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講演抄録/キーワード
講演名 2007-10-12 13:50
ホモエピタキシャル成長pn GaNダイオードの電気的評価
徳田 豊松岡陽一妹尾 武愛知工大)・上田博之石黒 修副島成雅加地 徹豊田中研ED2007-173 CPM2007-99 LQE2007-74 エレソ技報アーカイブへのリンク:ED2007-173 CPM2007-99 LQE2007-74
抄録 (和) 自立GaN基板上にMOCVD成長により作成したpnダイオードの電気特性の評価を行った。n+基板上にn層(10 μm, Si~2x1016 cm-3)、p層(1 μm,Mg~3x1019 cm-3)成長試料と同様なn層上にp層(0.5 μm, Mg~5x1018 cm-3)/p+層(0.1 μm, ~1x1020 cm-3)成長試料を作成した。その後ICPエッチングによりメサ構造を形成した。ICP後にウエットエッチング処理した試料では、電流―電圧特性の向上が見られた。アドミタンススペクトロスコピーからは、Mgに関連した信号が観測された。DLTS測定から、2個の多数キャリアトラップ(0.26, 0.59 eV)と1個の少数キャリアトラップ(0.89 eV)が観測された。他に明瞭なピークとはならないが2個の少数キャリアトラップがある。これらの中で、0.89 eV少数キャリアトラップの濃度が最も高い(1.3x1015 cm-3)。 
(英) We report the electrical characterization of homoepitaxially-grown pn GaN by MOCVD on free-standing GaN substrates. The 10-μm n GaN (Si~2x1016 cm-3) was grown on n+ GaN, followed by the growth of the 1-μm p GaN (Mg~3x1019 cm-3) or followed by the growth of the 0.5-μm p GaN (Mg~5x1018 cm-3) and 0.1-μm p+ GaN (Mg~1x1020 cm-3). The mesa structures were fabricated by ICP etching. The wet etching after ICP improves the current-voltage characteristics. The admittance spectroscopy reveals the Mg-related peaks. DLTS measurements show two majority-carrier traps (0.26, 0.59 eV) and one minority-carrier trap (0.89 eV) with two unclear minority-carrier traps. The 0.89 eV minority-carrier trap is dominant with the trap concentration of 1.3x1015 cm-3.
キーワード (和) GaN / ホモエピタキシャル成長 / pnダイオード / DLTS / / / /  
(英) GaN / homoepitaxial growth / pn diodes / DLTS / / / /  
文献情報 信学技報, vol. 107, no. 253, LQE2007-74, pp. 85-88, 2007年10月.
資料番号 LQE2007-74 
発行日 2007-10-04 (ED, CPM, LQE) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685  Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
PDFダウンロード ED2007-173 CPM2007-99 LQE2007-74 エレソ技報アーカイブへのリンク:ED2007-173 CPM2007-99 LQE2007-74

研究会情報
研究会 CPM ED LQE  
開催期間 2007-10-11 - 2007-10-12 
開催地(和) 福井大学 
開催地(英) Fukui Univ. 
テーマ(和) 窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般 
テーマ(英) Nitride Based Optical and Electronic Devices, Materials and Related Technologies 
講演論文情報の詳細
申込み研究会 LQE 
会議コード 2007-10-CPM-ED-LQE 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) ホモエピタキシャル成長pn GaNダイオードの電気的評価 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Electrical characterization of homoepitaxially-grown pn GaN diodes 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) GaN / GaN  
キーワード(2)(和/英) ホモエピタキシャル成長 / homoepitaxial growth  
キーワード(3)(和/英) pnダイオード / pn diodes  
キーワード(4)(和/英) DLTS / DLTS  
キーワード(5)(和/英) /  
キーワード(6)(和/英) /  
キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 徳田 豊 / Yutaka Tokuda / トクダ ユタカ
第1著者 所属(和/英) 愛知工業大学 (略称: 愛知工大)
Aichi Institute of Technology (略称: Aichi Inst. Tech.)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 松岡 陽一 / Youichi Matsuoka / マツオカ ヨウイチ
第2著者 所属(和/英) 愛知工業大学 (略称: 愛知工大)
Aichi Institute of Technology (略称: Aichi Inst. Tech.)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 妹尾 武 / Takeshi Seo / セオ タケシ
第3著者 所属(和/英) 愛知工業大学 (略称: 愛知工大)
Aichi Institute of Technology (略称: Aichi Inst. Tech.)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 上田 博之 / Hiroyuki Ueda / ウエダ ヒロユキ
第4著者 所属(和/英) 豊田中央研究所 (略称: 豊田中研)
Toyota Central Research & Development Laboratories Incorporation (略称: Toyota Central R&D Labs. Inc.)
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) 石黒 修 / Osamu Ishiguro / イシグロ オサム
第5著者 所属(和/英) 豊田中央研究所 (略称: 豊田中研)
Toyota Central Research & Development Laboratories Incorporation (略称: Toyota Central R&D Labs. Inc.)
第6著者 氏名(和/英/ヨミ) 副島 成雅 / Narumasa Soejima / ソエジマ ナルマサ
第6著者 所属(和/英) 豊田中央研究所 (略称: 豊田中研)
Toyota Central Research & Development Laboratories Incorporation (略称: Toyota Central R&D Labs. Inc.)
第7著者 氏名(和/英/ヨミ) 加地 徹 / Tetsu Kachi / カチ テツ
第7著者 所属(和/英) 豊田中央研究所 (略称: 豊田中研)
Toyota Central Research & Development Laboratories Incorporation (略称: Toyota Central R&D Labs. Inc.)
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講演者
発表日時 2007-10-12 13:50:00 
発表時間 25 
申込先研究会 LQE 
資料番号 IEICE-ED2007-173,IEICE-CPM2007-99,IEICE-LQE2007-74 
巻番号(vol) IEICE-107 
号番号(no) no.251(ED), no.252(CPM), no.253(LQE) 
ページ範囲 pp.85-88 
ページ数 IEICE-4 
発行日 IEICE-ED-2007-10-04,IEICE-CPM-2007-10-04,IEICE-LQE-2007-10-04 


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