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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2007-10-11 13:55 RF-MBE法を用いたGaN/AlGaN紫外ナノコラムLEDの成長と評価 ○関口寛人（上智大/JST）・加藤 圭・田中 譲（上智大）・菊池昭彦・岸野克巳（上智大/JST）  ED2007-158 CPM2007-84 LQE2007-59 エレソ技報アーカイブへのリンク：ED2007-158 CPM2007-84 LQE2007-59 |
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| 抄録 | （和） | GaN ナノコラムは直径100nm 程度の互いに独立した柱状結晶で、結晶中に貫通転位を含まないため優れた発光特性を有する。本研究ではGaN/AlGaN 量子ディスクを内在したナノコラム構造によって紫外ナノコラムLED を作製した。Ni/Au 半透明電極を形成して電気特性及び注入発光特性の評価を行ったところ、立ち上がり電圧4.0V の明瞭なダイオード特性、さらにピーク波長354nm の紫外発光を得た。マクロ領域(φ=500μm)とミクロ領域(φ=50μm)からのEL 発光スペクトルを比較したところ、ミクロ領域ではマクロ領域よりも狭いEL 半値幅が得られた。これは、それぞれのナノコラムでのGaN 量子ディスクの厚さと直径のばらつきに起因するものと考えられる。一方、p 型AlGaN のAl 組成を8.8、13.1、25.1％と変化させてLED を成長したところ、Al 組成25.1％の場合にEL半値全幅の減少が見られた。これは電子障壁層があるにもかかわらずｐ-AlGaN 層に電子がオーバーフローしている可能性を示唆する結果であり、電子障壁層の最適化が必要であることを示している。今後は、規則配列による形状均一化とデバイス構造の最適化によって、半値幅が狭い高効率なLED が作製されるものと期待される。 |
| （英） | GaN nanocolumns have excellent optical characteristics due to islocation-free nature. GaN/AlGaN nanocolumn LEDs grown on n-(111) Si substrates by RF-MBE was fabricated for the first time. Clear diodes characteristics with 4.0 V of turn-on voltage and ultraviolet emission with peak-wavelength of 354nm was observed at room temperature. Although FWHM with macro-EL was 278meV, a smaller FWHM value of 119meV with micro-EL was observed. As the spatial non-uniformity in thickness and diameter of GaN MQDs may bring about the broad spectrum, the improved uniformity by nanocolumn regular-arrangement will make the narrower EL-FWHM. When Al composition of p-AlxGa1-xN was changed from 8.8 to 25.1 %, the high Al content (x=25.1%) of p-AlGaN leads to narrow the FWHM as against low Al contents (x=8.8, 13.1%) due to suppress carrier overflow. The optimizations of the device sturucture, the electrode structures and the growth condition of p-type layer are needed to obtain high-performance LEDs. |
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| キーワード | （和） | ナノコラム / ナノロッド / ナノワイヤ / 窒化物半導体 / LED / 分子線エピタキシー / / |
| （英） | Nanocolumn / nanorod / nanowire / Nitride Semiconductor / LED / Molecular Beam Epitaxy / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 107, no. 253, LQE2007-59, pp. 13-17, 2007年10月. | |
| 資料番号 | LQE2007-59 | |
| 発行日 | 2007-10-04 (ED, CPM, LQE) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ED2007-158 CPM2007-84 LQE2007-59 エレソ技報アーカイブへのリンク：ED2007-158 CPM2007-84 LQE2007-59 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | CPM ED LQE |
| 開催期間 | 2007-10-11 - 2007-10-12 |
| 開催地（和） | 福井大学 |
| 開催地（英） | Fukui Univ. |
| テーマ（和） | 窒化物半導体光・電子デバイス・材料，及び関連技術，及び一般 |
| テーマ（英） | Nitride Based Optical and Electronic Devices, Materials and Related Technologies |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | LQE |
| 会議コード | 2007-10-CPM-ED-LQE |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | RF-MBE法を用いたGaN/AlGaN紫外ナノコラムLEDの成長と評価 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Fabrication of GaN/AlGaN nanocolumn LEDs by rf-assisted molecular beam epitaxy |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | ナノコラム / Nanocolumn |
| キーワード(2)（和/英） | ナノロッド / nanorod |
| キーワード(3)（和/英） | ナノワイヤ / nanowire |
| キーワード(4)（和/英） | 窒化物半導体 / Nitride Semiconductor |
| キーワード(5)（和/英） | LED / LED |
| キーワード(6)（和/英） | 分子線エピタキシー / Molecular Beam Epitaxy |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 関口 寛人 / Hiroto Sekiguchi / セキグチ ヒロト |
| 第1著者 所属（和/英） | 上智大学/JST (略称： 上智大/JST) Sophia University/JST (略称： Sophia Univ./JST) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 加藤 圭 / Kei Kato / カトウ ケイ |
| 第2著者 所属（和/英） | 上智大学 (略称： 上智大) Sophia University (略称： Sophia Univ.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 田中 譲 / Jo Tanaka / タナカ ジョウ |
| 第3著者 所属（和/英） | 上智大学 (略称： 上智大) Sophia University (略称： Sophia Univ.) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 菊池 昭彦 / Akihiko Kikuchi / キクチ アキヒコ |
| 第4著者 所属（和/英） | 上智大学/JST (略称： 上智大/JST) Sophia University/JST (略称： Sophia Univ./JST) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 岸野 克巳 / Katsumi Kishino / キシノ カツミ |
| 第5著者 所属（和/英） | 上智大学/JST (略称： 上智大/JST) Sophia University/JST (略称： Sophia Univ./JST) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
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| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2007-10-11 13:55:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | LQE |
| 資料番号 | ED2007-158, CPM2007-84, LQE2007-59 |
| 巻番号（vol） | vol.107 |
| 号番号（no） | no.251(ED), no.252(CPM), no.253(LQE) |
| ページ範囲 | pp.13-17 |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | 2007-10-04 (ED, CPM, LQE) |
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