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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2007-10-30 15:50 65nmノード歪みpMOSFETのホール伝導における全応力の効果の検証 ○佃 栄次（ルネサステクノロジ）・鎌倉良成（阪大）・高篠裕行・岡垣 健・内田哲也・林 岳・谷沢元昭・永久克己・若原祥史・石川清志・土屋 修・井上靖朗（ルネサステクノロジ）・谷口研二（阪大）  VLD2007-59 SDM2007-203 エレソ技報アーカイブへのリンク：SDM2007-203 |
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| 抄録 | （和） | 本研究では、フル3D プロセスシミュレーターによる応力計算と反転層のサブバンドを考慮したkp 法にもとづくバンド計算からなるシステムを開発し、実際に65nm ノードのデバイスの実測値と比較した。シミュレーション結果は実測と一致し、全応力テンソルを考慮したデバイス構造の最適化に有効である事が分かった |
| （英） | We have developed a system consisting of a full-3D process simulator for stress calculation and k·pband calculation that takes into account the subband structure. Our simulations are in good agreement with the experimental data of strained Si-pMOSFETs of 65nm technology devices. This system is a powerful tool to optimize device structures with all stress components. | |
| キーワード | （和） | 歪み / 応力 / PMOS / KP法 / 65nm / シミュレーション / / |
| （英） | strain / stress / PMOS / kp method / 65nm / simulation / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 107, no. 297, SDM2007-203, pp. 43-46, 2007年10月. | |
| 資料番号 | SDM2007-203 | |
| 発行日 | 2007-10-23 (VLD, SDM) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | VLD2007-59 SDM2007-203 エレソ技報アーカイブへのリンク：SDM2007-203 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM VLD |
| 開催期間 | 2007-10-30 - 2007-10-31 |
| 開催地（和） | 機械振興会館 |
| 開催地（英） | Kikai-Shinko-Kaikan Bldg. |
| テーマ（和） | プロセス・デバイス・回路シミュレーションおよび一般 |
| テーマ（英） | Process, Device, Circuit Simulation, etc. |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | SDM |
| 会議コード | 2007-10-SDM-VLD |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 65nmノード歪みpMOSFETのホール伝導における全応力の効果の検証 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Validation of the Effect of Full Stress Tensor in HoleTransport in Strained 65nm-node pMOSFETs |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | 歪み / strain |
| キーワード(2)（和/英） | 応力 / stress |
| キーワード(3)（和/英） | PMOS / PMOS |
| キーワード(4)（和/英） | KP法 / kp method |
| キーワード(5)（和/英） | 65nm / 65nm |
| キーワード(6)（和/英） | シミュレーション / simulation |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 佃 栄次 / Eiji Tsukuda / ツクダ エイジ |
| 第1著者 所属（和/英） | ルネサステクノロジ (略称： ルネサステクノロジ) Renesas Technology (略称： Renesas) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 鎌倉 良成 / Yoshinari Kamakura / カマクラ ヨシナリ |
| 第2著者 所属（和/英） | 大阪大学 (略称： 阪大) Osaka University (略称： Osaka Univ.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 高篠 裕行 / Hiroyuki Takashino / タカシノ ヒロユキ |
| 第3著者 所属（和/英） | ルネサステクノロジ (略称： ルネサステクノロジ) Renesas Technology (略称： Renesas) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 岡垣 健 / Takeshi Okagaki / オカガキ タケシ |
| 第4著者 所属（和/英） | ルネサステクノロジ (略称： ルネサステクノロジ) Renesas Technology (略称： Renesas) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 内田 哲也 / Tetsuya Uchida / ウチダ テツヤ |
| 第5著者 所属（和/英） | ルネサステクノロジ (略称： ルネサステクノロジ) Renesas Technology (略称： Renesas) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） | 林 岳 / Takashi Hayashi / ハヤシ タカシ |
| 第6著者 所属（和/英） | ルネサステクノロジ (略称： ルネサステクノロジ) Renesas Technology (略称： Renesas) |
| 第7著者 氏名（和/英/ヨミ） | 谷沢 元昭 / Motoaki Tanizawa / タニザワ モトアキ |
| 第7著者 所属（和/英） | ルネサステクノロジ (略称： ルネサステクノロジ) Renesas Technology (略称： Renesas) |
| 第8著者 氏名（和/英/ヨミ） | 永久 克己 / Katsumi Eikyu / エイキュウ カツミ |
| 第8著者 所属（和/英） | ルネサステクノロジ (略称： ルネサステクノロジ) Renesas Technology (略称： Renesas) |
| 第9著者 氏名（和/英/ヨミ） | 若原 祥史 / Shoji Wakahara / ワカハラ ショウジ |
| 第9著者 所属（和/英） | ルネサステクノロジ (略称： ルネサステクノロジ) Renesas Technology (略称： Renesas) |
| 第10著者 氏名（和/英/ヨミ） | 石川 清志 / Kiyoshi Ishikawa / イシカワ キヨシ |
| 第10著者 所属（和/英） | ルネサステクノロジ (略称： ルネサステクノロジ) Renesas Technology (略称： Renesas) |
| 第11著者 氏名（和/英/ヨミ） | 土屋 修 / Osamu Tsuchiya / ツチヤ オサム |
| 第11著者 所属（和/英） | ルネサステクノロジ (略称： ルネサステクノロジ) Renesas Technology (略称： Renesas) |
| 第12著者 氏名（和/英/ヨミ） | 井上 靖朗 / Yasuo Inoue / イノウエ ヤスオ |
| 第12著者 所属（和/英） | ルネサステクノロジ (略称： ルネサステクノロジ) Renesas Technology (略称： Renesas) |
| 第13著者 氏名（和/英/ヨミ） | 谷口 研二 / Kenji Taniguchi / タニグチ ケンジ |
| 第13著者 所属（和/英） | 大阪大学 (略称： 阪大) Osaka University (略称： Osaka Univ.) |
| 第14著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第14著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第15著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
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| 第18著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2007-10-30 15:50:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | SDM |
| 資料番号 | VLD2007-59, SDM2007-203 |
| 巻番号（vol） | vol.107 |
| 号番号（no） | no.295(VLD), no.297(SDM) |
| ページ範囲 | pp.43-46 |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2007-10-23 (VLD, SDM) |
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