講演抄録/キーワード |
講演名 |
2007-11-16 13:50
高温高圧水中でのSiCおよびGaN表面の酸化処理 ○二ツ木高志(阪大/オルガノ)・大江太郎(オルガノ)・青木秀充・小松直佳・木村千春・杉野 隆(阪大) R2007-48 ED2007-181 SDM2007-216 エレソ技報アーカイブへのリンク:ED2007-181 SDM2007-216 |
抄録 |
(和) |
ワイドバンドギャップ化合物半導体のSiC, GaNに高性能なFETを作製するには良好な絶縁膜の形成が不可欠である。両材料は難酸化性のため従来の熱酸化法では高温長時間処理が必要である。我々は従来の熱酸化より低温かつ短時間で酸化膜を形成する方法として、超臨界水や亜臨界水といった高温高圧水を利用した酸化方法を検討している。反応温度・圧力を操作因子とした実験の結果、400℃, 25MPaの超臨界水の1時間処理でSiC表面に50nm程度の酸化膜を形成できることを初めて明らかにした。従来のSiC熱酸化(1200℃)と比較して大幅なプロセス低温化の可能性を示した。GaN表面においては400℃, 25MPaの超臨界水酸化でストイキオメトリなGa2O3組成膜が形成されることを確認した。 |
(英) |
The field effect transistor (FET) devices on Silicon Carbide (SiC) and Gallium nitride (GaN), which have a wide bandgap, are under development to realize high power operation. In order to improve the performance of FET, the formation of gate insulator film on semiconductor is a serious issue. High temperature and long time are required to oxidize SiC and GaN by the conventional thermal dry oxidation. We have investigated the SiC and GaN oxidation process using high pressure and high temperature water, so that the SiC and GaN oxidation could be done at low temperature. In this paper, we firstly report that 50nm oxide film is formed on SiC surface by the supercritical water oxidation (400℃, 25 MPa, 1 hour). We also found that the stoichiometric Ga2O3 layer is formed on GaN surface by the supercritical water oxidation (400℃, 25MPa). |
キーワード |
(和) |
SiC / GaN / FET / 酸化膜 / 超臨界水 / 亜臨界水 / 高温高圧水 / |
(英) |
SiC / GaN / FET / oxide / supercritical water / subcritical water / high pressure / high temperature |
文献情報 |
信学技報, vol. 107, no. 319, ED2007-181, pp. 13-17, 2007年11月. |
資料番号 |
ED2007-181 |
発行日 |
2007-11-09 (R, ED, SDM) |
ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
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