講演抄録/キーワード |
講演名 |
2007-10-05 15:50
大規模アレイTEGを用いたランダム・テレグラフ・シグナルの統計的評価 ○阿部健一・須川成利・黒田理人・渡部俊一・寺本章伸・大見忠弘(東北大) SDM2007-192 エレソ技報アーカイブへのリンク:SDM2007-192 |
抄録 |
(和) |
非常に多数のMOSFETについて,それらの電気的特性及びランダム・テレグラフ・シグナル(RTS)特性を短時間で測定可能なTEGを開発し,これを用いたRTSの統計的な評価手法を提案する.この評価手法により,これまで発見が難しかったRTSの挙動を示すMOSFETを容易に探索することが可能となり,RTSノイズ評価に必要な時間を大幅に削減できる.この評価手法を用いた解析からRTSの出現頻度とノイズ強度はゲートサイズの縮小に伴って増大することがわかった.また,RTS出現頻度とノイズ強度は,ドレイン電流,バックゲートバイアス電圧に大きく依存して変化することがわかった. |
(英) |
In this work, we propose a statistical evaluation technique of Random Telegraph Signal using a novel Test Element Group (TEG) which can measure a huge number of MOSFETs’ electrical characteristics and RTS characteristics in a short time. This method enables us to find MOSFETs having RTS behavior, which are really rare samples easily and to reduce the amount of time for the measurement and the analysis. From the analysis using the method, RTS appearance probabilities and noise intensities increase as gate size is scaled down. These properties also change drastically depending on drain current and back-gate bias voltage. |
キーワード |
(和) |
MOSFET / ランダム・テレグラフ・シグナル / RTS / Test Element Group / TEG / 統計的評価 / / |
(英) |
MOSFET / Random Telegraph Signal / Test Element Group / statistical evaluation / / / / |
文献情報 |
信学技報, vol. 107, no. 245, SDM2007-192, pp. 65-68, 2007年10月. |
資料番号 |
SDM2007-192 |
発行日 |
2007-09-27 (SDM) |
ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
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