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| 講演名 | 2007-08-24 11:35 n-MOSFETの非対称性および配置方位依存性の解析 ○松田敏弘・杉山裕也・岩田栄之（富山県立大）・大曽根隆志（岡山県立大）  SDM2007-161 ICD2007-89 エレソ技報アーカイブへのリンク：SDM2007-161 ICD2007-89 |
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| 抄録 | （和） | MOSFETの非対称性，配置方位依存性はアナログ回路では重要な設計パラメータである．45°単位で回転した方向にMOSFETを配置したTEGを用いて，ドレイン電流，基板電流について，ソースとドレインを入れ替えたときの非対称性と配置方位依存性を解析した．その結果，ゲート長のバラツキが原因と考えられるドレイン電流，基板電流の配置方位依存性が見られた．ソースとドレインを入れ替えた非対称性については，ドレイン電流はどの配置方位でも小さいが，基板電流は，配置方位による非対称性を高い感度で検出していると考えられる． |
| （英） | n-MOSFETs with 8 different channel orientation and three kinds of process conditions were measured and symmetry of IDsat and IBmax with respect to the interchange of source and drain was examined． Although both IDsat and IBmax have similar channel orientation dependence， only IBmax in interchanged S/D measurements shows asymmetrical characteristics， which can be applied to a sensitive method for device asymmetry detection． | |
| キーワード | （和） | MOSFET / 非対称生 / 配置方位依存性 / ドレイン電流 / 基板電流 / / / |
| （英） | MOSFET / asymmetry / orientation dependence / drain current / substrate current / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 107, no. 194, SDM2007-161, pp. 113-116, 2007年8月. | |
| 資料番号 | SDM2007-161 | |
| 発行日 | 2007-08-16 (SDM, ICD) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | SDM2007-161 ICD2007-89 エレソ技報アーカイブへのリンク：SDM2007-161 ICD2007-89 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | ICD SDM |
| 開催期間 | 2007-08-23 - 2007-08-24 |
| 開催地（和） | 北見工業大学 |
| 開催地（英） | Kitami Institute of Technology |
| テーマ（和） | VLSI回路、デバイス技術（高速、低電圧、低消費電力）<オーガナイザ：榎本忠儀(中央大学)> |
| テーマ（英） | VLSI Circuit and Device Technologies (High Speed, Low Voltage, and Low Power Consumption) |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | SDM |
| 会議コード | 2007-08-ICD-SDM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | n-MOSFETの非対称性および配置方位依存性の解析 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | An analysis of asymmetry and orientation dependence of n-MOSFETs |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | MOSFET / MOSFET |
| キーワード(2)（和/英） | 非対称生 / asymmetry |
| キーワード(3)（和/英） | 配置方位依存性 / orientation dependence |
| キーワード(4)（和/英） | ドレイン電流 / drain current |
| キーワード(5)（和/英） | 基板電流 / substrate current |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 松田 敏弘 / Toshihiro Matsuda / マツダ トシヒロ |
| 第1著者 所属（和/英） | 富山県立大学 (略称： 富山県立大) Toyama Prefectural University (略称： Toyama Pref. Univ.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 杉山 裕也 / Yuya Sugiyama / スギヤマ ユウヤ |
| 第2著者 所属（和/英） | 富山県立大学 (略称： 富山県立大) Toyama Prefectural University (略称： Toyama Pref. Univ.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 岩田 栄之 / Hideyuki Iwata / イワタ ヒデユキ |
| 第3著者 所属（和/英） | 富山県立大学 (略称： 富山県立大) Toyama Prefectural University (略称： Toyama Pref. Univ.) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 大曽根 隆志 / Takashi Ohzone / オオゾネ タカシ |
| 第4著者 所属（和/英） | 岡山県立大学 (略称： 岡山県立大) Okayama Prefectural University (略称： Okayama Pref. Univ.) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
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| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2007-08-24 11:35:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | SDM |
| 資料番号 | SDM2007-161, ICD2007-89 |
| 巻番号（vol） | vol.107 |
| 号番号（no） | no.194(SDM), no.195(ICD) |
| ページ範囲 | pp.113-116 |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2007-08-16 (SDM, ICD) |
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