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講演抄録/キーワード
講演名 2007-06-29 09:30
1.55um帯InGaAlAs系EA/DFBレーザによる広温度範囲10Gbit/s-40km/80kmファイバ伝送
牧野茂樹篠田和典塩田貴支北谷 健深町俊彦青木雅博日立)・笹田紀子直江和彦岡本 薫元田勝也佐久間 康日本オプネクストOPE2007-16 LQE2007-17 エレソ技報アーカイブへのリンク:OPE2007-16 LQE2007-17
抄録 (和) EA変調器の光吸収層にInGaAlAs系材料を適用することにより,広い温度範囲で優れた中/長距離伝送特性を有するアンクールドEA/DFBレーザを実現した。EA変調器とDFBレーザがモノリシック集積された素子としては,世界で初めて15℃~95ºCの広温度範囲下における10Gbit/s-80kmエラーフリー伝送を実現した。本検討で開発した素子は,メトロ用小型・低消費電力光送受信モジュールへの適用に有望であり,次世代高速光通信網への貢献が期待できる。 
(英) Uncooled electro-absorption modulator integrated DFB (EA/DFB) laser is suitable for metro area low-power consumption small-form factor optical transceiver modules. Realistic band structure of InGaAlAs material system can satisfy both of sufficient extinction ratio and low chirp characteristic over wide temperature range. We achieved a 10-Gbit/s 80-km SMF transmission with an extinction ratio around 10 dB and a power penalty below 2 dB at operating temperatures from 15ºC to 95ºC. This device is promising for next-generation high-speed data links.
キーワード (和) EA/DFBレーザ / アンクールド / EA変調器 / DFBレーザ / 集積 / 半導体レーザ / /  
(英) EA/DFB laser / uncooled / EA modulator / DFB laser / integration / semiconductor laser / /  
文献情報 信学技報, vol. 107, no. 125, LQE2007-17, pp. 1-4, 2007年6月.
資料番号 LQE2007-17 
発行日 2007-06-22 (OPE, LQE) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685  Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
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技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
PDFダウンロード OPE2007-16 LQE2007-17 エレソ技報アーカイブへのリンク:OPE2007-16 LQE2007-17

研究会情報
研究会 LQE OPE  
開催期間 2007-06-29 - 2007-06-29 
開催地(和) 機械振興会館 
開催地(英) Kikai-Shinko-Kaikan Bldg. 
テーマ(和) 量子効果デバイス(光信号処理、LD、光増幅、変調等)と集積化技術,及び一般 
テーマ(英)  
講演論文情報の詳細
申込み研究会 LQE 
会議コード 2007-06-LQE-OPE 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) 1.55um帯InGaAlAs系EA/DFBレーザによる広温度範囲10Gbit/s-40km/80kmファイバ伝送 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Wide Temperature Range 10Gbit/s-40km/80km SMF Transmission by 1.55um InGaAlAs EA/DFB Laser 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) EA/DFBレーザ / EA/DFB laser  
キーワード(2)(和/英) アンクールド / uncooled  
キーワード(3)(和/英) EA変調器 / EA modulator  
キーワード(4)(和/英) DFBレーザ / DFB laser  
キーワード(5)(和/英) 集積 / integration  
キーワード(6)(和/英) 半導体レーザ / semiconductor laser  
キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 牧野 茂樹 / Shigeki Makino / マキノ シゲキ
第1著者 所属(和/英) 日立製作所 中央研究所 (略称: 日立)
Hitachi, Ltd., Central Research Laboratory (略称: Hitachi CRL)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 篠田 和典 / Kazunori Shinoda / シノダ カズノリ
第2著者 所属(和/英) 日立製作所 中央研究所 (略称: 日立)
Hitachi, Ltd., Central Research Laboratory (略称: Hitachi CRL)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 塩田 貴支 / Takashi Shiota / シオタ タカシ
第3著者 所属(和/英) 日立製作所 中央研究所 (略称: 日立)
Hitachi, Ltd., Central Research Laboratory (略称: Hitachi CRL)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 北谷 健 / Takeshi Kitatani / キタタニ タケシ
第4著者 所属(和/英) 日立製作所 中央研究所 (略称: 日立)
Hitachi, Ltd., Central Research Laboratory (略称: Hitachi CRL)
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) 深町 俊彦 / Toshihiko Fukamachi / フカマチ トシヒコ
第5著者 所属(和/英) 日立製作所 中央研究所 (略称: 日立)
Hitachi, Ltd., Central Research Laboratory (略称: Hitachi CRL)
第6著者 氏名(和/英/ヨミ) 青木 雅博 / Masahiro Aoki / アオキ マサヒロ
第6著者 所属(和/英) 日立製作所 中央研究所 (略称: 日立)
Hitachi, Ltd., Central Research Laboratory (略称: Hitachi CRL)
第7著者 氏名(和/英/ヨミ) 笹田 紀子 / Noriko Sasada / ササダ ノリコ
第7著者 所属(和/英) 日本オプネクスト (略称: 日本オプネクスト)
Opnext Japan, Inc. (略称: Opnext)
第8著者 氏名(和/英/ヨミ) 直江 和彦 / Kazuhiko Naoe / ナオエ カズヒコ
第8著者 所属(和/英) 日本オプネクスト (略称: 日本オプネクスト)
Opnext Japan, Inc. (略称: Opnext)
第9著者 氏名(和/英/ヨミ) 岡本 薫 / Kaoru Okamoto / オカモト カオル
第9著者 所属(和/英) 日本オプネクスト (略称: 日本オプネクスト)
Opnext Japan, Inc. (略称: Opnext)
第10著者 氏名(和/英/ヨミ) 元田 勝也 / Katsuya Motoda / モトダ カツヤ
第10著者 所属(和/英) 日本オプネクスト (略称: 日本オプネクスト)
Opnext Japan, Inc. (略称: Opnext)
第11著者 氏名(和/英/ヨミ) 佐久間 康 / Yasushi Sakuma / サクマ ヤスシ
第11著者 所属(和/英) 日本オプネクスト (略称: 日本オプネクスト)
Opnext Japan, Inc. (略称: Opnext)
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講演者
発表日時 2007-06-29 09:30:00 
発表時間 25 
申込先研究会 LQE 
資料番号 IEICE-OPE2007-16,IEICE-LQE2007-17 
巻番号(vol) IEICE-107 
号番号(no) no.124(OPE), no.125(LQE) 
ページ範囲 pp.1-4 
ページ数 IEICE-4 
発行日 IEICE-OPE-2007-06-22,IEICE-LQE-2007-06-22 


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