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講演抄録/キーワード
講演名 2007-11-16 13:50
高温高圧水中でのSiCおよびGaN表面の酸化処理
二ツ木高志阪大/オルガノ)・大江太郎オルガノ)・青木秀充小松直佳木村千春杉野 隆阪大R2007-48 ED2007-181 SDM2007-216 エレソ技報アーカイブへのリンク:ED2007-181 SDM2007-216
抄録 (和) ワイドバンドギャップ化合物半導体のSiC, GaNに高性能なFETを作製するには良好な絶縁膜の形成が不可欠である。両材料は難酸化性のため従来の熱酸化法では高温長時間処理が必要である。我々は従来の熱酸化より低温かつ短時間で酸化膜を形成する方法として、超臨界水や亜臨界水といった高温高圧水を利用した酸化方法を検討している。反応温度・圧力を操作因子とした実験の結果、400℃, 25MPaの超臨界水の1時間処理でSiC表面に50nm程度の酸化膜を形成できることを初めて明らかにした。従来のSiC熱酸化(1200℃)と比較して大幅なプロセス低温化の可能性を示した。GaN表面においては400℃, 25MPaの超臨界水酸化でストイキオメトリなGa2O3組成膜が形成されることを確認した。 
(英) The field effect transistor (FET) devices on Silicon Carbide (SiC) and Gallium nitride (GaN), which have a wide bandgap, are under development to realize high power operation. In order to improve the performance of FET, the formation of gate insulator film on semiconductor is a serious issue. High temperature and long time are required to oxidize SiC and GaN by the conventional thermal dry oxidation. We have investigated the SiC and GaN oxidation process using high pressure and high temperature water, so that the SiC and GaN oxidation could be done at low temperature. In this paper, we firstly report that 50nm oxide film is formed on SiC surface by the supercritical water oxidation (400℃, 25 MPa, 1 hour). We also found that the stoichiometric Ga2O3 layer is formed on GaN surface by the supercritical water oxidation (400℃, 25MPa).
キーワード (和) SiC / GaN / FET / 酸化膜 / 超臨界水 / 亜臨界水 / 高温高圧水 /  
(英) SiC / GaN / FET / oxide / supercritical water / subcritical water / high pressure / high temperature  
文献情報 信学技報, vol. 107, no. 319, ED2007-181, pp. 13-17, 2007年11月.
資料番号 ED2007-181 
発行日 2007-11-09 (R, ED, SDM) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685  Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
PDFダウンロード R2007-48 ED2007-181 SDM2007-216 エレソ技報アーカイブへのリンク:ED2007-181 SDM2007-216

研究会情報
研究会 SDM R ED  
開催期間 2007-11-16 - 2007-11-16 
開催地(和) 中央電気倶楽部 
開催地(英)  
テーマ(和) 半導体表面・界面制御・評価と電子デバイスの信頼性 
テーマ(英)  
講演論文情報の詳細
申込み研究会 ED 
会議コード 2007-11-SDM-R-ED 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) 高温高圧水中でのSiCおよびGaN表面の酸化処理 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Oxidation of SiC and GaN Surface in High Pressure and High Temperature Water 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) SiC / SiC  
キーワード(2)(和/英) GaN / GaN  
キーワード(3)(和/英) FET / FET  
キーワード(4)(和/英) 酸化膜 / oxide  
キーワード(5)(和/英) 超臨界水 / supercritical water  
キーワード(6)(和/英) 亜臨界水 / subcritical water  
キーワード(7)(和/英) 高温高圧水 / high pressure  
キーワード(8)(和/英) / high temperature  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 二ツ木 高志 / Takashi Futatsuki / フタツキ タカシ
第1著者 所属(和/英) オルガノ株式会社 (略称: 阪大/オルガノ)
Organo Corporation (略称: Organo Corp.)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 大江 太郎 / Taro Oe / オオエ タロウ
第2著者 所属(和/英) オルガノ株式会社 (略称: オルガノ)
Organo Corporation (略称: Organo Corp.)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 青木 秀充 / Hidemitsu Aoki / アオキ ヒデミツ
第3著者 所属(和/英) 大阪大学 (略称: 阪大)
Osaka University (略称: Osaka Univ.)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 小松 直佳 / Naoyoshi Komatsu / コマツ ナオヨシ
第4著者 所属(和/英) 大阪大学 (略称: 阪大)
Osaka University (略称: Osaka Univ.)
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) 木村 千春 / Chiharu Kimura / キムラ チハル
第5著者 所属(和/英) 大阪大学 (略称: 阪大)
Osaka University (略称: Osaka Univ.)
第6著者 氏名(和/英/ヨミ) 杉野 隆 / Takashi Sugino / スギノ タカシ
第6著者 所属(和/英) 大阪大学 (略称: 阪大)
Osaka University (略称: Osaka Univ.)
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講演者
発表日時 2007-11-16 13:50:00 
発表時間 25 
申込先研究会 ED 
資料番号 IEICE-R2007-48,IEICE-ED2007-181,IEICE-SDM2007-216 
巻番号(vol) IEICE-107 
号番号(no) no.318(R), no.319(ED), no.320(SDM) 
ページ範囲 pp.13-17 
ページ数 IEICE-5 
発行日 IEICE-R-2007-11-09,IEICE-ED-2007-11-09,IEICE-SDM-2007-11-09 


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