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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2007-07-26 08:55 MOSFETのしきい値電圧を参照した基準電圧源回路 ○上野憲一・廣瀬哲也・浅井哲也・雨宮好仁（北大）  ICD2007-38 エレソ技報アーカイブへのリンク：ICD2007-38 |
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| 抄録 | （和） | 絶対零度でのMOSFETのしきい値電圧を出力する基準電圧源回路を開発した. この回路は, MOSFETのサブスレッショルド領域を利用して温度係数が正の電圧と負の電圧を生成し, これらを加算することでゼロ温度係数を実現する. また, バイアス電流の生成では, 抵抗体の代わりに強反転線形領域で動作するMOSFETを利用することで回路面積を削減している. この回路を0.35 um CMOSパラメータにより設計し, その動作をSPICEシミュレーションで確認した. -20 ℃～100 ℃の温度変動に対して出力電圧の値は0.81 Vであり, その変動率は±0.2 %であった. また1.2 V～3 Vの電源電圧の変動に対して参照電圧の変動は±0.5 %であった. プロセス変動によるデバイスミスマッチを考慮してモンテカルロ解析を行い, 参照電圧の温度特性における相対バラツキが±0.3 %以内であることを確認した. この回路は, サブスレッショルド領域と強反転線形領域で動作するCMOS回路のみで構成し, 0.5 uWの極低電力で動作する. |
| （英） | We developed a voltage reference circuit using MOSFETs operated in the subthreshold region, except for the MOS resistor in the strong-inversion and deep triode region. The circuit consists of a current source subcircuit and a constant-voltage subcircuit without resistors. We confirmed the operation of the circuit by SPICE simulation with a set of 0.35-um standard CMOS parameters. SPICE simulation demonstrated that the circuit generates the threshold voltage of nMOSFET, about 0.81 V, at absolute zero. The accuracy of the reference circuit was within ±0.2 % in a temperature range of -20 - 100 ℃ and within ±0.5 % for a VDD range of 1.2 - 3 V. To confirm the circuit operation with device variation, we carried out Monte Carlo simulations assuming process spread and device mismatch in all MOSFETs. The error of the output voltage was within ±0.3 % in the temperature range. The total power consumption of the circuit was 0.5 uW with a VDD of 1.5 V. |
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| キーワード | （和） | CMOS / 参照電圧源 / 基準電圧源 / サブスレッショルド(弱反転)領域 / 強反転線形領域 / 極低消費電力 / / |
| （英） | CMOS / Voltage reference / Subthreshold region / Weak-inversion / Deep triode region / Ultralow-power / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 107, no. 163, ICD2007-38, pp. 5-10, 2007年7月. | |
| 資料番号 | ICD2007-38 | |
| 発行日 | 2007-07-19 (ICD) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ICD2007-38 エレソ技報アーカイブへのリンク：ICD2007-38 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | ICD ITE-IST |
| 開催期間 | 2007-07-26 - 2007-07-27 |
| 開催地（和） | 神戸大学瀧川記念学術交流会館 |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | アナログ・デジアナ・センサ、通信用LSI |
| テーマ（英） | |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | ICD |
| 会議コード | 2007-07-ICD-ITE-IST |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | MOSFETのしきい値電圧を参照した基準電圧源回路 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | CMOS voltage reference based on threshold voltage of a MOSFET |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | CMOS / CMOS |
| キーワード(2)（和/英） | 参照電圧源 / Voltage reference |
| キーワード(3)（和/英） | 基準電圧源 / Subthreshold region |
| キーワード(4)（和/英） | サブスレッショルド(弱反転)領域 / Weak-inversion |
| キーワード(5)（和/英） | 強反転線形領域 / Deep triode region |
| キーワード(6)（和/英） | 極低消費電力 / Ultralow-power |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 上野 憲一 / Ken Ueno / ウエノ ケンイチ |
| 第1著者 所属（和/英） | 北海道大学 (略称： 北大) Hokkaido University (略称： Hokkaido Univ.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 廣瀬 哲也 / Tetsuya Hirose / ヒロセ テツヤ |
| 第2著者 所属（和/英） | 北海道大学 (略称： 北大) Hokkaido University (略称： Hokkaido Univ.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 浅井 哲也 / Tetsuya Asai / アサイ テツヤ |
| 第3著者 所属（和/英） | 北海道大学 (略称： 北大) Hokkaido University (略称： Hokkaido Univ.) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 雨宮 好仁 / Yoshihito Amemiya / アメミヤ ヨシヒト |
| 第4著者 所属（和/英） | 北海道大学 (略称： 北大) Hokkaido University (略称： Hokkaido Univ.) |
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| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2007-07-26 08:55:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | ICD |
| 資料番号 | ICD2007-38 |
| 巻番号（vol） | vol.107 |
| 号番号（no） | no.163 |
| ページ範囲 | pp.5-10 |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2007-07-19 (ICD) |
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