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| 講演名 | 2007-08-03 16:35 高濃度リン添加ダイヤモンドからの電子放出の真空熱処理温度依存性 ○山田貴壽・ソム クマラグルバラン・ネーベル クリストフ・鹿田真一（産総研）  ED2007-142 エレソ技報アーカイブへのリンク：ED2007-142 |
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| 抄録 | （和） | 高濃度リン添加ダイヤモンドを真空熱処理し，電界電子放出特性とX線光電子分光（XPS）法測定の結果の相関を調べた．比較表面として，溶液酸化処理表面を用いた．900℃までの熱処理では，電界電子放出特性のしきい値電圧が低電圧側にシフトし，さらに高い温度での熱処理によりしきい値電圧は高電圧側にシフトすることがわかった．これは，900℃までの熱処理温度では，ダイヤモンド表面からの酸素の脱離が生じ，正の電子親和力の値が小さくなったためであると考えられる．一方，より高温での熱処理では表面のグラフィテックカーボン化が生じるために，実効的な電位障壁が高くるためであると推察される． |
| （英） | We investigated relationship between field emission and surface bonding condition of vacuum annealed heavily phosphorus-doped diamond. Threshold voltage of field emission decreases bellow annealing temperature of 900?C, then threshold voltage increases with increasing annealing temperature. Bellow annealing temperature of 900?C, oxygen desoprtion takes place from diamond surface, which reduce positive electron affinity. Therefore, threshold voltage decreases. Further high temperature annealing, surface graphitization takes place. This increase effective emission barrier height, which results in increasing threshold voltage. | |
| キーワード | （和） | 表面修飾 / 電子親和力 / 真空熱処理 / リン添加ダイヤモンド / / / / |
| （英） | surface modification / electron affinity / vacuum annealing / Phosphorus-doped diamond / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 107, no. 177, ED2007-142, pp. 33-36, 2007年8月. | |
| 資料番号 | ED2007-142 | |
| 発行日 | 2007-07-27 (ED) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ED2007-142 エレソ技報アーカイブへのリンク：ED2007-142 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED |
| 開催期間 | 2007-08-03 - 2007-08-03 |
| 開催地（和） | 大阪大学 吹田キャンパス 銀杏会館 |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | 電子管と真空ナノエレクトロニクス及びその評価技術 |
| テーマ（英） | |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | ED |
| 会議コード | 2007-08-ED |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 高濃度リン添加ダイヤモンドからの電子放出の真空熱処理温度依存性 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Vacuum annealing temperature dependence on field emission from heavily P-doped diamond |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | 表面修飾 / surface modification |
| キーワード(2)（和/英） | 電子親和力 / electron affinity |
| キーワード(3)（和/英） | 真空熱処理 / vacuum annealing |
| キーワード(4)（和/英） | リン添加ダイヤモンド / Phosphorus-doped diamond |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 山田 貴壽 / Takatoshi Yamada / ヤマダ タカトシ |
| 第1著者 所属（和/英） | 産業技術総合研究所 (略称： 産総研) National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (略称： AIST) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | ソム クマラグルバラン / Kumaragurubaran Somu / ソム クマラグルバラン |
| 第2著者 所属（和/英） | 産業技術総合研究所 (略称： 産総研) National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (略称： AIST) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | ネーベル クリストフ / Christoph E. Nebel / ネーベル クリストフ |
| 第3著者 所属（和/英） | 産業技術総合研究所 (略称： 産総研) National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (略称： AIST) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 鹿田 真一 / Shin-ichi Shikata / シカタ シンイチ |
| 第4著者 所属（和/英） | 産業技術総合研究所 (略称： 産総研) National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (略称： AIST) |
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| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2007-08-03 16:35:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | ED |
| 資料番号 | ED2007-142 |
| 巻番号（vol） | vol.107 |
| 号番号（no） | no.177 |
| ページ範囲 | pp.33-36 |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2007-07-27 (ED) |
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