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講演抄録/キーワード
講演名 2007-08-24 14:15
3次元型トランジスタFinFETを用いたDTMOS(FinFET型DTMOS)によるシステムLSIの高密度設計法 ~ パターン面積の縮小効果の見積もり ~
廣島 佑渡辺重佳岡本恵介小泉圭輔湘南工科大SDM2007-164 ICD2007-92 エレソ技報アーカイブへのリンク:SDM2007-164 ICD2007-92
抄録 (和) しきい値電圧を動的に変化させるDTMOSを、3次元型トランジスタFinFETを用いて実現した場合のシステムLSI設計法、特に素子領域のパターン面積の縮小効果について検討した。DTMOSは高速、低消費電力には有効だがパターン面積が従来の平面型の場合大きくなってしまう問題があった。“FinFET型DTMOS”を用いるとゲートと基板を接続するための余分な面積増加をなくすことが出来るため、側壁チャネル幅を最適化することにより従来の平面型の場合と比較し通信用LSIで約31%にパターン面積を縮小できることを示した。 
(英) Planar DTMOS has a problem of increase of pattern area. Using FinFET type DTMOS excess pattern area of connect to gate and substrate can be reduced. Using FinFET type DTMOS, pattern area of system LSI designed by cell library can be reduced to 31% compared with that using planar DTMOS.
キーワード (和) FinFET / DTMOS / FinFET型DTMOS / システムLSI / 側壁チャネル幅 / / /  
(英) FinFET / DTMOS / FinFET type DTMOS / system LSI / sidewall channel width / / /  
文献情報 信学技報, vol. 107, no. 195, ICD2007-92, pp. 125-130, 2007年8月.
資料番号 ICD2007-92 
発行日 2007-08-16 (SDM, ICD) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685  Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
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PDFダウンロード SDM2007-164 ICD2007-92 エレソ技報アーカイブへのリンク:SDM2007-164 ICD2007-92

研究会情報
研究会 ICD SDM  
開催期間 2007-08-23 - 2007-08-24 
開催地(和) 北見工業大学 
開催地(英) Kitami Institute of Technology 
テーマ(和) VLSI回路、デバイス技術(高速、低電圧、低消費電力)<オーガナイザ:榎本忠儀(中央大学)> 
テーマ(英) VLSI Circuit and Device Technologies (High Speed, Low Voltage, and Low Power Consumption) 
講演論文情報の詳細
申込み研究会 ICD 
会議コード 2007-08-ICD-SDM 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) 3次元型トランジスタFinFETを用いたDTMOS(FinFET型DTMOS)によるシステムLSIの高密度設計法 
サブタイトル(和) パターン面積の縮小効果の見積もり 
タイトル(英) Design Method of system LSI with FinFET type DTMOS 
サブタイトル(英)
キーワード(1)(和/英) FinFET / FinFET  
キーワード(2)(和/英) DTMOS / DTMOS  
キーワード(3)(和/英) FinFET型DTMOS / FinFET type DTMOS  
キーワード(4)(和/英) システムLSI / system LSI  
キーワード(5)(和/英) 側壁チャネル幅 / sidewall channel width  
キーワード(6)(和/英) /  
キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 廣島 佑 / Yu Hiroshima / ヒロシマ ユウ
第1著者 所属(和/英) 湘南工科大学 (略称: 湘南工科大)
Shonan Institute of Technology (略称: SIT)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 渡辺 重佳 / Shigeyoshi Watanabe / ワタナベ シゲヨシ
第2著者 所属(和/英) 湘南工科大学 (略称: 湘南工科大)
Shonan Institute of Technology (略称: SIT)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 岡本 恵介 / Keisuke Okamoto / オカモト ケイスケ
第3著者 所属(和/英) 湘南工科大学 (略称: 湘南工科大)
Shonan Institute of Technology (略称: SIT)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 小泉 圭輔 / Keisuke Koizumi / コイズミ ケイスケ
第4著者 所属(和/英) 湘南工科大学 (略称: 湘南工科大)
Shonan Institute of Technology (略称: SIT)
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講演者
発表日時 2007-08-24 14:15:00 
発表時間 25 
申込先研究会 ICD 
資料番号 IEICE-SDM2007-164,IEICE-ICD2007-92 
巻番号(vol) IEICE-107 
号番号(no) no.194(SDM), no.195(ICD) 
ページ範囲 pp.125-130 
ページ数 IEICE-6 
発行日 IEICE-SDM-2007-08-16,IEICE-ICD-2007-08-16 


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