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講演抄録/キーワード
講演名 2007-08-09 16:10
基板バイアススパッタ法によるITO薄膜の検討(II)
梅津 岳中田悠介清水英彦丸山武男岩野春男新潟大)・星 陽一東京工芸大エレソ技報アーカイブへのリンク:CPM2007-42
抄録 (和) 本研究では,高エネルギー粒子を抑制できるRF-DC結合形スパッタ法に,基板バイアススパッタ法を組み合わせる方法を用いて,低温でITO膜を結晶化させる方法の検討するために,この方法における酸素分圧の効果について検討を行った。その結果,基板にバイアス電圧を印加しても,膜作製時の到達最高基板温度は50℃程度であった。また,基板にバイアス電圧を印加することにより,どの酸素分圧においても,小さいながら,In2O3結晶からの回折ピークが観測することができた。しかし,低抵抗率のITO膜を得ることができなかった。酸素反応性ガスを導入することで,可視光領域において約80 %以上の透過率が得られた。 
(英) In order to examine deposition method to crystallize an ITO film at low temperature, deposition of ITO thin films was attempted by the combination of RF-DC coupled magnetron sputtering method and bias sputtering method. As a result, ITO films deposited by this method obtained at temperature below 50℃. The diffraction peak of the In2O3 crystal was observed from the films deposited by this method, but those diffraction peaks were very small. Low resistivity was not obtained from the films deposited by this method. All of the films deposited by this method had transmittance above 80% in the visible range.
キーワード (和) ITO薄膜 / RF-DC結合形スパッタ法 / 基板バイアススパッタ法 / 低温 / / / /  
(英) ITO thin film / RF-DC coupled magnetron sputtering method / substrate bias sputtering / low temperature / / / /  
文献情報 信学技報, vol. 107, no. 178, CPM2007-42, pp. 33-38, 2007年8月.
資料番号 CPM2007-42 
発行日 2007-08-02 (CPM) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685  Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)

研究会情報
研究会 CPM  
開催期間 2007-08-09 - 2007-08-10 
開催地(和) 山形大学 
開催地(英) Yamagata Univ. 
テーマ(和) 電子部品・材料,一般 
テーマ(英) Electronic Component Parts and Materials, etc. 
講演論文情報の詳細
申込み研究会 CPM 
会議コード 2007-08-CPM 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) 基板バイアススパッタ法によるITO薄膜の検討(II) 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Examination of ITO Thin Films Deposited by Substrate Bias Sputtering(II) 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) ITO薄膜 / ITO thin film  
キーワード(2)(和/英) RF-DC結合形スパッタ法 / RF-DC coupled magnetron sputtering method  
キーワード(3)(和/英) 基板バイアススパッタ法 / substrate bias sputtering  
キーワード(4)(和/英) 低温 / low temperature  
キーワード(5)(和/英) /  
キーワード(6)(和/英) /  
キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 梅津 岳 / Takeshi Umetsu / ウメツ タケシ
第1著者 所属(和/英) 新潟大学 (略称: 新潟大)
Niigata University (略称: Niigata Univ.)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 中田 悠介 / Yusuke Nakata / ナカタ ユウスケ
第2著者 所属(和/英) 新潟大学 (略称: 新潟大)
Niigata University (略称: Niigata Univ.)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 清水 英彦 / Hidehiko Shimizu / シミズ ヒデヒコ
第3著者 所属(和/英) 新潟大学 (略称: 新潟大)
Niigata University (略称: Niigata Univ.)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 丸山 武男 / Takeo Maruyama / マルヤマ タケオ
第4著者 所属(和/英) 新潟大学 (略称: 新潟大)
Niigata University (略称: Niigata Univ.)
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) 岩野 春男 / Haruo Iwano / イワノ ハルオ
第5著者 所属(和/英) 新潟大学 (略称: 新潟大)
Niigata University (略称: Niigata Univ.)
第6著者 氏名(和/英/ヨミ) 星 陽一 / Yoichi Hoshi / ホシ ヨウイチ
第6著者 所属(和/英) 東京工芸大学 (略称: 東京工芸大)
Tokyo Polytechnic University (略称: Tokyo Polytechnic Univ.)
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講演者
発表日時 2007-08-09 16:10:00 
発表時間 25 
申込先研究会 CPM 
資料番号 IEICE-CPM2007-42 
巻番号(vol) IEICE-107 
号番号(no) no.178 
ページ範囲 pp.33-38 
ページ数 IEICE-6 
発行日 IEICE-CPM-2007-08-02 


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