研究会情報 |
研究会 |
ICD SDM |
開催期間 |
2007-08-23 - 2007-08-24 |
開催地(和) |
北見工業大学 |
開催地(英) |
Kitami Institute of Technology |
テーマ(和) |
VLSI回路、デバイス技術(高速、低電圧、低消費電力)<オーガナイザ:榎本忠儀(中央大学)> |
テーマ(英) |
VLSI Circuit and Device Technologies (High Speed, Low Voltage, and Low Power Consumption) |
講演論文情報の詳細 |
申込み研究会 |
ICD |
会議コード |
2007-08-ICD-SDM |
本文の言語 |
日本語 |
タイトル(和) |
90-nm CMOS技術による多段階読出し方式を用いた128-Kbit,16ポートSRAMの設計 |
サブタイトル(和) |
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タイトル(英) |
A 128-Kbit, 16-Port SRAM Design with Multi-Stage-Sensing Scheme in 90-nm CMOS Technology |
サブタイトル(英) |
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キーワード(1)(和/英) |
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キーワード(2)(和/英) |
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キーワード(3)(和/英) |
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キーワード(4)(和/英) |
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キーワード(5)(和/英) |
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キーワード(6)(和/英) |
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キーワード(7)(和/英) |
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キーワード(8)(和/英) |
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第1著者 氏名(和/英/ヨミ) |
上口 光 / Koh Johguchi / ジョウグチ コウ |
第1著者 所属(和/英) |
広島大学 (略称: 広島大)
Hiroshima University (略称: Hiroshima Univ.) |
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) |
椋田 祐也 / Yuya Mukuda / ムクダ ユウヤ |
第2著者 所属(和/英) |
広島大学 (略称: 広島大)
Hiroshima University (略称: Hiroshima Univ.) |
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) |
和泉 伸也 / Shinya Izumi / イズミ シンヤ |
第3著者 所属(和/英) |
広島大学 (略称: 広島大)
Hiroshima University (略称: Hiroshima Univ.) |
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) |
マタウシュ ハンス・ユルゲン / Hans Juergen Mattausch / マタウシュ ハンス・ユルゲン |
第4著者 所属(和/英) |
広島大学 (略称: 広島大)
Hiroshima University (略称: Hiroshima Univ.) |
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) |
小出 哲士 / Tetsushi Koide / コイデ テツシ |
第5著者 所属(和/英) |
広島大学 (略称: 広島大)
Hiroshima University (略称: Hiroshima Univ.) |
第6著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第6著者 所属(和/英) |
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第7著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第8著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第9著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第10著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第11著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第11著者 所属(和/英) |
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第12著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第13著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第14著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第15著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第16著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第17著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第18著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第19著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第20著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第20著者 所属(和/英) |
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講演者 |
第1著者 |
発表日時 |
2007-08-24 16:30:00 |
発表時間 |
25分 |
申込先研究会 |
ICD |
資料番号 |
SDM2007-169, ICD2007-97 |
巻番号(vol) |
vol.107 |
号番号(no) |
no.194(SDM), no.195(ICD) |
ページ範囲 |
pp.149-154 |
ページ数 |
6 |
発行日 |
2007-08-16 (SDM, ICD) |