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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2007-10-30 15:00 <110>チャネルnMOS移動度のストレスライナー膜による影響 ○高篠裕行・岡垣 健・内田哲也・林 岳・谷沢元昭・佃 栄次・永久克己・若原祥史・石川清志・土屋 修・井上靖朗（ルネサステクノロジ）  VLD2007-57 SDM2007-201 エレソ技報アーカイブへのリンク：SDM2007-201 |
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| 抄録 | （和） | 電子の有効ハミルトニアンから剪断歪みと量子閉じ込め現象を取り込んだモデルを提 案。曲げ実験から65nmノードのストレスライナー窒化膜を用 いたnMOSFETまでの広範囲にわたる解析をTCADにより行なった。 これにより<110>方向が最適なチャネル方向であることがわかった。 |
| （英） | Numerical study in conjunction with comprehensive bending experiments has demonstrated that \orientation{100}-Si has the optimum channel direction along <110> in terms of the device performance of strained 65nm-node nMOSFETs with Contact Etch Stop Layer (CESL), and that both the shear strain component and the quantum confinement effect play an important role in this superiority. |
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| キーワード | （和） | 剪断歪み / 量子効果 / ライナー膜 / ドリフト拡散シミュレータ / / / / |
| （英） | Shear Strain / Quantum Confinement Effect / CESL / Drift-Diffusion Simulator / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 107, no. 297, SDM2007-201, pp. 33-36, 2007年10月. | |
| 資料番号 | SDM2007-201 | |
| 発行日 | 2007-10-23 (VLD, SDM) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | VLD2007-57 SDM2007-201 エレソ技報アーカイブへのリンク：SDM2007-201 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM VLD |
| 開催期間 | 2007-10-30 - 2007-10-31 |
| 開催地（和） | 機械振興会館 |
| 開催地（英） | Kikai-Shinko-Kaikan Bldg. |
| テーマ（和） | プロセス・デバイス・回路シミュレーションおよび一般 |
| テーマ（英） | Process, Device, Circuit Simulation, etc. |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | SDM |
| 会議コード | 2007-10-SDM-VLD |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | <110>チャネルnMOS移動度のストレスライナー膜による影響 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Impact of Shear Strain and Quantum Confinement on <110> Channel nMOSFET with High-Stress CESL |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | 剪断歪み / Shear Strain |
| キーワード(2)（和/英） | 量子効果 / Quantum Confinement Effect |
| キーワード(3)（和/英） | ライナー膜 / CESL |
| キーワード(4)（和/英） | ドリフト拡散シミュレータ / Drift-Diffusion Simulator |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 高篠 裕行 / Hiroyuki Takashino / タカシノ ヒロユキ |
| 第1著者 所属（和/英） | ルネサステクノロジ (略称： ルネサステクノロジ) Renesas Technology Corporation (略称： Renesas Technology Corp.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 岡垣 健 / Takeshi Okagaki / オカガキ タケシ |
| 第2著者 所属（和/英） | ルネサステクノロジ (略称： ルネサステクノロジ) Renesas Technology Corporation (略称： Renesas Technology Corp.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 内田 哲也 / Tetsuya Uchida / ウチダ テツヤ |
| 第3著者 所属（和/英） | ルネサステクノロジ (略称： ルネサステクノロジ) Renesas Technology Corporation (略称： Renesas Technology Corp.) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 林 岳 / Takashi Hayashi / ハヤシ タカシ |
| 第4著者 所属（和/英） | ルネサステクノロジ (略称： ルネサステクノロジ) Renesas Technology Corporation (略称： Renesas Technology Corp.) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 谷沢 元昭 / Motoaki Tanizawa / タニザワ モトアキ |
| 第5著者 所属（和/英） | ルネサステクノロジ (略称： ルネサステクノロジ) Renesas Technology Corporation (略称： Renesas Technology Corp.) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） | 佃 栄次 / Eiji Tsukuda / ツクダ エイジ |
| 第6著者 所属（和/英） | ルネサステクノロジ (略称： ルネサステクノロジ) Renesas Technology Corporation (略称： Renesas Technology Corp.) |
| 第7著者 氏名（和/英/ヨミ） | 永久 克己 / Katsumi Eikyu / エイキュウ カツミ |
| 第7著者 所属（和/英） | ルネサステクノロジ (略称： ルネサステクノロジ) Renesas Technology Corporation (略称： Renesas Technology Corp.) |
| 第8著者 氏名（和/英/ヨミ） | 若原 祥史 / Shoji Wakahara / ワカハラ ショウジ |
| 第8著者 所属（和/英） | ルネサステクノロジ (略称： ルネサステクノロジ) Renesas Technology Corporation (略称： Renesas Technology Corp.) |
| 第9著者 氏名（和/英/ヨミ） | 石川 清志 / Kiyoshi Ishikawa / イシカワ キヨシ |
| 第9著者 所属（和/英） | ルネサステクノロジ (略称： ルネサステクノロジ) Renesas Technology Corporation (略称： Renesas Technology Corp.) |
| 第10著者 氏名（和/英/ヨミ） | 土屋 修 / Osamu Tsuchiya / ツチヤ オサム |
| 第10著者 所属（和/英） | ルネサステクノロジ (略称： ルネサステクノロジ) Renesas Technology Corporation (略称： Renesas Technology Corp.) |
| 第11著者 氏名（和/英/ヨミ） | 井上 靖朗 / Yasuo Inoue / イノウエ ヤスオ |
| 第11著者 所属（和/英） | ルネサステクノロジ (略称： ルネサステクノロジ) Renesas Technology Corporation (略称： Renesas Technology Corp.) |
| 第12著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
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| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2007-10-30 15:00:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | SDM |
| 資料番号 | VLD2007-57, SDM2007-201 |
| 巻番号（vol） | vol.107 |
| 号番号（no） | no.295(VLD), no.297(SDM) |
| ページ範囲 | pp.33-36 |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2007-10-23 (VLD, SDM) |
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