講演抄録/キーワード |
講演名 |
2007-08-24 10:15
アンチモン添加半導体量子ドットの作製とその光通信波長半導体レーザ応用 ○山本直克・赤羽浩一・外林秀之・土屋昌弘(NICT) EMD2007-45 CPM2007-66 OPE2007-83 LQE2007-46 エレソ技報アーカイブへのリンク:EMD2007-45 CPM2007-66 OPE2007-83 LQE2007-46 |
抄録 |
(和) |
量子ドットレーザは次世代レーザとして低消費電力、温度無依存が期待されている。我々はアンチモン系量子ドットを用いた光ファイバ通信用レーザ光源の開発を目指している。本研究により量子ドット構造近傍へのアンチモン添加法がドット構造改善と発光強度増加に有効である可能性が発見された。さらにこの方法を用いることにより発光ピークはOバンド帯まで長波長化し、このアンチモン添加量子ドットを用いることによりGaAs基板上でOバンド帯発振を示すレーザダイオードの作製に成功した。アンチモン添加法は量子ドット半導体レーザの動作波長帯域の拡大に貢献できると考えられる。 |
(英) |
Quantum dot (QD) light-sources have been focused for achieving a low-power consumption photonic-networks. We have also been investigating an optical communications laser device, which made from an Sb-based QD active media. In this paper, it is reported that using an Sb-molecule irradiation technique before and after QD formation enhances a luminescence intensity of the QD active layer, and improves properties of the QD structure. Additionally, an expansion of the operated waveband of the QD lasers is observed by using this technique. We successfully fabricate a QD laser diode operating in a –O and O band by using the Sb-based QD structure. |
キーワード |
(和) |
半導体レーザ / 光通信 / 量子ドット / アンチモン / / / / |
(英) |
Semiconductor laser / Optical communications / ICT / Quantum dot / Antimony / / / |
文献情報 |
信学技報, vol. 107, no. 199, LQE2007-46, pp. 87-90, 2007年8月. |
資料番号 |
LQE2007-46 |
発行日 |
2007-08-16 (EMD, CPM, OPE, LQE) |
ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) |
PDFダウンロード |
EMD2007-45 CPM2007-66 OPE2007-83 LQE2007-46 エレソ技報アーカイブへのリンク:EMD2007-45 CPM2007-66 OPE2007-83 LQE2007-46 |
|