講演抄録/キーワード |
講演名 |
2007-08-03 13:30
パターニングしたSOI基板上のGaNナノロッド成長とその評価 ○徐 鍾旭・長谷川繁彦・朝日 一(阪大) ED2007-136 エレソ技報アーカイブへのリンク:ED2007-136 |
抄録 |
(和) |
窒化物半導体は光エレクトロニクスのキーデバイスとして期待されている.その中で,次世代ディスプレイとして注目されている電子放出ディスプレイに応用するために,本研究ではマトリクス構造のGaN電子放出エミッタの作製を試み,フォトリソグラフィ及びエッチングでパターニングしたSOI基板上に,分子線エピタキシー法でGaNナノロッドを成長して,その評価を行った. |
(英) |
III-nitrtide semiconductors are expected to be key materials for optoelectronics. In this study, we have tried to fabricate GaN-based field emitter arrays toward application to field emission displays. We have investigated structural properties and field emission characteristics of field emission arrays consisting of GaN nanorods grown on patterned SOI substrates by molecular beam epitaxy. |
キーワード |
(和) |
GaNナノロッド / 電界放出 / MBE / SOI基板 / / / / |
(英) |
GaN nanorods / field emission / MBE / SOI substrate / / / / |
文献情報 |
信学技報, vol. 107, no. 177, ED2007-136, pp. 1-4, 2007年8月. |
資料番号 |
ED2007-136 |
発行日 |
2007-07-27 (ED) |
ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) |
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