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講演抄録/キーワード
講演名 2007-10-12 12:05
Ku帯50W出力AlGaN/GaN-HEMTの開発
柏原 康高木重徳増田和俊松下景一小野寺 賢高木一考川崎久夫高田賢治津田邦男東芝ED2007-172 CPM2007-98 LQE2007-73 エレソ技報アーカイブへのリンク:ED2007-172 CPM2007-98 LQE2007-73
抄録 (和) AlGaN/GaN HEMT 2チップをパッケージ実装した素子において、13.5GHz、CW動作、ドレイン電圧(Vds)30Vにて、最大出力56W(47.5dBm)を得た。この時の線形利得(GL)は8.4dB, 最大電力付加効率(PAE)は16.5%であった。 
(英) AlGaN/GaN High Electron Mobility Transistors (HEMTs) were developed for Ku-band applications. The operating voltage and temperature dependence of output power characteristics in CW operating conditions were investigated. The developed AlGaN/GaN HEMT with 23.04 mm gate periphery exhibits output power of over 50W with a power added efficiency (PAE) of 16.5% under VDS=30V, CW operating condition at 13.5GHz.
キーワード (和) AlGaN / GaN / HEMT / Ku帯 / 50W / 高出力 / /  
(英) AlGaN / GaN / HEMT / Ku-band / 50W / high power / /  
文献情報 信学技報, vol. 107, no. 251, ED2007-172, pp. 81-84, 2007年10月.
資料番号 ED2007-172 
発行日 2007-10-04 (ED, CPM, LQE) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685    Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
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研究会情報
研究会 CPM ED LQE  
開催期間 2007-10-11 - 2007-10-12 
開催地(和) 福井大学 
開催地(英) Fukui Univ. 
テーマ(和) 窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般 
テーマ(英) Nitride Based Optical and Electronic Devices, Materials and Related Technologies 
講演論文情報の詳細
申込み研究会 ED 
会議コード 2007-10-CPM-ED-LQE 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) Ku帯50W出力AlGaN/GaN-HEMTの開発 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Ku-band AlGaN/GaN HEMTs with 50W Output Power 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) AlGaN / AlGaN  
キーワード(2)(和/英) GaN / GaN  
キーワード(3)(和/英) HEMT / HEMT  
キーワード(4)(和/英) Ku帯 / Ku-band  
キーワード(5)(和/英) 50W / 50W  
キーワード(6)(和/英) 高出力 / high power  
キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 柏原 康 / Yasushi Kashiwabara / カシワバラ ヤスシ
第1著者 所属(和/英) 東芝社会システム社 小向工場 マイクロ波技術部 (略称: 東芝)
Microwave Solid-state Engineering Dept., Komukai Operations, Toshiba Corporation (略称: Toshiba)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 高木 重徳 / Shigenori Takagi / タカギ シゲノリ
第2著者 所属(和/英) 東芝社会システム社 小向工場 マイクロ波技術部 (略称: 東芝)
Microwave Solid-state Engineering Dept., Komukai Operations, Toshiba Corporation (略称: Toshiba)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 増田 和俊 / Kazutoshi Masuda / マスダ カズトシ
第3著者 所属(和/英) 東芝社会システム社 小向工場 マイクロ波技術部 (略称: 東芝)
Microwave Solid-state Engineering Dept., Komukai Operations, Toshiba Corporation (略称: Toshiba)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 松下 景一 / Keiichi Matsushita / マツシタ ケイイチ
第4著者 所属(和/英) 東芝社会システム社 小向工場 マイクロ波技術部 (略称: 東芝)
Microwave Solid-state Engineering Dept., Komukai Operations, Toshiba Corporation (略称: Toshiba)
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) 小野寺 賢 / Ken Onodera / オノデラ ケン
第5著者 所属(和/英) 東芝社会システム社 小向工場 マイクロ波技術部 (略称: 東芝)
Microwave Solid-state Engineering Dept., Komukai Operations, Toshiba Corporation (略称: Toshiba)
第6著者 氏名(和/英/ヨミ) 高木 一考 / Kazutaka Takagi / タカギ カズタカ
第6著者 所属(和/英) 東芝社会システム社 小向工場 マイクロ波技術部 (略称: 東芝)
Microwave Solid-state Engineering Dept., Komukai Operations, Toshiba Corporation (略称: Toshiba)
第7著者 氏名(和/英/ヨミ) 川崎 久夫 / Hisao Kawasaki / カワサキ ヒサオ
第7著者 所属(和/英) 東芝社会システム社 小向工場 マイクロ波技術部 (略称: 東芝)
Microwave Solid-state Engineering Dept., Komukai Operations, Toshiba Corporation (略称: Toshiba)
第8著者 氏名(和/英/ヨミ) 高田 賢治 / Yoshiharu Takada / タカダ ケンジ
第8著者 所属(和/英) 東芝研究開発センター 先端電子デバイスラボラトリー (略称: 東芝)
Advanced Electron Devices Laboratory, Corporate R&D Center, Toshiba Corporation (略称: Toshiba)
第9著者 氏名(和/英/ヨミ) 津田 邦男 / Kunio Tsuda / ツダ クニオ
第9著者 所属(和/英) 東芝研究開発センター 先端電子デバイスラボラトリー (略称: 東芝)
Advanced Electron Devices Laboratory, Corporate R&D Center, Toshiba Corporation (略称: Toshiba)
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講演者 第1著者 
発表日時 2007-10-12 12:05:00 
発表時間 25分 
申込先研究会 ED 
資料番号 ED2007-172, CPM2007-98, LQE2007-73 
巻番号(vol) vol.107 
号番号(no) no.251(ED), no.252(CPM), no.253(LQE) 
ページ範囲 pp.81-84 
ページ数
発行日 2007-10-04 (ED, CPM, LQE) 


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