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| 講演名 | 2007-09-21 11:25 熱電子励起プラズマスパッタ法による低比抵抗ITO膜形成とそのメカニズム ○河野昭彦・生地文也（九州共立大）  ED2007-148 OME2007-35 エレソ技報アーカイブへのリンク：ED2007-148 OME2007-35 |
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| 抄録 | （和） | 熱電子励起プラズマスパッタ法で作製した非加熱ガラス基板上および加熱（260 ℃）ガラス基板上のITO膜の電気特性を膜厚の関数として調べた．加熱基板上において，2.1×1021 cm-3の高いキャリア密度による9.7×10-5 Ωcmの低比抵抗ITO膜が得られた．多くの酸素空孔を含む結晶性の初期成長層が，厚膜における効果的な酸素空孔形成と，それによる高いキャリア密度をもたらし，結果として低比抵抗ITO膜成長を導くテンプレートとして振舞うことがわかった． |
| （英） | Tin-doped indium oxide (ITO) films fabricated on glass substrates using a hot-cathode plasma sputtering method exhibited low resistivity of 9.7×10-5 Ω cm, which is due to a high carrier density of 2.1×1021 cm-3. The change in the number of carriers, N, as a function of film thickness d, strongly suggests that oxygen extraction in the initial stages of ITO film growth on the glass substrate surface, creates oxygen vacancies as an electron carrier source for improvement in the resistivity of the films. | |
| キーワード | （和） | 低比抵抗ITO膜 / 酸素空孔 / 熱電子励起プラズマスパッタ法 / / / / / |
| （英） | Low-resistivity ITO films / Oxygen vacancies / Hot-cathode plasma sputtering method / / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 107, no. 227, ED2007-148, pp. 25-30, 2007年9月. | |
| 資料番号 | ED2007-148 | |
| 発行日 | 2007-09-14 (ED, OME) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ED2007-148 OME2007-35 エレソ技報アーカイブへのリンク：ED2007-148 OME2007-35 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED OME |
| 開催期間 | 2007-09-21 - 2007-09-21 |
| 開催地（和） | 九州工業大学 飯塚キャンパス |
| 開催地（英） | Kyushu Institute of Technology |
| テーマ（和） | センサーデバイス・MEMS・一般 |
| テーマ（英） | |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | ED |
| 会議コード | 2007-09-ED-OME |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 熱電子励起プラズマスパッタ法による低比抵抗ITO膜形成とそのメカニズム |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | The growth mechanism of low-resistivity ITO films onto the glass substrates by a hot-cathode plasma sputtering method |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | 低比抵抗ITO膜 / Low-resistivity ITO films |
| キーワード(2)（和/英） | 酸素空孔 / Oxygen vacancies |
| キーワード(3)（和/英） | 熱電子励起プラズマスパッタ法 / Hot-cathode plasma sputtering method |
| キーワード(4)（和/英） | / |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 河野 昭彦 / Akihiko Kono / コウノ アキヒコ |
| 第1著者 所属（和/英） | 九州共立大学 (略称： 九州共立大) Kyushu Kyoritsu University (略称： Kyushu Kyoritsu Univ.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 生地 文也 / Fumiya Shoji / ショウジ フミヤ |
| 第2著者 所属（和/英） | 九州共立大学 (略称： 九州共立大) Kyushu Kyoritsu University (略称： Kyushu Kyoritsu Univ.) |
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| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2007-09-21 11:25:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | ED |
| 資料番号 | ED2007-148, OME2007-35 |
| 巻番号（vol） | vol.107 |
| 号番号（no） | no.227(ED), no.228(OME) |
| ページ範囲 | pp.25-30 |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2007-09-14 (ED, OME) |
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