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講演抄録/キーワード
講演名 2007-11-15 16:15
マイクロ波帯/準ミリ波帯における低周波増幅器の非線形応答の実験的評価
妹尾宏樹二ッ森俊一日景 隆野島俊雄北大EMCJ2007-86
抄録 (和) 携帯電話,無線LAN,RFID機器等のユビキタス社会を構成するモバイルデバイスの普及により,身近な範囲での無線通信機器の使用機会が増加している.そのため,このような機器が他の電子機器に与える電磁干渉(Electromagnetic interference,EMI)について,慎重に調査し,干渉問題を解決することが必要である.マイクロ波帯/準ミリ波帯信号が低周波数帯で動作する電子機器に及ぼすEMIは,内部素子の非線形応答により発生する低周波数の干渉信号に起因する.本報告では,ばく露信号周波数の違いによる干渉信号の発生量を定量的に評価するため,汎用トランジスタおよび汎用オペアンプICを用いた低周波基本増幅器の非線形応答を実験的に評価する.まず,干渉信号の発生主要因がデバイスの検波特性であることを確認するため,ばく露信号周波数を1 GHz一定として干渉試験を行った結果,ばく露電界強度値の2乗に比例した干渉信号電力が得られた.次に1 GHz~25 GHzにおいて80 V/mの一定電界強度値でばく露試験を行った.その結果,3種のトランジスタ1段低周波増幅回路において平均して-17 dB/octの傾きで干渉信号は減衰し,20 GHz以上では-90 dBmの測定限界以下となることを確認した. 
(英) Abstract Electromagnetic interference (EMI) due to microwave/quasi-millimeter waveband radio waves on low- frequency electronic equipments is mainly caused by nonlinear characteristics of their internal circuits. This is because the envelope of high-frequency signal is detected by the nonlinear response of circuit elements. In this report, to investigate characteristics of interference signal generated by the nonlinear response, interference signal levels depending on frequencies and field strengths of exposure signals are experimentally obtained. Firstly, six types of low frequency basic amplifiers consisting of a single transistor or an operational amplifier IC are fabricated. Secondly, to examine the detection level depending on field strength of 1 GHz exposure signal, measurements of interference signal are carried out. The exposure signal is amplitude modulated at 1 kHz. We have confirmed 1 kHz interference signal level is proportional to the square of exposed electric field strength. Then, to obtain the detection level depending on frequency of exposure signal, EMI experiments using 1 GHz - 25 GHz amplitude modulated signal are conducted. It is confirmed that interference signal levels of transistor amplifiers are rapidly decreased by slope of 17 dB/oct. In addition, when the frequency of exposure signal is above 20 GHz, interference signal level is below –90 dBm.
キーワード (和) 電磁干渉 / 非線形応答 / 検波特性 / / / / /  
(英) electromagnetic interference (EMI) / nonlinear response / detection characteristic / / / / /  
文献情報 信学技報, vol. 107, no. 310, EMCJ2007-86, pp. 33-36, 2007年11月.
資料番号 EMCJ2007-86 
発行日 2007-11-08 (EMCJ) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685    Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
PDFダウンロード EMCJ2007-86

研究会情報
研究会 EMCJ  
開催期間 2007-11-15 - 2007-11-16 
開催地(和) 東京工業大学 
開催地(英) Tokyo Instutute of Technology 
テーマ(和) 生体/一般 
テーマ(英)  
講演論文情報の詳細
申込み研究会 EMCJ 
会議コード 2007-11-EMCJ 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) マイクロ波帯/準ミリ波帯における低周波増幅器の非線形応答の実験的評価 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) An experimental investigation on typical low frequency amplifiers nonlinear response to microwave/quasi-millimeter wave interference 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) 電磁干渉 / electromagnetic interference (EMI)  
キーワード(2)(和/英) 非線形応答 / nonlinear response  
キーワード(3)(和/英) 検波特性 / detection characteristic  
キーワード(4)(和/英) /  
キーワード(5)(和/英) /  
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キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 妹尾 宏樹 / Hiroki Seo / セオ ヒロキ
第1著者 所属(和/英) 北海道大学 (略称: 北大)
Hokkaido University (略称: Hokkaido Univ.)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 二ッ森 俊一 / Shunichi Futatsumori / フタツモリ シュンイチ
第2著者 所属(和/英) 北海道大学 (略称: 北大)
Hokkaido University (略称: Hokkaido Univ.)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 日景 隆 / Takashi Hikage / ヒカゲ タカシ
第3著者 所属(和/英) 北海道大学 (略称: 北大)
Hokkaido University (略称: Hokkaido Univ.)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 野島 俊雄 / Toshio Nojima / ノジマ トシオ
第4著者 所属(和/英) 北海道大学 (略称: 北大)
Hokkaido University (略称: Hokkaido Univ.)
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講演者 第1著者 
発表日時 2007-11-15 16:15:00 
発表時間 25分 
申込先研究会 EMCJ 
資料番号 EMCJ2007-86 
巻番号(vol) vol.107 
号番号(no) no.310 
ページ範囲 pp.33-36 
ページ数
発行日 2007-11-08 (EMCJ) 


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