、バンドギャップが大きく、誘電率の高い絶縁膜が必要となる。特に、厳しい環境下で安定な動作をさせるためには、ゲート絶縁膜のリーク電流を抑制する必要があり、トランジスタの高性能化と両立する上では、高い誘電率のゲート絶縁膜を搭載することが望ましい。そこで、ゲート絶縁膜材料向けに、イットリウムアルミネート(YAlO)薄膜をはじめて評価した。MIS構造におけるリーク電流とチャージシフトの抑制が可能であることを確認した。YAlO薄膜がSiCやダイヤモンドなどのワイドバンドギャップ半導体に応用することのできる良好な絶縁膜であることが期待される。 |
(英) |
To achieve high power FET using wide bandgap semiconductor, a gate insulator film with a wide bandgap and a high dielectric constant (high-K) is required. Especially, to realize a stable operation for wide bandgap semiconductor devices under the severe environment, suppression of the leakage current of the gate insulator is required. We attempted to study Yttriumaluminate (YAlO) as a gate insulator film for the first time. We succeeded in suppressing gate leakage current and charge shifts in the MIS structure. This result suggests that the YAlO film can be applied for wide bandgap semiconductor devices such as SiC and diamond. |
キーワード |
(和) |
ゲート絶縁膜 / 高誘電率 / High-K / ワイドバンドギャップ半導体 / イットリウム / Al2O3 / MIS構造 / |
(英) |
gate insulator / high dielectric constant / High-K / wide bandgap semiconductor / Yttrium / Al2O3 / MIS structure / |
文献情報 |
信学技報, vol. 107, no. 319, ED2007-179, pp. 1-6, 2007年11月. |
資料番号 |
ED2007-179 |
発行日 |
2007-11-09 (R, ED, SDM) |
ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) |
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