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講演抄録/キーワード
講演名 2007-10-11 13:05
窒化物半導体量子井戸の偏光特性の基板面方位依存性
山口敦史金沢工大ED2007-156 CPM2007-82 LQE2007-57 エレソ技報アーカイブへのリンク:ED2007-156 CPM2007-82 LQE2007-57
抄録 (和) 任意面方位の窒化物量子井戸の偏光特性について理論計算を行った。(In)GaN量子井戸においては、基板面方位に応じて面内光学異方性が現れるが、この異方性の向きは圧縮歪みによる効果と量子井戸による効果の競合で決まっていることがわかった。さらに、非C面GaN基板上InGaN量子井戸のように基板面内に歪み異方性が導入される場合には、その異方性が光学的異方性に大きな影響を与えることもわかった。一方、C面上の高Al組成AlGaN膜ではc軸偏光が主となり膜表面からの発光強度が非常に小さいことが知られているが、量子井戸や圧縮歪みの導入により、偏光特性が逆転し、表面からの発光強度を飛躍的に増大できることがわかった。 
(英) Polarization properties in III-nitride quantum wells with various substrate orientations have been investigated theoretically. It is found that in-plane optical anisotropy appears in non C-plane surfaces, and that its direction is determined by the competition of quantum confinement effect and strain effect. It is also shown that the optical anisotropy is very sensitive to in-plane strain anisotropy. Meanwhile, it is known that AlGaN films with high Al composition mainly emit the light polarized in the c-direction and this causes low emission efficiency in the c-face based devices. It is predicted, in this study, that this unfavorable polarization can be switched into favorable in-plane polarization by decreasing quantum well width and/or introducing in-plane compressive strain.
キーワード (和) 光学的異方性 / GaN / AlGaN / 価電子帯 / 歪み / 理論計算 / /  
(英) optical anisotropy / GaN / AlGan / valence band / strain / calculation / /  
文献情報 信学技報, vol. 107, no. 253, LQE2007-57, pp. 1-6, 2007年10月.
資料番号 LQE2007-57 
発行日 2007-10-04 (ED, CPM, LQE) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685    Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
PDFダウンロード ED2007-156 CPM2007-82 LQE2007-57 エレソ技報アーカイブへのリンク:ED2007-156 CPM2007-82 LQE2007-57

研究会情報
研究会 CPM ED LQE  
開催期間 2007-10-11 - 2007-10-12 
開催地(和) 福井大学 
開催地(英) Fukui Univ. 
テーマ(和) 窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般 
テーマ(英) Nitride Based Optical and Electronic Devices, Materials and Related Technologies 
講演論文情報の詳細
申込み研究会 LQE 
会議コード 2007-10-CPM-ED-LQE 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) 窒化物半導体量子井戸の偏光特性の基板面方位依存性 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Polarization Properties in III-nitride Quantum Wells with Various Substrate Orientations 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) 光学的異方性 / optical anisotropy  
キーワード(2)(和/英) GaN / GaN  
キーワード(3)(和/英) AlGaN / AlGan  
キーワード(4)(和/英) 価電子帯 / valence band  
キーワード(5)(和/英) 歪み / strain  
キーワード(6)(和/英) 理論計算 / calculation  
キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 山口 敦史 / Atsushi Yamaguchi / ヤマグチ アツシ
第1著者 所属(和/英) 金沢工業大学 (略称: 金沢工大)
Kanazawa Institute of Technology (略称: Kanazawa Inst. of Technology)
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講演者 第1著者 
発表日時 2007-10-11 13:05:00 
発表時間 25分 
申込先研究会 LQE 
資料番号 ED2007-156, CPM2007-82, LQE2007-57 
巻番号(vol) vol.107 
号番号(no) no.251(ED), no.252(CPM), no.253(LQE) 
ページ範囲 pp.1-6 
ページ数
発行日 2007-10-04 (ED, CPM, LQE) 


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