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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2007-10-30 10:25 量子補正モンテカルロシミュレーションによる非Si材料nチャネルMOSFETの電流駆動力評価 ○森 隆志・東 祐介・土屋英昭（神戸大）  VLD2007-51 SDM2007-195 エレソ技報アーカイブへのリンク：SDM2007-195 |
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| 抄録 | （和） | 近年，極微細n-チャネルMOSFETの電流駆動力を向上させるために，Geや?-?族化合物半導体等の高移動度チャネル材料の導入が検討されている。これらの新材料MOSFETのデバイス性能を予測するには，バルク移動度を用いた単純な比較だけでは不十分であり，材料の持つバレー構造や散乱の影響に加え，量子閉じ込め効果による反転層広がりなどを考慮した解析が重要である。本稿では，量子補正モンテカルロ法を用いて非Si材料MOSFETの電流駆動力を評価し，従来のSi MOSFETとの比較を行った結果を報告する。 |
| （英） | A variety of new channel materials have been intensively studied to achieve a continuous enhancement in drive current of n-channel MOSFETs. To precisely estimate the device performance of MOSFETs with the new channel materials, a device simulation considering bandstructure, scattering and quantum mechanical effects is indispensable. In this paper, we present a quantum-corrected Monte Carlo device simulation to examine advantages of new channel materials such as III-V compound semiconductors and Ge. | |
| キーワード | （和） | 高移動度チャネル材料 / 電流駆動力 / 量子補正モンテカルロ法 / 準バリスティック輸送 / / / / |
| （英） | high-mobility channel materials / drive current / quantum-corrected Monte Carlo method / quasi-ballistic transport / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 107, no. 297, SDM2007-195, pp. 5-10, 2007年10月. | |
| 資料番号 | SDM2007-195 | |
| 発行日 | 2007-10-23 (VLD, SDM) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | VLD2007-51 SDM2007-195 エレソ技報アーカイブへのリンク：SDM2007-195 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM VLD |
| 開催期間 | 2007-10-30 - 2007-10-31 |
| 開催地（和） | 機械振興会館 |
| 開催地（英） | Kikai-Shinko-Kaikan Bldg. |
| テーマ（和） | プロセス・デバイス・回路シミュレーションおよび一般 |
| テーマ（英） | Process, Device, Circuit Simulation, etc. |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | SDM |
| 会議コード | 2007-10-SDM-VLD |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 量子補正モンテカルロシミュレーションによる非Si材料nチャネルMOSFETの電流駆動力評価 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Comparative Study on Drive Current of non-Si n-Channel MOSFETs based on Quantum-Corrected Monte Calro Simulation |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | 高移動度チャネル材料 / high-mobility channel materials |
| キーワード(2)（和/英） | 電流駆動力 / drive current |
| キーワード(3)（和/英） | 量子補正モンテカルロ法 / quantum-corrected Monte Carlo method |
| キーワード(4)（和/英） | 準バリスティック輸送 / quasi-ballistic transport |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 森 隆志 / Takashi Mori / モリ タカシ |
| 第1著者 所属（和/英） | 神戸大学 (略称： 神戸大) Kobe University (略称： Kobe Univ.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 東 祐介 / Yuusuke Azuma / アズマ ユウスケ |
| 第2著者 所属（和/英） | 神戸大学 (略称： 神戸大) Kobe University (略称： Kobe Univ.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 土屋 英昭 / Hideaki Tsuchiya / ツチヤ ヒデアキ |
| 第3著者 所属（和/英） | 神戸大学 (略称： 神戸大) Kobe University (略称： Kobe Univ.) |
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| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2007-10-30 10:25:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | SDM |
| 資料番号 | VLD2007-51, SDM2007-195 |
| 巻番号（vol） | vol.107 |
| 号番号（no） | no.295(VLD), no.297(SDM) |
| ページ範囲 | pp.5-10 |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2007-10-23 (VLD, SDM) |
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